Состав полирующего травителя для химико-механической полировки теллурида кадмия-цинка Российский патент 2017 года по МПК C23F1/30 H01L21/306 

Описание патента на изобретение RU2627711C1

Изобретение относится к материаловедению, в частности к области обработки поверхности теллурида кадмия-цинка (КЦТ) ориентации (111) химико-механическим полирующим травлением.

При изготовлении полупроводниковых приборов качество антиотражающего покрытия (АОП), нанесенного на поверхность КЦТ, зависит от ее дефектности. Для улучшения адгезии на границе раздела КЦТ-АОП необходимо, чтобы перед проведением процесса нанесения АОП шероховатости поверхности были минимальны. Лучшим способом подготовки поверхности является полирующее химико-механическое травление.

Целью данного изобретения является улучшение состава травителя, которое позволяет вести процесс полирующего химико-механического травления для получения более равномерного съема материала по всей площади поверхности теллурида кадмия-цинка.

Процесс полирующего травления может иметь место только в случае гомогенности физико-химических свойств обрабатываемой поверхности. Для гомогенизации поверхности необходимо обеспечить условия, при которых скорость электронного обмена между гетерогенными в физико-химическом отношении точками поверхности будет больше или равна скорости электронного обмена между этими точками и реагентами (травителем) в растворе.

Согласно известным теориям эффект химического полирующего травления может быть достигнут при условии, если в процессе травления вблизи поверхности образуется вязкая пленка из продуктов растворения полупроводников. Этот тип пленки является гомогенной.

Поэтому на практике для достижения эффекта полирующего травления обычно используют концентрированные вязкие растворы, часто с добавками ингибиторов.

Процесс полирующего травления осуществляется за счет относительно малого содержания растворителя по сравнению с окислителем, то есть процесс растворения полупроводникового материала протекает в диффузионном режиме, при этом вблизи поверхности образуется вязкая пленка из продуктов растворения полупроводникового материала. Растворение полупроводникового материала в системе кислот зависит от стадии окисления поверхности и последующего растворения окисла (в заявляемом изобретении растворение теллурида кадмия-цинка происходит за счет появления активного атомарного кислорода в процессе реакций взаимодействия:

H2SO4+H2O2=H2SO5+H2O; H2SO5=H2SO4+2O*).

Для растворения образующихся на поверхности оксидов целесообразно добавлять в травитель комплексообразователь (в заявляемом изобретении функцию комплексообразователя выполняет этиленгликоль и глицерин). Различные многоосновные спирты (например, этиленгликоль, глицерин), благодаря высокой вязкости и малой константе ионизации, уменьшают скорость растворения, что очень важно при полирующем травлении. Таким образом, процессы растворения полупроводниковых материалов в области полирующих составов протекают по окислительно-гидротационному механизму.

В кислых растворах подавляется диссоциация органических веществ, которые являются комплексообразователями. Поэтому на практике для достижения эффекта полирующего травления подбирается пара: неорганическая кислота - комплексообразователь.

Прототипом данного изобретения является патент RU №2574459.

При использовании состава полирующего травителя по этому патенту съем материала по краю поверхности структуры был больше, чем по ее центру (фиг. 1), так как при травлении в продуктах реакции оставался окислитель и он взаимодействовал с полупроводниковым материалам по краям структуры.

Задача изобретения - улучшение химического состава для химико-механического полирующего травления теллурида кадмия-цинка, который обеспечивает полирующее травление с равномерным съемом материала по всей плоскости поверхности структуры при шероховатости поверхности в среднем не более 7 нм.

Задача решается за счет того, что состав для химико-механического полирующего травления теллурида кадмия-цинка представляет из себя систему из 7 об. частей H2SO4 (98%), 1 об. части H2O2 (30%), 1 об. части H2O, 3,5 об. частей этиленгликоля (чда), 3,5 об. частей глицерина (чда).

Основа состава для нашего травителя была взята из кремниевой технологии для окисления верхнего слоя кремниевых пластин - серная кислота и перекись водорода.

Серная кислота взаимодействуя с перекисью водорода образует пероксомоносерную кислоту (кислота Каро), которая является сильным окислителем:

H2SO4+H2O2=H2SO5+H2O.

Раствор этой кислоты не стабилен и разлагается по следующей реакции:

H2SO5(раствор)=H2SO4+2O*.

Активный кислород окисляет теллур, кадмий и цинк по следующим реакциям:

Те2+2O2*=2TeO2;

2Zn+O2*=2ZnO;

2Cd+O2*=2CdO.

Добавление дополнительной серной кислоты способствует растворению оксидов и выведению их из зоны реакции.

Взаимодействие серной кислоты с оксидами происходит по следующим реакциям:

ZnO+H2SO4=ZnSO4+H2O;

CdO+H2SO4=CdSO4+H2O.

