СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КЕРАМИЧЕСКОГО ОСНОВАНИЯ С ТОНКОПЛЁНОЧНЫМИ МИКРОПОЛОСКОВЫМИ ЭЛЕМЕНТАМИ Российский патент 2020 года по МПК H05K3/10 H05K3/32 

Описание патента на изобретение RU2732485C1

Изобретение относится к электронной технике, в частности к технологии изготовления корпусов полупроводниковых приборов.

Известен способ изготовления металлокерамического корпуса, в котором к контактным площадкам из вожженной вольфрамовой пасты припаивают серебро-медным эвтектическим расплавом (или чистым серебром) выводные рамки [1].

Основным недостатком данного способа изготовления металлокерамического корпуса является то, что при металлизации пастой на основе тугоплавких металлов через сеткотрафарет невозможно получить размеры полосковых линий с повышенной точностью, а также СВЧ ток будет протекать по плохо проводящему переходному скин слою вольфрам-керамика и по самому вольфраму, что обуславливает отличие волнового сопротивления от требуемого на 10-15% и высокие потери СВЧ энергии в полосковых линиях. Обычно металлизация пастой на основе тугоплавких металлов имеет адгезию к керамике 4-6 кгс/ мм2 [2]. При ширине контактных площадок 0,25-0,5 мм и длине припаиваемых концов выводов 0,5 мм прочность присоединения выводов к корпусу на отрыв может составлять 0,5 кгс, что может служить причиной отрыва внешних выводов от собранного на основании прибора.

Известен способ изготовления металлокерамического корпуса для интегральной схемы, включающий нанесение на керамическое основание площадок металлизации на основе вольфрама, высокотемпературное вжигание металлизации, совмещение выводов рамки с металлизированными площадками и соединение их пайкой медно-серебряным припоем, при этом толщину слоя никеля устанавливают равной 5-15%, толщины выводов выводной рамки (Патент РФ №1716925, опубл. 09.01.1995 г.).

Также, как и в предыдущем техническом решении, основными недостатками данного корпуса являются причины, приведенные выше.

Известен способ изготовления корпуса интегральной схемы СВЧ диапазона, в котором на диэлектрической пластине пастой золото-палладий через сеткотрафарет формируют микрополосковые линии, на обратной стороне пастой золото-палладий формируют контактные площадки, через сквозные отверстия, заполненные припоем золото-кремний, соединяют микрополоски с контактными площадками, а выводы припаивают к контактным площадкам припоем золото-кремний (Патент РФ №2079931, опубл. 20.05.1997 г.).

Основным недостатком данного способа изготовления корпуса интегральной схемы СВЧ диапазона является низкая адгезия металлизации золото-палладий к керамике (не более 1,5 кгс/мм2), что предопределяет низкую прочность соединения с корпусом внешних выводов. У готового прибора вывод может оторваться от корпуса и при испытаниях, и при монтаже, и при эксплуатации прибора. Кроме того, как указывалось ранее, при металлизации пастой через сеткотрафарет невозможно получить размеры полосковых линий с повышенной точностью.

Техническим результатом предложенного способа является повышение СВЧ характеристик керамического основания и существенное повышение прочности присоединения внешних выводов.

Указанный технический результат обеспечивается тем, что в способе изготовления керамического основания с тонкопленочными микрополосковыми элементами, включающем формирование микрополосковых линий и контактных площадок, к которым припаивают выводы, контактные площадки выполняют из меди толщиной 1-3 мкм, на концы выводов, подлежащих пайке, осаждают гальванически серебро толщиной 2,5-8 мкм, которое вакуумным осаждением покрывают слоем титана толщиной 0,1-0,3 мкм, концы выводов прижимают к контактным площадкам и проводят термообработку в вакууме до полного перехода в припой меди контактной площадки и гальванически осажденного серебра на концах, подлежащих пайке.

Выбор толщины осаждаемой толщиной меди 1-3 мкм обусловлен тем, что при толщине меди менее 1 мкм при подготовке поверхности контактных площадок к пайке (обезжиривание, декапирование) медь частично стравливается и оставшейся меди может не хватить для обеспечения высокой прочности припайки выводов к керамической подложке, а осаждение меди толщиной более 3 мкм связано с повышенными энергетическим затратами, повышенным износом оборудования, например, с перегревом магнетрона.

