СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПЛАСТИН ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ Российский патент 2016 года по МПК H01L31/18 H01L21/306 

Описание патента на изобретение RU2586266C2

Изобретение относится к технологии обработки поверхности полупроводниковых пластин, в частности к процессам очистки поверхности пластин между технологическими операциями, для изготовления солнечных элементов.

Известны способы обработки кремниевых пластин перед напылительными процессами: в кислотах, щелочных растворах при температуре 90-100°C, и др. [1].

Основными недостатками этих способов являются неполное удаление окисла, высокая температура и длительность процесса.

Целью изобретения является полное удаление остатка окисла с поверхности обратной стороны кремниевых пластин перед напылением и уменьшение температуры и длительности процесса.

Поставленная цель достигается тем, что удаление окисла перед напылением происходит за счет использования раствора, в состав которого входят фтористоводородная кислота HF и деионизованная вода H2O в следующих соотношениях:

Сущность способа заключается в том, что с поверхности пластин происходит полное удаление окисла в растворе, состоящем из плавиковой кислоты и деионизованной воды, при комнатной температуре раствора. Процесс удаления окисла считается законченным, в том случае, когда раствор скатывается с поверхности обратной стороны кремниевой пластины. Реакция обработки поверхности кремниевой пластин протекает с большой скоростью, длительность процесса составляет не более 20 секунд. При этом не происходит ухудшения качества поверхности кремния.

Таким образом, предполагаемый способ по сравнению с прототипом обеспечивает удаление остатков окисла с поверхности обратной стороны перед напылением и способствует улучшению адгезии, благодаря которой увеличивается процент выхода годных кристаллов - 98%.

Сущность изобретения подтверждается следующими примерами:

ПРИМЕР 1. Процесс проводят на установке химической обработки в одной ванне с последующей отмывкой в деионизованной воде при соотношении компонентов:

Температура раствора комнатная. Время обработки 60 секунд. Процент выхода годных кристаллов составляет 92%.

ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке химической обработки в одной ванне с последующей отмывкой в деионизованной воде при соотношении компонентов:

Температура раствора комнатная. Время обработки равно 40 секунд. Процент выхода годных кристаллов составляет 95%.

ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке химической обработки в одной ванне с последующей отмывкой в деионизованной воде при соотношении компонентов:

Температура раствора комнатная. Время обработки равно 20 секунд. Процент выхода годных кристаллов составляет 98%.

Таким образом, предполагаемый способ по сравнению с прототипом обеспечивает полное удаление остатка окисла с поверхности обратной стороны кремниевой пластины перед напылением и способствует улучшению адгезии, благодаря которой увеличивается процент выхода годных кристаллов с 93 до 98%.

Литература

1. Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, М: «Высшая школа», 1986, с.177-178.

Похожие патенты RU2586266C2

название год авторы номер документа
СПОСОБ УДАЛЕНИЯ ОКИСЛА С ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН 2013
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Шахмаева Айшат Расуловна
  • Захарова Патимат Расуловна
RU2534444C2
СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПЕРЕД НАПЫЛЕНИЕМ ТИТАН-ГЕРМАНИЙ (Ti-Ge) 2020
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Шангереева Бийке Алиевна
  • Шахмаева Айшат Расуловна
  • Казалиева Эльмира
RU2786369C2
СПОСОБ ОБРАБОТКИ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ 2008
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Шахмаева Айшат Расуловна
  • Шангереева Бийке Алиевна
RU2376676C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕНСОРА ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ 2014
  • Елин Владимир Александрович
  • Меркин Михаил Моисеевич
  • Голубков Сергей Александрович
  • Литош Любовь Григорьевна
  • Русина Вера Анатольевна
RU2575939C1
СПОСОБЫ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПЛАСТИН ПЕРЕД НАНЕСЕНИЕМ ПОЛИИМИДА 2008
  • Шахмаева Айшат Расуловна
  • Шангереева Бийке Алиевна
RU2359357C1
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ КОНТАКТА К СТОКОВОЙ ОБЛАСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА 2013
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Шахмаева Айшат Расуловна
  • Захарова Патимат Расуловна
RU2534439C2
СПОСОБ ВЫЯВЛЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ДЕФЕКТОВ ДИСЛОКАЦИЙ 2009
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Шангереева Бийке Алиевна
  • Шахмаева Айшат Расуловна
RU2403648C1
СПОСОБ ОБРАБОТКИ КРЕМНИЕВОЙ ОСНАСТКИ 2008
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Шангереева Бийке Алиевна
  • Шахмаева Айшат Расуловна
RU2383965C1
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ КОНТАКТА К КОЛЛЕКТОРНОЙ ОБЛАСТИ КРЕМНИЕВОГО ТРАНЗИСТОРА 2013
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Шахмаева Айшат Расуловна
  • Захарова Патима Расуловна
  • Литовченко Мария Николаевна
RU2534449C2
СПОСОБ ПОСАДКИ КРЕМНИЕВОГО КРИСТАЛЛА НА ОСНОВАНИЕ КОРПУСА 2005
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Шахмаева Айшат Расуловна
  • Шангереева Бийке Алиевна
RU2375787C2

