ЛИСТ ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКОЙ СТАЛИ С ОРИЕНТИРОВАННОЙ ЗЕРЕННОЙ СТРУКТУРОЙ Российский патент 2023 года по МПК C21D8/12 C21D9/46 C22C38/02 C22C38/06 C22C38/60 H01F1/147 

ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ, К КОТОРОЙ ОТНОСИТСЯ ИЗОБРЕТЕНИЕ

[0001]

Настоящее изобретение относится к листу электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой.

Приоритет испрашивается согласно японской патентной заявке: № 2019-170881, поданной 19 сентября 2019 г., содержание которой включено в настоящий документ посредством ссылки.

ПРЕДПОСЫЛКИ СОЗДАНИЯ ИЗОБРЕТЕНИЯ

[0002]

Лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой включает 0,5-7 мас.% Si, и его кристаллическая ориентация регулируется так, чтобы она была выровнена с направлением {110} <001> (ориентация Госса). Лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой используется в качестве мягкого магнитного материала для материала железного сердечника трансформаторов и другого электрического оборудования.

[0003]

В большинстве случаев лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой включает основной стальной лист, стеклянную пленку и изоляционное покрытие с натяжением. Стеклянная пленка формируется на основном стальном листе, а изоляционное покрытие с натяжением формируется на стеклянной пленке. За счет изоляционного покрытия с натяжением и стеклянной пленки изоляция между стальными листами увеличивается, и таким образом магнитная эффективность улучшается.

[0004]

Стеклянная пленка представляет собой оксид, который включает главным образом форстерит (Mg₂SiO₄) и способствует увеличению натяжения и изоляции. Стеклянная пленка также способствует увеличению адгезии изоляционного покрытия с натяжением к основному стальному листу. Соответственно, необходимо улучшить адгезию стеклянной пленки к основному стальному листу.

[0005]

Методики улучшения адгезии стеклянной пленки к основному стальному листу раскрыты в японской не прошедшей экспертизу патентной заявке первая публикация № 2012-214902 (патентный документ 1), японской не прошедшей экспертизу патентной заявке первая публикация № 2018-53346 (патентный документ 2), и японской не прошедшей экспертизу патентной заявке первая публикация № H11-61356 (патентный документ 3).

[0006]

В листе электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой, раскрытом в патентном документе 1, который включает 1,8-7 мас.% Si и который имеет на своей поверхности первичное покрытие, включающее главным образом форстерит, по меньшей мере один из Ce, La, Pr, Nd, Sc и Y включается в первичное покрытие, и масса покрытия составляет 0,001-1000 мг/м² на сторону.

[0007]

В листе электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой, раскрытом в патентном документе 2, доля площади пустот в поперечном сечении стеклянной пленки, сформированной между изоляционным покрытием и основным стальным листом, составляет 20% или меньше.

[0008]

В листе электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой, раскрытом в патентном документе 3, интенсивность пика Si, полученная с помощью эмиссионной спектроскопии тлеющего разряда на поверхности оксидной пленки, составляет 1/2 или больше от интенсивности пика Al, а глубина от поверхности оксидной пленки до положения пика Si составляет 1/10 или меньше относительно глубины от поверхности оксидной пленки до положения пика Al.

ДОКУМЕНТЫ ПРЕДШЕСТВУЮЩЕГО УРОВНЯ ТЕХНИКИ

ПАТЕНТНЫЕ ДОКУМЕНТЫ

[0009]

[Патентный документ 1] Японская не прошедшая экспертизу патентная заявка, Первая публикация № 2012-214902

[Патентный документ 2] Японская не прошедшая экспертизу патентная заявка, Первая публикация № 2018-53346

[Патентный документ 3] Японская не прошедшая экспертизу патентная заявка, Первая публикация № H11-61356

СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ

РЕШАЕМАЯ ТЕХНИЧЕСКАЯ ПРОБЛЕМА

[0010]

Хотя адгезия стеклянной пленки увеличивается в патентных документах 1-3, адгезия стеклянной пленки может быть улучшена за счет других особенностей.

[0011]

Настоящее изобретение было сделано с учетом вышеупомянутых ситуаций. Задачей настоящего изобретения является предложить лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой, обладающий превосходной адгезией стеклянной пленки.

РЕШЕНИЕ ПРОБЛЕМЫ

[0012]

Аспекты настоящего изобретения являются следующими.

(1) Лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой в соответствии с одним аспектом настоящего изобретения включает:

основной стальной лист;

стеклянную пленку, которая располагается на основном стальном листе; и

изоляционное покрытие с натяжением, которое располагается на стеклянной пленке,

причем средний химический состав основного стального листа и стеклянной пленки включает, в мас.%:

0,010% или меньше C;

2,5-4,0% Si,

0,01-1,00% Mn;

0,010% или меньше N;

0,010% или меньше растворимого Al;

0,005-0,030% нерастворимого Al;

0,05-0,20% Mg;

0,05-0,40% O;

0-0,020% Ti;

0,010% или меньше S;

0,030% или меньше P;

0-0,50% Sn;

0-0,50% Cr;

0-0,50% Cu;

0-0,0100% Bi;

0-0,020% Se;

0-0,50% Sb; и

остаток, состоящий из железа и примесей, и

когда спектры эмиссионной спектроскопии тлеющего разряда Al и Si измеряются с помощью эмиссионной спектроскопии тлеющего разряда от поверхности стеклянной пленки в направлении глубины,

когда Ts, являющееся временем начала анализа, рассматривается как поверхность стеклянной пленки,

когда T^Al_p рассматривается как время, при котором Al показывает максимальную интенсивность эмиссии,

когда F(T^Al_p) рассматривается как интенсивность эмиссии Al при T^Al_p,

когда T^Si_p рассматривается как время, при котором Si показывает максимальную интенсивность эмиссии,

когда F(T^Si_p) рассматривается как интенсивность эмиссии Al при T^Si_p,

значения Ts, T^Al_p, F(T^Al_p), T^Si_p и F(T^Si_p) удовлетворяют выражениям

0,05 ≤ F(T^Si_p) / F(T^Al_p) ≤ 0,50 и

2,0 ≤ (T^Al_p - Ts) / (T^Si_p - Ts) ≤ 5,0.

(2) В листе электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой в соответствии с п. (1)

толщина основного стального листа может составлять 0,17 мм или больше и меньше чем 0,22 мм.

(3) В листе электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой в соответствии с п. (1) или (2)

средний химический состав может включать , в мас.%, по меньшей мере один элемент, выбираемый из:

0,01-0,50% Cr;

0,01-0,50% Sn;

0,01-0,50% Cu;

0,0010-0,0100% Bi;

0,001-0,020% Se; и

0,01-0,50% Sb.