Выбор толщины гальванически осажденного серебра 2,5-8 мкм связан с необходимостью полного перехода меди и серебра в расплав при термообработке. Если медь не перейдет полностью в расплав, то прочность присоединения вывода к керамике будет определяться только адгезией меди к керамике. Если серебро не перейдет полностью в расплав, то прочность присоединения вывода к керамике будет определяться только прочностью гальванического серебра к выводу. И то и другое ниже прочности пайки.

Выбор толщины осажденного титана 0,1-0,3 мкм обусловлен необходимостью обеспечения его количества в расплаве для получения припоя, смачивающего керамику. При указанных соотношениях меди и серебра большее количество титана не приводит к повышению прочности соединения выводов с керамикой, но обуславливает повышенные энергетические затраты и износ оборудования.

Были изготовлены корпуса (Фиг. 1), в которых на керамическое основание из поликора 1 с медными тонкопленочными микрополосками 2, 4 толщиной 1-3 мкм, к контактным площадкам которых припаяны серебряным припоем внешние выводы 3, 5 из никеля шириной 0,5 мм и толщиной 0,2 мм. На концы выводов (Фиг. 2), подлежащих припайке к контактным площадкам, осаждали гальванически слой серебра толщиной 1,5-10 мкм, поверх которого осаждали вакуумным напылением слой титана толщиной 0,05-0,5 мкм, концы выводов прижимали к контактным площадкам и нагревали в вакууме до полного перехода меди контактной площадки и гальванически осажденного серебра в припой. Температуру термообработки t, °С определяли исходя из соотношения количества меди и серебра по диаграмме (Фиг. 3) состояния медь-серебро [3]. На собранных керамических основаниях с тонкопленочными микрополосковыми элементами были проведены измерения усилия отрыва выводов Р от керамического основания. Результаты измерений представлены в таблице 1. Поскольку поперечное сечение вывода 0,1 мм2, а предел прочности на растяжение у никеля равен 45 кгс/мм2 [4], то в случаях пайки выводов в соответствии с изобретением, при приложении к ним отрывающего усилия, соединение выводов с керамикой не нарушалось. При усилии, превышающем предел прочности никеля, обрывался вывод. В случаях с недостаточным количеством меди или титана наблюдается голый отрыв паяного соединения от керамики без разрушения керамики в местах пайки. В случаях, когда осаждали слои титана 0,4-0,5 мкм какого-либо повышения качества и надежности соединения вывод-керамика не было.

Литература:

1. Максимов А. Многослойные металлокерамические корпуса: преимущества и особенности // Электроника Наука Технология Бизнес. - 2011. - №3. - С. 56-59.

2. Рот А. Вакуумные уплотнения. Пер. с англ. М.: «Энергия», 1971. - 151 с.

3. Фролов А.Д. Соединения в конструкциях радиотехнических изделий. - М. - Л.: Изд-во «Энергия», 1966 г. - 297 с.

4. Справочник металлиста. - М.: Изд-во «Машиностроение», 1976. - 448 с.

Похожие патенты RU2732485C1

название год авторы номер документа
Способ изготовления керамических плат для СВЧ монолитных интегральных схем 2022
  • Чупрунов Алексей Геннадьевич
  • Зайцев Александр Александрович
  • Сидоров Владимир Алексеевич
  • Гришаева Александра Сергеевна
RU2803667C1
Способ изготовления плат на основе нитрида алюминия с переходными отверстиями 2019
  • Савченко Евгений Матвеевич
  • Чупрунов Алексей Геннадьевич
  • Сидоров Владимир Алексеевич
  • Пронин Андрей Анатольевич
  • Попов Михаил Сергеевич
RU2704149C1
СПОСОБ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ПОДЛОЖКИ ИЗ АЛЮМОНИТРИДНОЙ КЕРАМИКИ 2014
  • Сидоров Владимир Алексеевич
  • Крымко Михаил Миронович
  • Катаев Сергей Владимирович
RU2558323C1
КОРПУС ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА 2009
  • Асессоров Валерий Викторович
  • Бражникова Тамара Ивановна
  • Кожевников Владимир Андреевич
  • Марченко Олег Васильевич
  • Пахомов Олег Николаевич
RU2405229C2
Способ изготовления теплоотвода полупроводникового прибора на основе CVD-алмаза 2022
  • Сидоров Владимир Алексеевич
  • Катаев Сергей Владимирович
  • Зайцев Александр Александрович
  • Сидоров Кирилл Владимирович
  • Чупрунов Алексей Геннадьевич
RU2793751C1
КОРПУС ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА СВЧ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ 2007
  • Ляпин Леонид Викторович
  • Лебедев Михаил Владимирович
  • Павлова Маргарита Анатольевна
  • Семенюк Сергей Степанович
  • Суслова Татьяна Семеновна
RU2351037C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МЕТАЛЛОКЕРАМИЧЕСКИХ КОРПУСОВ ТИПА ТО-220, ТО-247, ТО-254 2020
  • Сидоров Владимир Алексеевич
  • Чупрунов Алексей Геннадьевич
  • Катаев Сергей Владимирович
  • Пронин Андрей Анатольевич
  • Сидоров Кирилл Владимирович
RU2740006C1
ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА СВЧ-ДИАПАЗОНА 2010
  • Далингер Александр Генрихович
  • Шацкий Сергей Владимирович
  • Иовдальский Виктор Анатольевич
RU2450388C1
ИНТЕГРИРОВАННЫЙ БЛОК ДЛЯ СВЕТОДИОДНОГО СВЕТИЛЬНИКА И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ 2014
  • Павлов Владимир Вячеславович
  • Лазарев Сергей Вячеславович
RU2570652C1
ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА СВЧ 2020
  • Непочатов Юрий Кондратьевич
RU2803110C2

