Изобретение относится к устройствам для выращивания кристаллов из расплава на затравку.
Известен тигель для выращивания кристаллов из расплава на затравку [Ya-bu Shuichi. Apparatus and method for manufacturing single crystal. JP 2006219352 (A)] - прототип, в котором затравочная камера выполнена в виде глухого отверстия в хвостовике тигля, просверленного с внутренней стороны тигля.
Основной недостаток конструкции состоит в том, что в такой затравочной камере сложно размещать затравку, так как ее нужно вводить с внутренней стороны тигля. При большой глубине и небольшом внутреннем диаметре корпуса тигля установить затравку вручную становится невозможным и требуется специальное приспособление. Кроме того, такой тигель сложен в изготовлении - затравочная камера должна быть соосна с хвостовиком и корпусом тигля, а разметка и высверливание камеры возможны только внутри тигля. Сложным оказывается и извлечение кристалла, так как во многих реальных процессах роста кристаллов затравку может заклинить в затравочной камере. В результате кристалл при извлечении может оторваться от затравки, что приведет к образованию трещин и других повреждений.
Задачей настоящего изобретения является упрощение конструкции, позволяющее осуществлять разметку и высверливание затравочной камеры с наружной стороны тигля, установку затравки вручную независимо от размеров тигля, а также извлечение кристалла без отрыва от затравки.
Поставленная задача решается тем, что в известном тигле, состоящем из корпуса и хвостовика с затравочной камерой, затравочная камера выполнена в виде сквозного отверстия в хвостовике, закрытого пробкой, имеющей резьбовое соединение с хвостовиком.
Пример конкретного исполнения такого тигля показан на Фиг. 1 (сборочный чертеж) и Фиг. 2 (деталировка), где 1 - корпус тигля, 2 - хвостовик, 3 - затравочная камера, 4 - пробка.
Тигель работает следующим образом. Затравка помещается в затравочную камеру 3 со стороны хвостовика 2. Затем затравочная камера закрывается пробкой 4. В корпус тигля 1 помещается исходная загрузка для выращивания кристалла. Тигель устанавливается на шток ростовой установки и проводится процесс выращивания кристалла. По окончании процесса тигель извлекается из ростовой установки, пробка 4 выкручивается из хвостовика 2, а кристалл извлекается путем механического выталкивания его вместе с затравкой со стороны хвостовика (через затравочную камеру).
Предлагаемая конструкция тигля упрощает процесс разметки и высверливания затравочной камеры, так как эти работы могут быть выполнены со стороны хвостовика. Сквозная затравочная камера позволяет легко устанавливать затравку, например, вручную, независимо от высоты и внутреннего диаметра корпуса тигля, так как установка затравки производится со стороны хвостовика. Извлечение выращенного кристалла путем механического выталкивания его вместе с затравкой через затравочную камеру исключает отрыв кристалла от затравки.
Резьбовое соединение пробки 4 с хвостовиком 2 выбрано из соображений надежности крепления.
Тигель может быть использован в процессах роста кристаллов из расплава методами Бриджмена, вертикальной зонной плавки, температурного градиента, а также их модификациями.
Материал тигля может быть выбран в зависимости от свойств соединения, кристалл которого выращивается. Например, для халькогенидов цинка и кадмия, имеющих высокие температуры плавления (ZnS, CdS, ZnSe, CdSe), учитывая химическую агрессивность их расплавов и паров, можно использовать графит.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ВЕРТИКАЛЬНЫМ МЕТОДОМ БРИДЖМЕНА | 2019 |
|
RU2698830C1 |
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТРОЙНОГО СОЕДИНЕНИЯ ЦИНКА, ГЕРМАНИЯ И ФОСФОРА | 2023 |
|
RU2813036C1 |
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ-СЦИНТИЛЛЯТОРОВ НА ОСНОВЕ ИОДИДА НАТРИЯ ИЛИ ЦЕЗИЯ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ | 2006 |
|
RU2338815C2 |
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ МЕТОДОМ СИНЕЛЬНИКОВА-ДЗИОВА | 2016 |
|
RU2626637C1 |
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ | 2006 |
|
RU2320791C1 |
Тепловой узел установки для выращивания фторидных кристаллов с близкими температурами плавления методами вертикальной направленной кристаллизации | 2021 |
|
RU2778808C1 |
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ САПФИРОВЫХ ПОЛУСФЕРИЧЕСКИХ ЗАГОТОВОК | 1994 |
|
RU2078154C1 |
УСТАНОВКА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ МЕТОДОМ ОСЕВОГО ТЕПЛОВОГО ПОТОКА ВБЛИЗИ ФРОНТА КРИСТАЛЛИЗАЦИИ | 2007 |
|
RU2357021C1 |
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ВЕЩЕСТВ, ИМЕЮЩИХ ПЛОТНОСТЬ, ПРЕВЫШАЮЩУЮ ПЛОТНОСТЬ ИХ РАСПЛАВА | 2015 |
|
RU2600381C1 |
Способ очистки поверхности расплава при выращивании монокристаллов германия | 2017 |
|
RU2641760C1 |
Изобретение относится к устройствам для выращивания кристаллов на затравку методами Бриджмена, вертикальной зонной плавки, температурного градиента, а также их модификациями. Тигель состоит из корпуса 1 и хвостовика 2 с затравочной камерой 3, выполненной в виде сквозного отверстия в хвостовике, закрытого пробкой 4, имеющей резьбовое соединение с хвостовиком 2. Технический результат состоит в упрощении конструкции, позволяющем осуществлять разметку и высверливание затравочной камеры с наружной стороны тигля, установку затравки вручную независимо от размеров тигля, а также извлекать кристалл без отрыва от затравки. 2 ил.
Тигель для выращивания кристаллов из расплава на затравку, состоящий из корпуса и хвостовика с затравочной камерой, отличающийся тем, что затравочная камера выполнена в виде сквозного отверстия в хвостовике, закрытого пробкой, имеющей резьбовое соединение с хвостовиком.
JP 2006219352 A, 24.08.2006 | |||
0 |
|
SU153101A1 | |
RU 2005116975 A, 10.12.2006. |
Авторы
Даты
2020-03-11—Публикация
2019-09-16—Подача