(4) В листе электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой в соответствии с любым из пп. (1) - (3),

когда спектры эмиссионной спектроскопии тлеющего разряда Al и Fe измеряются с помощью эмиссионной спектроскопии тлеющего разряда от поверхности стеклянной пленки в направлении глубины,

когда T^Al_p рассматривается как время, при котором Al показывает максимальную интенсивность эмиссии,

когда T^Fe₆₀ рассматривается как время, при котором интенсивность эмиссии Fe становится равной 60% по сравнению с величиной насыщения интенсивности эмиссии Fe, и

когда T^Fe₉₀ рассматривается как время, при котором интенсивность эмиссии Fe становится равной 90% по сравнению с величиной насыщения интенсивности эмиссии Fe,

значения T^Al_p, T^Fe₆₀ и T^Fe₉₀ могут удовлетворять выражению

T^Fe₆₀ ≤ T^Al_p ≤ T^Fe₉₀.

ПОЛЕЗНЫЕ ЭФФЕКТЫ ИЗОБРЕТЕНИЯ

[0013]

В соответствии с вышеописанными аспектами настоящего изобретения возможно обеспечить лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой, обладающий превосходной адгезией стеклянной пленки.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ

[0014]

Фиг. 1 показывает в перспективе лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой в соответствии с одним вариантом осуществления настоящего изобретения.

Фиг. 2 показывает в перспективе одну модификацию листа электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой в соответствии с вариантом осуществления.

Фиг. 3 представляет собой иллюстрацию, показывающую спектры эмиссионной спектроскопии тлеющего разряда Al и Si, полученные с помощью эмиссионной спектроскопии тлеющего разряда.

Фиг. 4 показывает в перспективе состояние, в котором изоляционное покрытие с натяжением удалено с листа электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой в соответствии с вариантом осуществления.

Фиг. 5 представляет собой блок-схему, показывающую пример процессов производства листа электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой в соответствии с вариантом осуществления.

ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ ПРЕДПОЧТИТЕЛЬНЫХ ВАРИАНТОВ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ

[0015]

Далее будет подробно описан один предпочтительный вариант осуществления настоящего изобретения. Однако, настоящее изобретение не ограничивается только конфигурацией, которая раскрыта в этом варианте осуществления, и возможны различные модификации, не отступающие от аспекта настоящего изобретения. В дополнение к этому, описываемый ниже ограничивающий диапазон включает свой нижний предел и свой верхний предел. Однако значение, выражаемое как «больше чем» или «меньше чем», не включается в этот диапазон. Если не указано иное, «%», относящийся к химическому составу, представляет собой «мас.%».

[0016]

Авторы настоящего изобретения провели исследование, чтобы улучшить адгезию стеклянной пленки к листу электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой, в котором химический состав основного стального листа (средний химический состав основного стального листа и стеклянной пленки) включает, в мас.%:

0,010% или меньше C;

2,5-4,0% Si,

0,01-1,00% Mn;

0,010% или меньше N;

0,010% или меньше растворимого Al;

0,005-0,030% нерастворимого Al;

0,05-0,20% Mg;

0,05-0,40% O;

0-0,020% Ti;

0,010% или меньше S;

0,030% или меньше P;

0-0,50% Sn;

0-0,50% Cr;

0-0,50% Cu;

0-0,0100% Bi;

0-0,020% Se;

0-0,50% Sb; и

остаток, состоящий из железа и примесей.

[0017]

Как было объяснено выше, даже в обычных методиках адгезия стеклянной пленки к листу электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой представляет собой проблему, которую необходимо решить. В обычных методиках, например, для улучшения адгезии стеклянной пленки применялся следующий подход.

(A) Адгезия стеклянной пленки увеличивается за счет регулировки сепаратора отжига.

(B) Адгезия стеклянной пленки увеличивается за счет управления морфологией SiO₂, образующегося на поверхности основного стального листа перед окончательным отжигом. В частности, адгезия стеклянной пленки увеличивается за счет управления морфологией SiO₂ с регулированием условий в процессе обезуглероживающего отжига.

[0018]

С другой стороны, авторы настоящего изобретения провели исследование по улучшению адгезии стеклянной пленки с помощью совершенно другого подхода по сравнению с обычными методиками. В результате исследования было установлено, что адгезия стеклянной пленки улучшается за счет локализации шпинели (MgAl₂O₄) вблизи границы раздела с основным стальным листом в стеклянной пленке. Авторы настоящего изобретения первыми обнаружили, что адгезия стеклянной пленки улучшается за счет локализации шпинели вблизи поверхности раздела.

[0019]

Подтвердить локализацию шпинели на границе раздела в стеклянной пленке можно следующим способом c использованием эмиссионной спектроскопии тлеющего разряда. В частности, изоляционное покрытие с натяжением удаляется, эмиссионная спектроскопия тлеющего разряда выполняется от поверхности стеклянной пленки в направлении глубины, а затем получаются спектры, показывающие интенсивность эмиссии Al и интенсивность эмиссии Si (GDS-спектр Al и GDS-спектр Si). Ts, которое является временем начала анализа, определяется как поверхность стеклянной пленки, T^Al_p определяется как время, при котором Al показывает максимальную интенсивность эмиссии в спектре GDS, F(T^Al_p) определяется как интенсивность эмиссии Al в момент времени T^Al_p, T^Si_p определяется как время, при котором Si показывает максимальную интенсивность эмиссии в спектре GDS, и F(T^Si_p) определяется как интенсивность эмиссии Al в момент времени T^Si_p (т.е. F(T^Si_p) определяется как интенсивность эмиссии Al в положении пика интенсивности эмиссии Si). Когда удовлетворяются следующие выражения (1) и (2), можно судить о достаточной локализации шпинели в стеклянной пленке вблизи границы раздела с основным стальным листом.

0,05≤F(T^Si_p) / F(T^Al_p)≤0,50 (выражение 1)

2,0≤(T^Al_p - Ts) / (T^Si_p - Ts)≤5,0 (выражение 2)

[0020]

Причина, по которой адгезия стеклянной пленки в листе электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой улучшается за счет локализации шпинели вблизи границы раздела, в частности, за счет выполнения выражения (1) и выражения (2), в настоящее время неясна. Однако, предполагается следующая причина. На поверхности основного стального листа образуются мелкие неровности. Когда шпинель локализуется в стеклянной пленке около границы раздела с основным стальным листом, шпинель внедряется в вогнутости неровностей поверхности основного стального листа. Таким образом, похоже, что шпинель действует как якорь, и адгезия стеклянной пленки к основному стальному листу улучшается. Механизм, отличающийся от вышеупомянутого механизма, может увеличивать адгезию стеклянной пленки к основному стальному листу. Однако, нижеприведенные примеры подтверждают, что когда выражение (1) и выражение (2) удовлетворяются, адгезия стеклянной пленки к основному стальному листу увеличивается.

[0021]

Лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой согласно варианту осуществления, полученному на основе вышеизложенного, имеет следующие особенности.

