УПРАВЛЯЕМЫЙ СВЕРХПРОВОДНИКОВЫЙ РЕЗИСТОР Российский патент 2009 года по МПК H01L39/02 

Изобретение относится к области криоэлектроники и может быть использовано в высокотемпературных сверхпроводниковых (ВТСП) схемах.

Известны устройства, позволяющие изменять сопротивление в цепи - переменные резисторы [1]. Такие устройства используют механические контакты движка и резистивной пленки, вследствие чего обладают повышенным уровнем шумов.

Наиболее близким техническим решением является переменный магниторезистор, содержащий полупроводниковый магниторезистивный элемент, сопротивление которого изменяется под действием магнитного поля (магниторезистивный эффект). Магнитное поле создается с помощью подвижного постоянного магнита [2, с.119-125].

К недостаткам известного устройства относятся большие габариты, необходимость механического перемещения магнита, низкая технологичность, изменение параметров или невозможность работы полупроводникового резистивного элемента при азотных температурах.

Техническим результатом изобретения является повышение качества управляемого резистора, уменьшение его габаритов и сложности, возможность автоматического управления и применения при азотных температурах.

Указанный технический результат достигается тем, что в известном устройстве в качестве резистивного элемента используют толстопленочную ВТСП дорожку, имеющую форму периодической функции. Управляющее магнитное поле создается током, протекающим по управляющей толстопленочной ВТСП дорожке, которая располагается параллельно и симметрично оси магниторезистивного элемента. Резистивная и управляющая дорожки находятся на изолирующей подложке и разделены изолирующей пленкой.

Устройство работает следующим образом. В отсутствие управляющего тока (магнитного поля) резистивная дорожка находится в сверхпроводящем состоянии, и ее сопротивление равно нулю. При пропускании управляющего тока им создается магнитное поле, индукция которого В определяется по известной формуле:

где µ₀ - магнитная постоянная;

I - управляющий ток;

r - расстояние от линии тока.

Если совместить ось абсцисс с серединой управляющей дорожки, то можно считать:

где y - величина ординаты точки;

h_d - толщина диэлектрика;

h_R - толщина резистивной дорожки.

Тогда:

При достижении управляющим током некоторой величины I_o на оси абсцисс над серединой управляющей дорожки магнитное поле достигнет критической величины

В_кр:

В резистивной дорожке над осью абсцисс возникнут области нормального состояния материала ВТСП, и дорожка приобретет некоторое сопротивление R₀. С ростом управляющего тока нормальные области будут расширяться, сопротивление дорожки - расти, пока вся резистивная дорожка не перейдет в нормальное состояние с сопротивлением R_m:

где ρ - удельное сопротивление материала ВТСП в нормальном состоянии;

l_m - длина резистивной дорожки;

b_R - ширина резистивной дорожки;

h_R - толщина резистивной дорожки.

Поскольку функция, описывающая форму резистивной дорожки, принята в виде периодической, можно записать:

где l₀ - длина одного периода резистивной дорожки;

n - общее число периодов дорожки.

Таким образом, при увеличении тока в управляющей дорожке от 0 до I_m сопротивление управляемого резистора возрастет от 0 до R_m. Зависимость R=f(I) будет определяться видом функции y=f(x).

Для случая 0<R<R_m длина резистивной дорожки находится в интервале 0<l<l_m. Здесь y>>h_d+h_R. В декартовых координатах x, y можно записать:

где x(y₁) - функция, обратная от y=f(x).

Величина

определяет расстояние от оси абсцисс, на котором В≥В_кр, и сверхпроводимость отсутствует при токе управления I₁. Тогда можно записать выражение:

Наиболее простым случаем является резистивная дорожка типа «меандр» (фиг.2), аналогичная синусоиде, где полуволны трансформированы в прямоугольники. Для этого случая, используя (7) и (8), можно записать выражения:

Выражение (11) показывает, что на участке I₀…I_m зависимость R(I) линейна. При

I>I_m в общее сопротивление включается сопротивление участков, параллельных оси x:

где d_R - длина полуволны меандра.

При дальнейшем увеличении тока изменения сопротивления не происходит.

Сопоставительный анализ признаков, изложенных в предложенном техническом решении, с признаками прототипа показывает, что заявляемый управляемый сверхпроводниковый резистор отличается от прототипа тем, что магниточувствительный резистивный элемент выполнен в форме меандра из толстопленочного ВТСП, управляющий элемент выполнен в виде параллельной толстопленочной ВТСП дорожки, расположенной вдоль и симметрично оси меандра и изолированной от него, а соотношения между параметрами устройства определяются выражением (11). Все это говорит о соответствии технического решения критерию «новизна».

