Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки оснастки, применяемой для проведения окислительных и диффузионных процессов.
Известны травители для обработки кремния, сущность использования которых состоит в удалении примесей и различных загрязнений [1].
Основным недостатком этих способов является неполное удаление примесей и различных загрязнений с поверхности кремниевой оснастки и длительность процесса.
Техническим результатом изобретения является полное удаление остатков окисла и различных загрязнений с поверхности кремниевой оснастки и уменьшение длительности процесса обработок.
Технический результат достигается тем, что удаление загрязнений с кремниевых кассет и лодочек происходит за счет использования раствора, в состав которого входят фторид аммоний - NH4F, фтористоводородная кислота - HF и деионизованная вода - Н2O в соотношении 18:2,5:1. Длительность обработки составляет 20±10 минут. После обработки в растворе кремниевую оснастку промывают в деионизованной воде в течение 30±10 минут.
Сущность способа заключается в том, что кремниевые кассеты и лодочки подвергаются обработке в растворе, состоящем из фторида аммония, фтористоводородной кислоты и деионизованной воды, температура раствора комнатная. Процесс удаления различных загрязнений и примесей считается законченным в том случае, когда цвет индикаторной бумаги не изменяется. Обработку проводят при длительности процесса 20±10 минут.
Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.
ПРИМЕР 1. Процесс проводят на установке обработки кремниевой оснастки в растворе, состоящем из фторида аммония, фтористоводородной кислоты и деионизованной воды при соотношении компонентов:
NH4F:HF:H2O
19,5:2,8:1
Температура раствора комнатная. Длительность обработки составляет 30±10 минут.
После обработки в растворе кремниевую оснастку промывают в деионизованной воде при комнатной температуре в течение 30±10 минут.
Контроль осуществляется с помощью индикаторной бумаги.
ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке обработки кремниевой оснастки в растворе, состоящем из фторида аммония, фтористоводородной кислоты и деионизованной воды при соотношении компонентов:
NH4F:HF:Н2O
19:2,5:1
Температура раствора комнатная. Длительность обработки составляет 25±10 минут.
После обработки в растворе кремниевую оснастку промывают в деионизованной воде при комнатной температуре в течение 30±10 минут.
Контроль осуществляется с помощью индикаторной бумаги.
ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке обработки кремниевой оснастки в растворе, состоящем из фторида аммония, фтористоводородной кислоты и деионизованной воды при соотношении компонентов:
NH4F:HF:H2O
18:2,5:1
Температура раствора комнатная. Длительность обработки составляет 20±10 минут.
После обработки в растворе кремниевую оснастку промывают в деионизованной воде при комнатной температуре в течение 30±10 минут.
Контроль осуществляется с помощью индикаторной бумаги.
Способ согласно изобретению, см. пример 3, обеспечивает полное удаление окислов и различных загрязнений с кремниевой оснастки после высокотемпературных операций, уменьшение длительности и качества обработки кремниевой оснастки.
Литература
1. А.И.Курносов. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. - М.: «Высшая школа», 1980. - 86-88 с.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
РАСТВОР ДЛЯ ОБРАБОТКИ КАРБИД-КРЕМНИЕВОЙ ТРУБЫ | 2008 |
|
RU2377690C1 |
СПОСОБ ОБРАБОТКИ КВАРЦЕВОЙ ОСНАСТКИ | 2008 |
|
RU2366032C1 |
СПОСОБ ОЧИСТКИ КВАРЦЕВОЙ ТРУБЫ | 2013 |
|
RU2534446C2 |
СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОДЛОЖЕК В ЖИДКОСТНОМ ТРАВИТЕЛЕ | 2009 |
|
RU2419175C2 |
СПОСОБ ОЧИСТКИ КАРБИД-КРЕМНИЕВОЙ ТРУБЫ | 2013 |
|
RU2534388C2 |
СПОСОБ ОБРАБОТКИ КВАРЦЕВОЙ ОСНАСТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРОИЗВОДСТВА | 2009 |
|
RU2386188C1 |
СПОСОБ ОБРАБОТКИ КВАРЦЕВОЙ ОСНАСТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРОИЗВОДСТВА | 2009 |
|
RU2386189C1 |
СПОСОБ ПЕРВИЧНОГО ОТЖИГА ДЛЯ ОБРАБОТКИ КАРБИД-КРЕМНИЕВОЙ ТРУБЫ | 2008 |
|
RU2376675C1 |
Способ глубокой очистки поверхности кремниевых пластин | 2020 |
|
RU2750315C1 |
СПОСОБ ОБРАБОТКИ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ | 2008 |
|
RU2376676C1 |
Изобретение относится к способам обработки оснастки, применяемой для проведения окислительных и диффузионных процессов полупроводникового производства. Сущность изобретения: в способе обработки кремниевой оснастки обработку проводят в растворе, состоящем из фторида аммония, фтористоводородной кислоты и деионизованной воды при соотношении компонентов 18:2,5:1, при комнатной температуре в течение 20±10 минут, с последующей промывкой в деионизованной воде 30±10 минут. Техническим результатом изобретения является полное удаление остатков окисла и различных загрязнений с поверхности кремниевой оснастки и уменьшение длительности процесса.
Способ обработки кремниевой оснастки, включающий обработку кремниевой оснастки в растворе, состоящем из фторида аммония, фтористоводородной кислоты и деионизованной воды, отличающийся тем, что обработку проводят при соотношении компонентов фторида аммония (NH4F), фтористоводородной кислоты (HF) и деионизованной воды (Н2О) соответственно 18:2,5:1 при комнатной температуре, длительность составляет 20±10 мин, далее промывка в деионизованной воде 30±10 мин.
КУРНОСОВ А.И | |||
Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем | |||
- М.: Высшая школа, 1980, с.86-88 | |||
Панфилов Ю.В | |||
и др | |||
Оборудование производства интегральных микросхем и промышленные работы | |||
- М.: Радио и связь, 1988, с.48-50 | |||
СПОСОБ ОЧИСТКИ ОТ СТРУКТУРНЫХ ПРИМЕСЕЙ ИЗДЕЛИЙ ИЗ КВАРЦЕВОГО СТЕКЛА | 1990 |
|
SU1780274A1 |
Газовая смесь для очистки стеклянныхи КВАРцЕВыХ издЕлий | 1979 |
|
SU852815A1 |
Авторы
Даты
2010-03-10—Публикация
2008-07-17—Подача