[0022]

Лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой в соответствии с вариантом осуществления включает:

основной стальной лист;

стеклянную пленку, которая располагается на основном стальном листе; и

изоляционное покрытие с натяжением, которое располагается на стеклянной пленке,

причем средний химический состав основного стального листа и стеклянной пленки включает, в мас.%:

0,010% или меньше C;

2,5-4,0% Si,

0,01-1,00% Mn;

0,010% или меньше N;

0,010% или меньше растворимого Al;

0,005-0,030% нерастворимого Al;

0,05-0,20% Mg;

0,05-0,40% O;

0-0,020% Ti;

0,010% или меньше S;

0,030% или меньше P;

0-0,50% Sn;

0-0,50% Cr;

0-0,50% Cu;

0-0,0100% Bi;

0-0,020% Se;

0-0,50% Sb; и

остаток, состоящий из железа и примесей, и

когда спектры эмиссионной спектроскопии тлеющего разряда Al и Si измеряются с помощью эмиссионной спектроскопии тлеющего разряда от поверхности стеклянной пленки в направлении глубины,

когда Ts, являющееся временем начала анализа, рассматривается как поверхность стеклянной пленки,

когда T^Al_p рассматривается как время, при котором Al показывает максимальную интенсивность эмиссии,

когда F(T^Al_p) рассматривается как интенсивность эмиссии Al при T^Al_p,

когда T^Si_p рассматривается как время, при котором Si показывает максимальную интенсивность эмиссии,

когда F(T^Si_p) рассматривается как интенсивность эмиссии Al при T^Si_p,

значения Ts, T^Al_p, F(T^Al_p), T^Si_p и F(T^Si_p) удовлетворяют выражениям

0,05 ≤ F(T^Si_p) / F(T^Al_p) ≤ 0,50 и

2,0 ≤ (T^Al_p - Ts) / (T^Si_p - Ts) ≤ 5,0.

[0023]

В стеклянной пленке вышеупомянутого листа электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой шпинель в достаточной степени локализуется около границы раздела между стеклянной пленкой и основным стальным листом. Таким образом, адгезия стеклянной пленки улучшается.

[0024]

Кроме того, в листе электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой толщина основного стального листа может составлять 0,17 мм или больше и меньше чем 0,22 мм.

[0025]

Кроме того, в листе электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой средний химический состав может включать, в мас.%, по меньшей мере один элемент, выбираемый из:

0,01-0,50% Cr;

0,01-0,50% Sn;

0,01-0,50% Cu;

0,0010-0,0100% Bi;

0,001-0,020% Se; и

0,01-0,50% Sb.

[0026]

Кроме того, в листе электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой,

когда спектры эмиссионной спектроскопии тлеющего разряда Al и Fe измеряются с помощью эмиссионной спектроскопии тлеющего разряда от поверхности стеклянной пленки в направлении глубины,

когда T^Al_p рассматривается как время, при котором Al показывает максимальную интенсивность эмиссии,

когда T^Fe₆₀ рассматривается как время, при котором интенсивность эмиссии Fe становится равной 60% по сравнению с величиной насыщения интенсивности эмиссии Fe, и

когда T^Fe₉₀ рассматривается как время, при котором интенсивность эмиссии Fe становится равной 90% по сравнению с величиной насыщения интенсивности эмиссии Fe,

значения T^Al_p, T^Fe₆₀ и T^Fe₉₀ могут удовлетворять выражению

T^Fe₆₀≤T^Al_p≤T^Fe₉₀.

[0027]

Далее будет подробно описан лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой в соответствии с настоящим вариантом осуществления.

[0028]

(Структура листа электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой)

Фиг. 1 показывает в перспективе лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой в соответствии с вариантом осуществления. Как показано на Фиг. 1, лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой 1 согласно варианту осуществления включает: основной стальной лист 10; стеклянную пленку 11; и изоляционное покрытие с натяжением 12. Стеклянная пленка 11 располагается на основном стальном листе 10. На Фиг. 1 стеклянная пленка 11 располагается на поверхности основного стального листа 10 и находится в прямом контакте с поверхностью основного стального листа 10. Изоляционное покрытие с натяжением 12 располагается на стеклянной пленке 11. На Фиг. 1 изоляционное покрытие с натяжением 12 располагается на поверхности стеклянной пленки 11 и находится в прямом контакте с поверхностью стеклянной пленки 11.

[0029]

На Фиг. 1 изоляционное покрытие с натяжением 12 и стеклянная пленка 11 формируются только на одной поверхности основного стального листа 10. Однако, как показано на Фиг. 2, изоляционное покрытие с натяжением 12 и стеклянная пленка 11 могут быть сформированы на обеих поверхностях основного стального листа 10.

[0030]

(Средний химический состав основного стального листа 10 и стеклянной пленки 11)

Химический состав основного стального листа 10 со стеклянной пленкой 11 после удаления изоляционного покрытия с натяжением 12 (средний химический состав основного стального листа 10 и стеклянной пленки 11) получается с помощью известного способа анализа состава. Например, способ анализа состава является следующим.

[0031]

Сначала изоляционное покрытие с натяжением 12 удаляется с листа 1 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой. В частности, лист 1 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой погружается в водный раствор гидроксида натрия, который включает 30-50 мас.% NaOH и 50-70 мас.% H₂O, с температурой 80-90°C на 7-10 мин. Стальной лист после погружения (основной стальной лист 10 со стеклянной пленкой 11 после удаления изоляционного покрытия с натяжением 12) промывается водой. Стальной лист после промывки сушится обдувом теплым воздухом в течение приблизительно менее 1 мин. за счет вышеописанной обработки изоляционное покрытие с натяжением 12 удаляется, и получается основной стальной лист 10 со стеклянной пленкой 11.

[0032]

Известный способ анализа состава выполняется для основного стального листа 10 со стеклянной пленкой 11 после удаления изоляционного покрытия с натяжением 12. В частности, основной стальной лист 10 со стеклянной пленкой 11 сверлится сверлом, и собирается получаемая при этом стружка. Эта стружка растворяется в кислоте, в результате чего получается раствор. Используя этот раствор, элементный анализ химического состава выполняется с помощью ICP-AES (атомный эмиссионный спектрометр с индуктивно сопряженной плазмой: спектрометрия/спектроскопия эмиссии индуктивно сопряженной плазмы).

[0033]

Si в химическом составе основного стального листа 10 со стеклянной пленкой 11 анализируется с помощью способа (способ количественного определения кремния), определенного в стандарте JIS G1212 (1997). В частности, при растворении вышеуказанной стружки в кислоте оксид кремния выпадает в виде осадка. Осадок (оксид кремния) фильтруется с помощью фильтровальной бумаги, и его масса измеряется для того, чтобы определить содержание Si.

[0034]

Содержание C и S анализируется с помощью известного способа сжигания (измерения поглощения в инфракрасной области спектра после сжигания). В частности, вышеупомянутый раствор сжигается с помощью высокочастотного индукционного нагрева в потоке кислорода, и образующиеся диоксид углерода и диоксид серы определяются для того, чтобы определить содержание C и содержание S.

[0035]

Содержание N анализируется с помощью известного термокондуктометрического способа после плавления в потоке инертного газа. Содержание O анализируется с помощью известного способа недисперсионного поглощения в инфракрасной области спектра после плавления в потоке инертного газа.

[0036]

С помощью вышеуказанных аналитических способов можно получить химический состав основного стального листа 10 со стеклянной пленкой 11 (средний химический состав основного стального листа 10 и стеклянной пленки 11).