Реферат патента 2016 года СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПЛАСТИН ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ

Изобретение относится к технологии обработки поверхности полупроводниковых пластин, в частности к процессам очистки поверхности пластин между технологическими операциями, для изготовления солнечных элементов. Способ согласно изобретению заключается в том, что с поверхности пластин происходит полное удаление окисла в растворе состоящей из плавиковой кислоты и деионизованной воды, при комнатной температуре раствора. Процесс удаления окисла считается законченным, в том случае, когда раствор скатывается с поверхности обратной стороны кремниевой пластины. Реакция обработки поверхности кремниевой пластины протекает с большой скоростью, длительность процесса составляет не более 20 секунд. При этом не происходит ухудшения качества поверхности кремния. Предлагаемый способ обеспечивает удаление остатков окисла с поверхности обратной стороны перед напылением и способствует улучшению адгезии, благодаря которой увеличивается процент выхода годных кристаллов - 98%. 3 пр.

Формула изобретения RU 2 586 266 C2

Способ обработки поверхности пластин для формирования солнечных элементов, включающий травление кремния с полным удалением остатков окисла с поверхности обратной стороны кремниевой пластины, перед напылением обратной стороны, отличающийся тем, что в качестве травителя используется раствор, в состав которого входят фтористоводородная кислота и деионизованная вода, компоненты раствора выбираются в следующем соотношении:

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2016 года RU2586266C2

US4758525A, 19.07.1988
US7241700B1, 10.07.2007
СПОСОБ ПЕРВИЧНОГО ОТЖИГА ДЛЯ ОБРАБОТКИ КАРБИД-КРЕМНИЕВОЙ ТРУБЫ 2008
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Шангереева Бийке Алиевна
  • Шахмаева Айшат Расуловна
RU2376675C1
ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ СЭНДВИЧ-СТРУКТУРА 3С-SiC/Si, СПОСОБ ЕЕ ПОЛУЧЕНИЯ И ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ МЕМБРАННОГО ТИПА С ЕЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ 2008
  • Матузов Антон Викторович
  • Афанасьев Алексей Валентинович
  • Ильин Владимир Алексеевич
  • Кривошеева Александра Николаевна
  • Логинов Борис Борисович
  • Лучинин Виктор Викторович
  • Петров Александр Сергеевич
RU2395867C2
СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОДЛОЖЕК В ЖИДКОСТНОМ ТРАВИТЕЛЕ 2009
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Саркаров Таджидин Экберович
  • Шангереева Бийке Алиевна
  • Шахмаева Айшат Расуловна
RU2419175C2
Пароперегреватель для котлов с жаровыми прогарными трубами 1922
  • Чусов С.М.
SU1733A1
SU1830229A3, 10.12.2006.

RU 2 586 266 C2

Авторы

Исмаилов Тагир Абдурашидович

Шахмаева Айшат Расуловна

Шангереева Бийке Алиевна

Захарова Патимат Расуловна

Литовченко Мария Николаевна

Муртузалиев Азамат Ибрагимович

Даты

2016-06-10Публикация

2014-07-04Подача