Сравнение заявленного технического решения с другими техническими решениями в данной области техники показало, что управляемый сверхпроводниковый резистор, включающий резистивный элемент в виде толстопленочного ВТСП меандра и управляющий элемент в виде толстопленочной ВТСП дорожки, расположенной параллельно плоскости меандра и симметрично к его оси, соотношение параметров которых определяется выражением (11), неизвестен. Кроме того, совокупность существенных признаков вместе с ограничительным позволяет обнаружить у заявляемого решения иные в отличие от известных свойства, к числу которых можно отнести следующие:

- меньшие габариты;

- возможность автоматического управления;

- линейная характеристика;

- более высокая технологичность.

Таким образом, иные в отличие от известных свойства, присущие предложенному техническому решению, доказывают наличие существенных отличий, направленных на достижение технического результата.

На фиг.1 показан управляемый сверхпроводниковый резистор. На фиг.2 - одна волна магниторезистивного элемента в координатах x, y. На фиг.3 представлен график зависимости R(I) устройства.

Управляемый сверхпроводниковый резистор представляет собой подложку MgO (50×20×1 мм) 1, на которую наносили и вжигали по типовой толстопленочной технологии управляющий элемент - дорожку 2 (50×2×0,05 мм) из ВТСП YBa₂Cu₃O₇. Затем с помощью магнетронного распыления наносили изолирующий слой MgO (40×15 мм×10 нм) 3. Далее наносили и вжигали по типовой толстопленочной технологии магниторезистивный элемент - меандр 4 (n=4; d_R=5 мм; а_R=5 мм; b_R=1 мм;

h_R=0,05 мм), В_кр=0,1 мТл, ρ=1,2 Ом·м из ВТСП Bi₂Sr₂CaCu₂О₈. Повышая управляющий ток, получили область нормального состояния ВТСП 5 (фиг.2). Величина начального тока I₀ составила 26 мА; R₀=200 Ом; R_m=1,9 МОм; I_m=2 A; ΔR=0,8 МОм (фиг.3). График на фиг.3 показывает, что зависимость R(I) в широком диапазоне является линейной.

Источники информации

1. Зайцев Ю.В. Переменные резисторы. - М.: Энергия, 1974. - 360 с.

2. Мартюшков К.И., Тихонов А.И., Зайцев Ю.В. Прецизионные непроволочные резисторы. - М.: Энергия, 1979. - 192 с.

Изобретение относится к области криоэлектроники и может быть использовано в высокотемпературных сверхпроводниковых (ВТСП) схемах. Техническим результатом изобретения является повышение качества управляемого резистора, уменьшение его габаритов и сложности, возможность автоматического управления и применения при азотных температурах. Сущность изобретения: в управляемом сверхпроводниковом резисторе резистивный магниточувствительный элемент выполнен в форме меандра из толстопленочного высокотемпературного сверхпроводника, магнитный управляющий элемент выполнен в виде толстопленочной высокотемпературной сверхпроводящей дорожки, расположенной параллельно плоскости меандра, симметрично его оси и изолированно от него. При этом параметры устройства связаны между собой определенным соотношением. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

1. Управляемый сверхпроводниковый резистор, содержащий резистивный магниточувствительный и магнитный управляющий элементы, отличающийся тем, что резистивный магниточувствительный элемент выполнен в форме меандра из толстопленочного высокотемпературного сверхпроводника, магнитный управляющий элемент выполнен в виде толстопленочной высокотемпературной сверхпроводящей дорожки, расположенной параллельно и симметрично оси меандра и изолированной от него.

2. Управляемый сверхпроводниковый резистор по п.1, отличающийся тем, что соотношение между сопротивлением R, управляющим током I и другими параметрами резистора определяется из выражения

где n - число периодов меандра резистивного магниточувствительного элемента;
ρ - удельное сопротивление материала резистивного магниточувствительного элемента;
µ₀ - магнитная постоянная;
I - ток в магнитном управляющем элементе;
h_R - толщина дорожки резистивного магниточувствительного элемента;
b_R - ширина дорожки резистивного магниточувствительного элемента;
В_кр - индукция критического магнитного поля материала резистивного магниточувствительного элемента.