[0037]

Лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой в соответствии с каждым вариантом осуществления включает в свой химический состав основные элементы, необязательные элементы по мере необходимости, а также остаток из Fe и примесей. В дальнейшем, если явно не указано иное, «%», относящийся к химическому составу, представляет собой «мас.%».

[0038]

0,010% или меньше C

Углерод (C) является необязательным элементом. C является существенным элементом для сляба, чтобы улучшить плотность магнитного потока. Однако C удаляется из стального листа в процессах производства листа электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой. Когда в среднем химическом составе остается более 0,010% C, C образует цементит (Fe₃C), даже если содержание других элементов находится внутри диапазона варианта осуществления, и тем самым магнитные потери в листе электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой ухудшаются. Таким образом, содержание С должно составлять 0,010% или меньше. Верхний предел содержания С предпочтительно составляет 0,006%, и более предпочтительно 0,003%. Предпочтительно, чтобы содержание C было настолько низким, насколько это возможно. Таким образом, содержание C может составлять 0%. Однако, чрезмерное уменьшение содержания C увеличивает производственные затраты. Таким образом, нижний предел содержания C предпочтительно составляет больше чем 0%, и более предпочтительно 0,001%.

[0039]

от 2,5 до 4,0% Si

Кремний (Si) является основным элементом. Si увеличивает электрическое сопротивление (удельное сопротивление) стального материала, и тем самым уменьшает магнитные потери в листе электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой. Когда содержание Si составляет менее 2,5%, во время окончательного отжига в стали происходит фазовое превращение, даже если содержание других элементов находится внутри диапазона варианта осуществления, и в результате вторичная рекристаллизация протекает в недостаточной степени. В результате вышеописанный эффект получается в недостаточной степени. С другой стороны, когда содержание Si составляет более 4,0%, стальной лист становится хрупким, даже если содержание других элементов находится внутри диапазона варианта осуществления, и тем самым проходимость во время производства значительно ухудшается. Таким образом, содержание Si должно составлять 2,5-4,0%. Нижний предел содержания Si предпочтительно составляет 2,8%, более предпочтительно 3,0%, и еще более предпочтительно 3,2%. Верхний предел содержания Si предпочтительно составляет 3,7%, более предпочтительно 3,6%, и еще более предпочтительно 3,5%.

[0040]

от 0,01 до 1,00% Mn

Mn (марганец) является основным элементом. Mn увеличивает удельное сопротивление листа электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой и тем самым уменьшает магнитные потери. Кроме того, Mn увеличивает горячую обрабатываемость и тем самым подавляет образование трещин при горячей прокатке. Кроме того, Mn связывается с S и/или Se и тем самым формирует тонкий MnS и/или тонкий MnSe. Тонкий MnS и/или тонкий MnSe становятся ядрами для выделения тонкого AlN, который действует как ингибитор. Когда выделившееся количество тонкого MnS и тонкого MnSe является достаточным, количество AlN становится достаточным. Когда содержание Mn составляет менее 0,01%, достаточное количество тонкого MnS и тонкого MnSe не выделяется, даже если содержание других элементов находится внутри диапазона варианта осуществления. С другой стороны, когда содержание Mn составляет более 1,00%, плотность магнитного потока и магнитные потери в листе электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой ухудшаются, даже если содержание других элементов находится внутри диапазона варианта осуществления. Таким образом, содержание Mn должно составлять 0,01-1,00%. Нижний предел содержания Mn предпочтительно составляет 0,02%, более предпочтительно 0,03%, и еще более предпочтительно 0,05%. Верхний предел содержания Mn предпочтительно составляет 0,70%, более предпочтительно 0,50%, более предпочтительно 0,30%, и еще более предпочтительно 0,10%.

[0041]

0,010% или меньше N

Азот (N) является необязательным элементом. N формирует AlN, который действует как ингибитор, связываясь с Al в процессах производства листа электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой. Таким образом, N представляет собой существенный элемент для сляба, который является материалом листа электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой. Однако N удаляется из стального листа в процессах производства листа электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой. Когда содержание N составляет больше чем 0,010% в среднем химическом составе, пузыри (пустоты) имеют тенденцию формироваться в чрезмерном количестве в стальном листе, даже если содержание других элементов находится внутри диапазона варианта осуществления. Пузыри вызывают дефекты покрытия, и изоляция листа электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой ухудшается. Таким образом, содержание N должно составлять 0,010% или меньше. Верхний предел содержания N предпочтительно составляет 0,008%, более предпочтительно 0,006%, и еще более предпочтительно 0,004%. Содержание N может составлять 0%. Однако чрезмерно уменьшить содержание N может быть затруднительным. Таким образом, нижний предел содержания N предпочтительно составляет 0,001%, и более предпочтительно 0,002%.

[0042]

0,010% или меньше растворимого Al

Кислоторастворимый алюминий (растворимый Al) является необязательным элементом. Растворимый Al формирует AlN, который действует как ингибитор, связываясь с N в процессах производства листа электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой. Однако когда содержание растворимого Al составляет более 0,010%, выделения на основе Al остаются в стальном листе, даже если содержание других элементов находится внутри диапазона варианта осуществления. В этом случае магнитные потери в листе электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой ухудшаются. Таким образом, содержание растворимого Al должно составлять 0,010% или меньше. Верхний предел содержания растворимого Al предпочтительно составляет 0,008%, и более предпочтительно 0,006%. Содержание растворимого Al может составлять 0%. Однако чрезмерно уменьшить содержание Al может быть затруднительным. Таким образом, нижний предел содержания Al предпочтительно составляет 0,001%, и более предпочтительно 0,002%. В варианте осуществления растворимый Al означает кислоторастворимый Al, и таким образом содержание растворимого Al означает количество кислоторастворимого Al.

[0043]

0,005-0,030% нерастворимого Al

Нерастворимый в кислоте алюминий (нерастворимый Al) является основным элементом. Нерастворимый Al получается главным образом из шпинели (MgAl₂O₄), образующейся в процессе окончательного отжига, который будет описан позже. Когда содержание нерастворимого Al составляет менее 0,005%, шпинель в достаточной степени включается в стеклянную пленку 11, даже если содержание других элементов находится внутри диапазона варианта осуществления, и поэтому адгезия стеклянной пленки 11 становится недостаточной. С другой стороны, когда содержание нерастворимого Al составляет более 0,030%, шпинель формируется в чрезмерном количестве, даже если содержание других элементов находится внутри диапазона варианта осуществления. В этом случае шпинель содержится в чрезмерном количестве не только на границе раздела между стеклянной пленкой 11 и основным стальным листом 10, но также и внутри стеклянной пленки 11. Когда шпинель содержится в чрезмерном количестве в стеклянной пленке 11, она вызывает трещины стеклянной пленки 11, и адгезия стеклянной пленки 11 ухудшается. Таким образом, содержание нерастворимого Al должно составлять 0,005-0,030%. Нижний предел содержания нерастворимого Al предпочтительно составляет 0,006%, более предпочтительно 0,007%, и еще более предпочтительно 0,010%. Верхний предел содержания нерастворимого Al предпочтительно составляет 0,027%, более предпочтительно 0,025%, и еще более предпочтительно 0,020%.