Иллюстрации к изобретению RU 2 732 485 C1

Реферат патента 2020 года СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КЕРАМИЧЕСКОГО ОСНОВАНИЯ С ТОНКОПЛЁНОЧНЫМИ МИКРОПОЛОСКОВЫМИ ЭЛЕМЕНТАМИ

Изобретение относится к электронной технике, в частности, к технологии изготовления корпусов полупроводниковых приборов. Технический результат - повышение СВЧ характеристик керамического основания и существенное повышение прочности присоединения внешних выводов. Достигается тем, что в способе изготовления керамического основания с тонкопленочными микрополосковыми элементами, включающем формирование микрополосковых линий и контактных площадок, к которым припаивают выводы, контактные площадки выполняют из меди толщиной 1-3 мкм. На концы выводов, подлежащих пайке, осаждают гальванически серебро толщиной 2,5-8 мкм, которое вакуумным осаждением покрывают слоем титана толщиной 0,1-0,3 мкм. Концы выводов прижимают к контактным площадкам и проводят термообработку в вакууме до полного перехода в припой меди контактной площадки и гальванически осажденного серебра на концах, подлежащих пайке. 3 ил., 1 табл.

Формула изобретения RU 2 732 485 C1

Способ изготовления керамического основания с тонкопленочными микрополосковыми элементами, включающий формирование микрополосковых линий и контактных площадок, к которым припаивают выводы, отличающийся тем, что контактные площадки выполняют из меди толщиной 1-3 мкм, на концы выводов, подлежащих пайке, осаждают гальванически серебро толщиной 2,5-8 мкм, которое вакуумным осаждением покрывают слоем титана толщиной 0,1-0,3 мкм, концы выводов прижимают к контактным площадкам и проводят термообработку в вакууме до полного перехода в припой меди контактной площадки и гальванически осажденного серебра на концах, подлежащих пайке.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2020 года RU2732485C1

КОРПУС ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ СВЧ-ДИАПАЗОНА 1992
  • Иовдальский В.А.
  • Мякиньков В.Ю.
RU2079931C1
RU 1716925 C, 09.01.1995
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ РАЗВОДКИ 1992
  • Самсоненко Б.Н.
  • Стрельцов В.С.
RU2054745C1
КОРПУС ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА 2009
  • Асессоров Валерий Викторович
  • Бражникова Тамара Ивановна
  • Кожевников Владимир Андреевич
  • Марченко Олег Васильевич
  • Пахомов Олег Николаевич
RU2405229C2
СПОСОБ МЕТАЛЛИЗАЦИИ КЕРАМИЧЕСКИХ ИЗДЕЛИЙ 2017
  • Непочатов Юрий Кондратьевич
  • Плетнев Петр Михайлович
  • Кумачева Светлана Аликовна
RU2665939C1
Токарный резец 1924
  • Г. Клопшток
SU2016A1

RU 2 732 485 C1

Авторы

Савченко Евгений Матвеевич

Сидоров Владимир Алексеевич

Пронин Андрей Анатольевич

Чупрунов Алексей Геннадьевич

Сидоров Кирилл Владимирович

Даты

2020-09-17Публикация

2019-12-27Подача