К этой системе H2SO4-H2O2 добавили этиленгликоль и глицерин. Необходимость использования органических комплексообразователей (этиленгликоля и глицерина) обусловлена тем, что они являются многоосновными спиртами, имеют высокую вязкость и способствуют созданию условий, определяющих скорость травления, когда одной из стадий становится диффузионный режим.

Добавление этиленгликоля и глицерина, во-первых, увеличивают вязкость раствора, что способствует удержанию травителя на поверхности полировальника и улучшает смачиваемость поверхности образца и увеличивает продолжительность контакта травителя с пластиной.

Во-вторых, происходит реакция окисления этиленгликоля до диоксана:

и, в-третьих, продукты окисления глицерина окисляются диоксаном до щавелевой кислоты с разрывом химической связи углерод-углерод и исключают присутствие диоксана и участие его в дальнейших реакциях,

Образовавшаяся щавелевая кислота может вступать в реакцию с оксидами металлов, образуя растворимые соли.

Таким образом, процессы растворения полупроводниковых материалов в области полирующих составов протекают по окислительно-гидротационному механизму. В кислых растворах подавляется диссоциация органических веществ, которые являются комплексообразователями. Поэтому на практике для достижения эффекта полирующего травления подбирается пара: неорганическая кислота (серная кислота) - комплексообразователь (этиленгликоль-глицерин).

При соблюдении объемных соотношений 7 об. частей H2SO4 (98%), 1 об. части Н2О2 (30%), 1 об. части H2O, 3,5 об. частей этиленгликоля, 3,5 об. частей глицерина и скорости подачи травителя на полировальный диск 1 капля в 4 секунды обеспечивается равномерный съем материала по всей плоскости поверхности пластины (фиг. 2) и обеспечивается шероховатость поверхности не хуже чем 7 нм (патент RU №2574459 (фиг. 3)).

Таким образом, для осуществления полирующего травления состав отвечает следующим требованиям:

- процесс растворения полупроводникового материала протекает в диффузионном режиме, поэтому процесс полирования поверхности проходит с минимальной скоростью;

- за счет того что радиус кривизны неровностей при дуффузионном режиме намного меньше толщины диффузионного слоя, искривление растворяющейся поверхности не будет оказывать существенного влияния на скорость переноса вещества внутри диффузионного слоя, и шероховатость поверхности будет минимальна.

Каждый из перечисленных признаков необходим, а вместе они достаточны для решения задачи изобретения.

Технический результат изобретения заключается в получении высококачественной поверхности теллурида кадмия-цинка с равномерным съемом материала по всей поверхности пластины для улучшения качества нанесения АОП при изготовлении фотоэлектронных приборов.

Сущность изобретения: для полирующего травления используют раствор теллурида кадмия-цинка, имеющий содержание следующих компонентов, объемные доли: серная кислота (98%) - 7; перекись водорода (30%) - 1; вода - 1; этиленгликоль - 3,5, глицерин - 3,5.

В качестве примера осуществления изобретения приведем испытанный состав для химико-механического полирующего травления теллурида кадмия-цинка в составе следующих компонентов, объемные соотношения: серная кислота (98%) - 7; перекись водорода (30%) - 1; вода - 1; этиленгликоль - 3,5, глицерин - 3,5.

В качестве образцов использовались пластины теллурида кадмия-цинка ориентации (111). Наличие полирующего эффекта травления устанавливалось наблюдением поверхности образцов после химико-механического полирования методом профилограмм (DickTak) и методом атомно-силовой микроскопии (АСМ).

Предлагаемый состав травителя позволяет получать полирующий эффект на пластинах теллурида кадмия-цинка ориентации (111) с равномерным съемом материала всей площади поверхности.