[0044]

Содержание растворимого Al и содержание нерастворимого Al могут быть получены следующим способом. Содержание растворимого Al получается с помощью способа количественного определения кислоторастворимого алюминия, основанного на стандарте JIS G1257-10-2:2013 (определение алюминия - определение кислоторастворимого алюминия). В дополнение к этому, содержание нерастворимого Al определяется как значение, получаемое путем вычитания вышеупомянутого содержания растворимого Al из полного содержания Al, которое получается с помощью способа определения полного количества алюминия, основанного на стандарте JIS G1257-10-1:2013 (определение алюминия - атомизация в пламени после разложения кислотами).

[0045]

0,05-0,20% Mg

Магний (Mg) является составляющим элементом (основным элементом) стеклянной пленки. Таким образом, содержание Mg может составлять 0,05-0,20%. Верхний предел содержания Mg предпочтительно составляет 0,18%, и более предпочтительно 0,16%. Нижний предел содержания Mg предпочтительно составляет 0,08%, и более предпочтительно 0,10%.

[0046]

0,05-0,40% O

Кислород (O) является составляющим элементом (основным элементом) стеклянной пленки. Таким образом, содержание О может составлять 0,05-0,40%. Верхний предел содержания О предпочтительно составляет 0,30%, и более предпочтительно 0,25%. Нижний предел содержания О предпочтительно составляет 0,10%, и более предпочтительно 0,15%.

[0047]

от 0 до 0,020% Ti

Титан (Ti) является необязательным элементом. Ti способствует формированию стеклянной пленки и предпочтительно обеспечивает адгезию покрытия. Таким образом, содержание Ti может составлять 0-0,020%. Верхний предел содержания Ti предпочтительно составляет 0,015%, и более предпочтительно 0,010%. Содержание Ti может составлять 0%. Однако нижний предел содержания Ti предпочтительно составляет 0,001%, более предпочтительно 0,003%, и еще более предпочтительно 0,005%.

[0048]

0,010% или меньше S

Сера (S) является необязательным элементом. Сера формирует тонкий MnS, который действует как ингибитор, связываясь с Mn в производственных процессах. Таким образом, S является существенным элементом для сляба. Однако S удаляется из стального листа в процессах производства листа электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой. Когда содержание S в среднем химическом составе составляет более 0,010%, MnS остается в основном стальном листе 10, даже если содержание других элементов находится внутри диапазона варианта осуществления, и тем самым магнитные потери ухудшаются. Таким образом, содержание S должно составлять 0,010% или меньше. Верхний предел содержания S предпочтительно составляет 0,008%, более предпочтительно 0,006%, и еще более предпочтительно 0,004%. Содержание S может составлять 0%. Однако чрезмерно уменьшить содержание S может быть затруднительным. Таким образом, нижний предел содержания S предпочтительно составляет 0,001%, и более предпочтительно 0,002%.

[0049]

0,030% или меньше P

Фосфор (P) является необязательным элементом. P уменьшает обрабатываемость стального листа во время прокатки. Когда содержание P составляет более 0,030%, обрабатываемость стального листа чрезмерно уменьшается, даже если содержание других элементов находится внутри диапазона варианта осуществления. Таким образом, содержание Р должно составлять 0,030% или меньше. Верхний предел содержания Р предпочтительно составляет 0,020%, и более предпочтительно 0,010%. Содержание P может составлять 0%. Однако чрезмерно уменьшить содержание Р может быть затруднительным. Таким образом, нижний предел содержания P предпочтительно составляет 0,001%. P улучшает текстуру, и за счет этого магнитные характеристики стального листа улучшаются. Для того, чтобы получить эти эффекты, нижний предел содержания P предпочтительно составляет 0,002%, и более предпочтительно 0,005%.

[0050]

Лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой согласно варианту осуществления может содержать примеси в своем среднем химическом составе. Примеси соответствуют элементам, которые привносятся во время промышленного производства листа электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой из руд и лома, которые используются в качестве сырья, из окружающей среды процесса производства, или которыми остаются в стали в результате неполного их удаления очищающим отжигом. Кроме того, примеси соответствуют элементам, которые разрешены в диапазоне, не оказывающем неблагоприятного воздействия на лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой согласно варианту осуществления.

[0051]

Лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой согласно варианту осуществления может включать в свой химический состав по меньшей мере один элемент, выбираемый из группы, состоящей из Cr, Sn, Cu, Bi, Se и Sb вместо части Fe, которое является остатком.

[0052]

от 0 до 0,50% Cr

Хром (Cr) является необязательным элементом. Таким образом, содержание Cr может составлять 0%. Когда Cr содержится, он улучшает адгезию стеклянной пленки 11 к основному стальному листу 10, как это происходит для Sn и Cu. Кроме того, Cr увеличивает степень выравнивания зерен к ориентации Госса. Когда содержится небольшое количество Cr, этот эффект может быть получен. Однако, когда содержание Cr составляет более 0,50%, Cr формирует оксиды Cr, даже если содержание других элементов находится внутри диапазона варианта осуществления, и в результате магнитные характеристики листа 1 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой ухудшаются. Таким образом, содержание Cr может составлять от 0 до 0,50%. Верхний предел содержания Cr предпочтительно составляет 0,40%, более предпочтительно 0,30%, еще более предпочтительно 0,20%, и наиболее предпочтительно 0,10%. Нижний предел содержания Cr предпочтительно составляет больше чем 0%, более предпочтительно 0,01%, еще более предпочтительно 0,03%, и наиболее предпочтительно 0,05%.

[0053]

от 0 до 0,50% Sn

Олово (Sn) является необязательным элементом. Таким образом, содержание Sn может составлять 0%. Когда Sn содержится, оно улучшает адгезию стеклянной пленки 11 к основному стальному листу 10, как это происходит для Cr и Cu. Когда содержится небольшое количество Sn, этот эффект может быть получен. Однако, когда содержание Sn составляет больше чем 0,50%, вторичная рекристаллизация становится нестабильной во время производства листа 1 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой, даже если содержание других элементов находится внутри диапазона варианта осуществления, и в результате магнитные характеристики листа 1 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой ухудшаются. Таким образом, содержание Sn может составлять от 0 до 0,50%. Нижний предел содержания Sn предпочтительно составляет больше чем 0%, более предпочтительно 0,01%, еще более предпочтительно 0,02%, и наиболее предпочтительно 0,03%.

[0054]

от 0 до 0,50% Cu

Медь (Cu) является необязательным элементом. Таким образом, содержание Cu может составлять 0%. Когда Cu содержится, она улучшает адгезию стеклянной пленки 11 к основному стальному листу 10, как это происходит для Cr и Sn. Когда содержится небольшое количество Cu, этот эффект может быть получен. Однако, когда содержание Cu составляет более 0,50%, горячая обрабатываемость во время производства листа 1 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой ухудшается, даже если содержание других элементов находится внутри диапазона варианта осуществления. Таким образом, содержание Cu может составлять от 0 до 0,50%. Нижний предел содержания Cu предпочтительно составляет больше чем 0%, более предпочтительно 0,01%, еще более предпочтительно 0,03%, и наиболее предпочтительно 0,05%. Верхний предел содержания Cu предпочтительно составляет 0,40%, более предпочтительно 0,30%, еще более предпочтительно 0,20%, и наиболее предпочтительно 0,10%.

[0055]

от 0 до 0,0100% Bi

Висмут (Bi) является необязательным элементом. Таким образом, содержание Bi может составлять 0%. Когда Bi содержится, он действует как ингибитор, так же как Se и Sb, и таким образом вторичная рекристаллизация делается стабильной во время производства листа 1 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой. В результате магнитные характеристики листа 1 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой улучшаются. Когда содержится небольшое количество Bi, этот эффект может быть получен. Однако, когда содержание Bi составляет более 0,0100%, адгезия стеклянной пленки 11 к основному стальному листу 10 ухудшается, даже если содержание других элементов находится внутри диапазона варианта осуществления. Таким образом, содержание Bi может составлять от 0 до 0,0100%. Нижний предел содержания Bi предпочтительно составляет больше чем 0%, более предпочтительно 0,0010%, и еще более предпочтительно 0,0020%. Верхний предел содержания Bi предпочтительно составляет 0,0090%, более предпочтительно 0,0070%, и еще более предпочтительно 0,0050%.

[0056]

от 0 до 0,020% Se

Селен (Se) является необязательным элементом. Таким образом, содержание Se может составлять 0%. Когда Se содержится, он действует как ингибитор, так же как Bi и Sb, и таким образом вторичная рекристаллизация делается стабильной во время производства листа 1 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой. В результате магнитные характеристики листа 1 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой улучшаются. Когда содержится небольшое количество Se, этот эффект может быть получен. Однако, когда содержание Se составляет более 0,020%, адгезия стеклянной пленки 11 к основному стальному листу 10 ухудшается, даже если содержание других элементов находится внутри диапазона варианта осуществления. Таким образом, содержание Se может составлять от 0 до 0,020%. Нижний предел содержания Se предпочтительно составляет больше чем 0%, более предпочтительно 0,001%, еще более предпочтительно 0,003%, и наиболее предпочтительно 0,005%. Верхний предел содержания Se предпочтительно составляет 0,015%, более предпочтительно 0,010%, и еще более предпочтительно 0,008%.

[0057]

от 0 до 0,50% Sb

Сурьма (Sb) является необязательным элементом. Таким образом, содержание Sb может составлять 0%. Когда Sb содержится, она действует как ингибитор, так же как Bi и Se, и таким образом вторичная рекристаллизация делается стабильной во время производства листа 1 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой. В результате магнитные характеристики листа 1 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой улучшаются. Когда содержится небольшое количество Sb, этот эффект может быть получен. Однако, когда содержание Sb составляет более 0,50%, адгезия стеклянной пленки 11 к основному стальному листу 10 ухудшается, даже если содержание других элементов находится внутри диапазона варианта осуществления. Таким образом, содержание Sb может составлять от 0 до 0,50%. Нижний предел содержания Sb предпочтительно составляет больше чем 0%, более предпочтительно 0,01%, еще более предпочтительно 0,03%, и наиболее предпочтительно 0,05%. Верхний предел содержания Sb предпочтительно составляет 0,40%, более предпочтительно 0,30%, еще более предпочтительно 0,20%, и наиболее предпочтительно 0,10%.

[0058]

Кроме того, в листе 1 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой согласно варианту осуществления предпочтительно, чтобы средний химический состав включал, в мас.%, по меньшей мере один элемент, выбираемый из группы, состоящей из:

0,01-0,50% Cr;

0,01-0,50% Sn;

0,01-0,50% Cu;

0,0010-0,0100% Bi;

0,001-0,020% Se; и

0,01-0,50% Sb.

[0059]

Как объяснялось выше, Cr, Sn и Cu благоприятно влияют на адгезию стеклянной пленки 11. Таким образом, средний химический состав может также содержать по меньшей мере один элемент, выбираемый из группы, состоящей из: 0,01-0,50% Cr; 0,01-0,50% Sn и 0,01-0,50% Cu. Кроме того, как объяснялось выше, Bi, Se и Sb благоприятно влияют на магнитные характеристики листа 1 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой. Таким образом, средний химический состав может также содержать по меньшей мере один элемент, выбираемый из группы, состоящей из: 0,0010-0,0100% Bi; 0,001-0,020% Se и 0,01-0,50% Sb.

[0060]

(Стеклянная пленка 11)

Стеклянная пленка 11 формируется на основном стальном листе 10. Стеклянная пленка 11 включает главным образом форстерит (Mg₂SiO₄). Для того, чтобы подтвердить существование стеклянной пленки 11 в листе электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой согласно варианту осуществления, может быть проведена рентгеновская дифракция на поверхности после удаления изоляционного покрытия с натяжением 12 вышеупомянутым способом, и полученный спектр рентгеновской дифракции может быть сопоставлен с PDF (файлом дифракции порошков). Форстерит (Mg₂SiO₄) может быть идентифицирован как JCPDS № 34-189. В варианте осуществления, когда основной составляющей фазой в вышеупомянутом спектре рентгеновской дифракции является форстерит, считается, что лист 1 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой включает стеклянную пленку 11.

[0061]

Например, количество форстерита в стеклянной пленке 11 может составлять 60,0 мас.% или больше.

[0062]

Толщина стеклянной пленки 11 особенно не ограничивается. Нижний предел толщины стеклянной пленки 11 предпочтительно составляет 1,0 мкм, и более предпочтительно 2,0 мкм. Верхний предел толщины стеклянной пленки 11 предпочтительно составляет 5,0 мкм, и более предпочтительно 4,0 мкм.

[0063]

(Изоляционное покрытие с натяжением 12)

Изоляционное покрытие с натяжением 12 формируется на стеклянной пленке 11. Изоляционное покрытие с натяжением 12 формируется как внешний слой для листа 1 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой, чтобы гарантировать электрическую изоляцию между листами 1 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой, которые ламинируются друг с другом, когда несколько листов 1 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой используются после их ламинирования.

[0064]

Для того, чтобы подтвердить наличие изоляционного покрытия с натяжением 12 в листе электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой согласно варианту осуществления, может быть проведен количественный анализ SEM-EDS внешнего слоя листа 1 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой для подтверждения химического состава. Например, когда результаты количественного анализа SEM-EDS удовлетворяют содержанию Fe менее 80 ат.%, содержанию P 5 ат.% или больше, содержанию Si менее 20 ат.%, содержанию O 50 ат.% или больше, и содержанию Mg 10 ат.% или меньше, исключая шум измерения, считается, что лист 1 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой включает изоляционное покрытие с натяжением 12.