Похожие патенты RU2627711C1

название год авторы номер документа
СОСТАВ ПОЛИРУЮЩЕГО ТРАВИТЕЛЯ ДЛЯ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОЙ ПОЛИРОВКИ ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ-ЦИНКА 2014
  • Кашуба Алексей Сергеевич
  • Лакманова Медина Рефатовна
  • Погожева Анна Владимировна
  • Захаров Эльмар Фазиевич
RU2574459C1
СОСТАВ ПОЛИРУЮЩЕГО ТРАВИТЕЛЯ ДЛЯ ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ-РТУТИ 2013
  • Кашуба Алексей Сергеевич
  • Пермикина Елена Вячеславовна
RU2542894C1
Способ выявления дислокаций различного типа в структурах теллурида кадмия-ртути с кристаллографической ориентацией (310) 2018
  • Кашуба Алексей Сергеевич
  • Пермикина Елена Вячеславовна
RU2676626C1
СПОСОБ НЕПРЕРЫВНОГО ЖИДКОСТНОГО ХИМИЧЕСКОГО СНЯТИЯ СЛОЕВ ПОЛИМЕРОВ С ПОВЕРХНОСТИ ИЗДЕЛИЙ, ПРЕИМУЩЕСТВЕННО ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН 1997
  • Хаханина Т.И.
  • Клюева Т.Б.
  • Селиванова И.Н.
  • Савельев В.А.
  • Красников Г.Я.
  • Ковалев А.А.
RU2139593C1
СПОСОБ КОНСЕРВАЦИИ ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖЕК ИЗ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ 2012
  • Безрядин Николай Николаевич
  • Арсентьев Иван Никитич
  • Котов Геннадий Иванович
  • Кузубов Сергей Вячеславович
  • Власов Юрий Николаевич
  • Кортунов Артур Вадимович
RU2494493C1
Состав селективного травителя для теллурида кадмия-ртути 2016
  • Кашуба Алексей Сергеевич
  • Пермикина Елена Вячеславовна
  • Петрова Полина Романовна
RU2619423C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЛАЗЕРНОЙ МИШЕНИ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ ТРУБКИ НА ОСНОВЕ МОНОКРИСТАЛЛА ПОЛУПРОВОДНИКА ТИПА AB 1992
  • Кацап В.Н.
  • Кузнецов П.И.
  • Садчихин А.В.
  • Харченко Т.П.
  • Цыганков В.В.
RU2032242C1
СПОСОБ ПРЕДЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ГЕРМАНИЕВОЙ ПОДЛОЖКИ 2013
  • Белоусов Виктор Сергеевич
  • Илларионов Владимир Викторович
  • Лапшина Анастасия Анатольевна
  • Спицына Надежда Никаноровна
  • Чеботарев Юрий Алексеевич
  • Чеботарева Анна Алексеевна
RU2537743C1
СПОСОБ ПРЕДЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ОБРАБОТКИ ПОДЛОЖЕК ИЗ ОКСИДОВ 1991
  • Яремчук Л.Е.
  • Аносова Т.А.
  • Сендерзон Е.Р.
  • Пугачев В.А.
RU2010044C1
СПОСОБ ОЧИСТКИ ИЗДЕЛИЙ, ПРЕИМУЩЕСТВЕННО ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН 1992
  • Хаханина Т.И.
  • Красавина Л.З.
  • Клюева Т.Б.
  • Шмелева Т.Б.
  • Красников Г.Я.
  • Карбаинов Ю.А.
RU2024993C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 627 711 C1

Реферат патента 2017 года Состав полирующего травителя для химико-механической полировки теллурида кадмия-цинка

Изобретение относится к обработке поверхности теллурида кадмия-цинка химико-механическим полирующим травлением. Предложенный состав включает серную кислоту, перекись водорода, воду, этиленгликоль и глицерин, при следующем соотношении компонентов, объемные доли: серная кислота (98%) – 7, перекись водорода (30%) – 1, вода – 1, этиленгликоль - 3,5, глицерин - 3,5. Изобретение обеспечивает полирующее травление теллурида кадмия-цинка с образованием однородной поверхности с шероховатостью в среднем не более 7 нм. 3 ил.

Формула изобретения RU 2 627 711 C1

Состав полирующего травителя для химико-механической полировки теллурида кадмия-цинка, включающий серную кислоту, перекись водорода, воду, этиленгликоль и глицерин, при следующем соотношении компонентов, объемные доли: серная кислота (98%) – 7, перекись водорода (30%) – 1, вода – 1, этиленгликоль - 3,5, глицерин - 3,5.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2017 года RU2627711C1

СОСТАВ ПОЛИРУЮЩЕГО ТРАВИТЕЛЯ ДЛЯ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОЙ ПОЛИРОВКИ ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ-ЦИНКА 2014
  • Кашуба Алексей Сергеевич
  • Лакманова Медина Рефатовна
  • Погожева Анна Владимировна
  • Захаров Эльмар Фазиевич
RU2574459C1
СОСТАВ ПОЛИРУЮЩЕГО ТРАВИТЕЛЯ ДЛЯ ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ-РТУТИ 2013
  • Кашуба Алексей Сергеевич
  • Пермикина Елена Вячеславовна
RU2542894C1
ТРАВИТЕЛЬ ДЛЯ ХИМИЧЕСКОГО ПОЛИРОВАНИЯ ПОДЛОЖЕК ИЗ ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ 1993
  • Дронов В.И.
RU2033658C1
СПОСОБ ПАССИВАЦИИ ПОВЕРХНОСТИ ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ - РТУТИ 1992
  • Косарев А.А.
RU2022401C1
JP 06125119 A, 06.05.1994.

RU 2 627 711 C1

Авторы

Лакманова Медина Рефатовна

Кашуба Алексей Сергеевич

Погожева Анна Владимировна

Даты

2017-08-10Публикация

2016-11-02Подача