[0065]

Например, изоляционное покрытие с натяжением 12 формируется путем нанесения раствора для изоляционного покрытия, включающего по меньшей мере одно из неорганических веществ, таких как хромат металла, фосфат металла, коллоидный кремнезем, политетрафторэтилен, соединение Zr и соединение Ti, и его запекания. Раствор для изоляционного покрытия может включать главным образом соединение фосфата. Например, раствор для изоляционного покрытия может включать соединение фосфата в количестве 80 мас.% или больше.

[0066]

В дополнение к соединению фосфата, раствор для формирования изоляционного покрытия с натяжением 12 может включать по меньшей мере одно вещество, выбираемое из группы, состоящей из коллоидного кремнезема и политетрафторэтилена. Например, соединение фосфата представляет собой фосфат натрия, фосфат алюминия, фосфат магния и т.п.

[0067]

Толщина изоляционного покрытия с натяжением 12 особенно не ограничивается. Нижний предел толщины стеклянной пленки 12 предпочтительно составляет 0,1 мкм, и более предпочтительно 0,5 мкм. Верхний предел толщины стеклянной пленки 12 предпочтительно составляет 10,0 мкм, и более предпочтительно 5,0 мкм.

[0068]

(Степень локализации шпинели (MgAl₂O₄) в стеклянной пленке 11)

В листе 1 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой согласно варианту осуществления шпинель (MgAl₂O₄) локализуется около границы с основным стальным листом 10 в стеклянной пленке 11. В частности, эмиссионная спектроскопия тлеющего разряда проводится от поверхности стеклянной пленки 11 в направлении глубины после удаления изоляционного покрытия с натяжением 12, и измеряются спектры, показывающие интенсивность эмиссии Al и интенсивность эмиссии Si (GDS-спектр Al и GDS-спектр Si). Ts, которое является временем начала анализа, определяется как поверхность стеклянной пленки, T^Al_p определяется как время, при котором Al показывает максимальную интенсивность эмиссии в спектре GDS, F(T^Al_p) определяется как интенсивность эмиссии Al в момент времени T^Al_p (в частности, максимальная интенсивность эмиссии Al), T^Si_p определяется как время, при котором Si показывает максимальную интенсивность эмиссии в спектре GDS, и F(T^Si_p) определяется как интенсивность эмиссии Al в момент времени T^Si_p (т.е. F(T^Si_p) определяется как интенсивность эмиссии Al в положении пика интенсивности эмиссии Si). Ts, T^Al_p, F(T^Al_p), T^Si_p и F(T^Si_p) удовлетворяют выражению (1) и выражению (2).

0,05 ≤ F(T^Si_p) / F(T^Al_p) ≤ 0,50 (выражение 1)

2,0 ≤ (T^Al_p - Ts) / (T^Si_p - Ts) ≤ 5,0 (выражение 2)

[0069]

Далее объясняются выражение (1) и выражение (2).

[0070]

(Выражение (1))

В листе 1 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой согласно варианту осуществления шпинель (MgAl₂O₄) распределяется в стеклянной пленке 11 в направлении ее толщины, и распределение шпинели имеет пик около границы с основным стальным листом 10 в стеклянной пленке 11. В частности, GDS-спектр Al имеет пик около границы с основным стальным листом 10 в стеклянной пленке 11. В листе 1 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой согласно варианту осуществления, поскольку пик GDS-спектра Al около границы между стеклянной пленкой 11 и основным стальным листом 10 становится острым, считается, что шпинель локализуется около границы между стеклянной пленкой 11 и основным стальным листом 10.

[0071]

Фиг. 3 показывает спектры эмиссии Al и Si (GDS-спектры Al и Si) в случае, когда Ts, являющееся временем начала анализа, рассматривается как поверхность стеклянной пленки 11, по горизонтальной оси откладывается время анализа (в секундах), а по вертикальной оси - интенсивность эмиссии (интенсивность GDS) (в произвольных единицах). Время Ts, время T^Al_p, интенсивность эмиссии F(T^Al_p), время T^Si_p, и интенсивность эмиссии F(T^Si_p), показанные на Фиг. 3, определяются следующим образом.

[0072]

Время начала анализа Ts

В эмиссионном спектре тлеющего разряда время Ts, которое является временем начала анализа, определяется как поверхность стеклянной пленки 11.

[0073]

Время T^Al_p

Эмиссионная спектроскопия тлеющего разряда проводится от поверхности стеклянной пленки 11 в направлении глубины после удаления изоляционного покрытия с натяжением 12 с листа 1 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой, и измеряется эмиссионный спектр Al (GDS-спектр Al), показывающий соотношение между временем анализа и интенсивностью эмиссии Al, когда Ts, являющееся временем начала анализа, рассматривается как поверхность стеклянной пленки 11. В настоящем документе время анализа соответствует глубине от поверхности стеклянной пленки 11. Для полученного GDS-спектра Al подтверждается максимальное значение интенсивности эмиссии и время, соответствующее этому максимальному значению. Подтвержденное время определяется как время T^Al_p. В частности, время T^Al_p соответствует положению глубины (положению глубины от поверхности стеклянной пленки 11), в котором концентрация Al (интенсивность GDS Al) имеет пик.

[0074]

Интенсивность эмиссии F(T^Al_p)

Максимальное значение интенсивности эмиссии Al в спектре Al (GDS-спектре Al), а именно максимальная интенсивность эмиссии Al в момент времени T^Al_p, определяется как F(T^Al_p).

[0075]

Время T^Si_p

Эмиссионная спектроскопия тлеющего разряда проводится от поверхности стеклянной пленки 11 в направлении глубины после удаления изоляционного покрытия с натяжением 12 с листа 1 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой, и измеряется эмиссионный спектр Si (GDS-спектр Si), показывающий соотношение между временем анализа и интенсивностью эмиссии Si, когда Ts, являющееся временем начала анализа, рассматривается как поверхность стеклянной пленки 11. Как было объяснено выше, время анализа соответствует глубине от поверхности стеклянной пленки 11. Для полученного GDS-спектра Si подтверждается максимальное значение интенсивности эмиссии и время, соответствующее этому максимальному значению. Подтвержденное время определяется как время T^Si_p. В частности, время T^Si_p соответствует положению глубины (положению глубины от поверхности стеклянной пленки 11), в котором концентрация Si (интенсивность GDS Si) имеет пик.

[0076]

Интенсивность эмиссии F(T^Si_p)

Интенсивность эмиссии Al в момент времени T^Si_p в спектре Al (GDS-спектре Al) определяется как F(T^Si_p).

[0077]

Главным компонентом стеклянной пленки 11 является форстерит (Mg₂SiO₄). Таким образом, GDS-спектр Si имеет пик в центре стеклянной пленки 11 в направлении глубины. В частности, время T^Si_p соответствует положению центра стеклянной пленки 11 в направлении глубины. Другими словами, F(T^Si_p) представляет концентрацию Al в положении центра стеклянной пленки 11 в направлении глубины.

[0078]

Определяется, что F1=F(T^Si_p) / F(T^Al_p). F1 представляет собой отношение максимальной концентрации Al (F(T^Al_p)) в стеклянной пленке 11 к типичной концентрации Al F(T^Si_p)) в области, не содержащей положения пика концентрации Al в стеклянной пленке 11. F1 представляет собой индекс, показывающий степень локализации шпинели в стеклянном покрытии 11.

[0079]

Когда F1 составляет менее 0,05, шпинель образуется в чрезмерном количестве около границы с основным стальным листом 10 в стеклянной пленке 11. Шпинель, которая локализуется около границы с основным стальным листом 10, увеличивает адгезию покрытия. Однако, когда количество локализованной шпинели является чрезмерным, гладкость границы между стеклянной пленкой 11 и основным стальным листом 10 ухудшается (другими словами, увеличивается шероховатость). В результате, даже когда значение F2, которое будет объяснено ниже, удовлетворяет выражению (2), магнитные характеристики ухудшаются.

[0080]

С другой стороны, когда F1 составляет более 0,50, шпинель присутствует не около границы с основным стальным листом 10 в стеклянной пленке 11, а внутри стеклянной пленки 11. Альтернативно, хотя шпинель присутствует около границы с основным стальным листом 10 в стеклянной пленке 11, количество сформированной шпинели является недостаточным. В этом случае адгезия покрытия стеклянной пленки 11 к основному стальному листу 10 ухудшается.

[0081]

Когда F1 составляет 0,05-0,50, другими словами, когда F1 удовлетворяет выражению (1), подходящее количество шпинели присутствует около границы с основным стальным листом 10 в стеклянной пленке 11. Таким образом, при условии удовлетворения выражения (2) адгезия покрытия стеклянной пленки 11 к основному стальному листу 10 улучшается.

[0082]

(Выражение (2))

Определяется, что F2=(T^Al_p - Ts) / (T^Si_p - Ts). Как показано на Фиг. 3, F2 представляет собой соотношение между положением пика концентрации Al и положением пика концентрации Si (в частности, положением центра стеклянной пленки 11 в направлении глубины). F2 представляет собой индекс, показывающий локализованное положение шпинели в стеклянной пленке 11.

[0083]

Когда F2 составляет менее 2,0, положение пика концентрации Al располагается внутри стеклянной пленки 11, а не около границы с основным стальным листом 10 в стеклянной пленке 11. В частности, шпинель не локализуется около границы с основным стальным листом 10, а присутствует в стеклянной пленке 11. В этом случае F1 также превышает верхний предел выражения (1), и в результате адгезия стеклянной пленки 11 к основному стальному листу 10 ухудшается. С другой стороны, когда F2 составляет более 5,0, количество сформированной стеклянной пленки 11 является недостаточным по сравнению с количеством образовавшейся шпинели. Другими словами, стеклянная пленка 11 утончается. В этом случае, даже когда F1 удовлетворяет выражению (1), натяжение стеклянной пленки 11, которое требуется для измельчения магнитных доменов, уменьшается. В результате магнитные потери ухудшаются, и адгезия покрытия также ухудшается.

[0084]

В настоящее время подробная причина, по которой адгезия стеклянной пленки 11 к основному стальному листу 10 улучшается, когда подходящее количество шпинели формируется около границы с основным стальным листом 10 в стеклянной пленке 11, неясна. Однако предполагается следующая причина. На поверхности основного стального листа 10 образуются мелкие неровности. Когда шпинель локализуется в стеклянной пленке 11 около границы раздела с основным стальным листом 10, шпинель внедряется в вогнутости неровностей поверхности основного стального листа 10. Таким образом, похоже, что шпинель действует как якорь, и адгезия стеклянной пленки 11 к основному стальному листу 10 улучшается. Механизм, отличающийся от вышеупомянутого механизма, может увеличивать адгезию стеклянной пленки 11 к основному стальному листу 10. Однако нижеприведенные примеры подтверждают, что когда F1 удовлетворяет выражению (1), и F2 удовлетворяет выражению (2), адгезия стеклянной пленки 11 к основному стальному листу 10 увеличивается.

[0085]

(Способ получения F1 и F2)

Значения F1 и F2 могут быть получены следующим способом. Сначала из центральной области листа 1 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой в поперечном направлении TD берется образец, размер которого составляет 30 мм в направлении прокатки RD, 40 мм в поперечном направлении TD, а толщина равна толщине листа 1 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой. Изоляционное покрытие с натяжением 12 удаляется с вышеупомянутого образца. В частности, лист 1 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой погружается в водный раствор гидроксида натрия, который включает 30-50 мас.% NaOH и 50-70 мас.% H₂O, с температурой 80-90°C на 7-10 мин. Стальной лист после погружения (основной стальной лист 10 со стеклянной пленкой 11 после удаления изоляционного покрытия с натяжением 12) промывается водой. Стальной лист после промывки сушится обдувом теплым воздухом в течение приблизительно менее 1 мин. С помощью вышеуказанной обработки получается образец с основным стальным листом 10 и стеклянной пленкой 11, и без изоляционного покрытия с натяжением 12, показанный на Фиг. 4.

[0086]

Эмиссионная спектроскопия тлеющего разряда (GDS) проводится от поверхности стеклянной пленки 11 образца в направлении глубины, и измеряются спектры эмиссии (GDS-спектры) Al и Si. В частности, используя высокочастотный эмиссионный спектроскоп тлеющего разряда (GD-ODS), GDS-спектры Al и Si в направлении глубины на стеклянной пленке 11 измеряются при условиях подачи электроэнергии с мощностью 30 Вт к образцу в качестве катода в атмосфере аргона (давление Ar: 3 гПа). Площадь измерения составляет 4 мм φ, время измерения составляет 100 с, а интервал измерения составляет 0,02 с.

[0087]

Предпочтительно, чтобы значения F1 и F2 получались после сглаживания измеренного GDS-спектра. Например, в качестве способа сглаживания GDS-спектра может использоваться простой способ скользящего среднего значения.

[0088]

Из полученного GDS-спектра Al TAlp измеряются значения T^Al_p, т.е. времени, при котором наблюдается максимальная интенсивность эмиссии Al, и F(T^Al_p), т.е. интенсивность эмиссии Al в момент времени T^Al_p.

[0089]

Кроме того, из полученного GDS-спектра Si измеряется значение T^Si_p, т.е. времени, при котором наблюдается максимальная интенсивность эмиссии Si. После этого из GDS-спектра Al измеряется значение F(T^Si_p), т.е. интенсивность эмиссии Al в момент времени T^Si_p. Анализ начинается в момент времени Ts. С использованием времени Ts получаются значения T^Al_p, F(T^Al_p), T^Si_p, F(T^Si_p), F1 и F2.

[0090]

В листе 1 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой согласно варианту осуществления значение F1 удовлетворяет выражению (1), а значение F2 удовлетворяет выражению (2). Таким образом, подходящее количество шпинели локализуется около границы с основным стальным листом 10 в стеклянной пленке 11, и в результате адгезия стеклянной пленки 11 к основному стальному листу 10 увеличивается.

[0091]

Когда F1 удовлетворяет выражению (1), и F2 удовлетворяет выражению (2), можно судить о том, что шпинель локализована вблизи границы раздела с основным стальным листом 10 в стеклянной пленке 11.

[0092]

Кроме того, судить о том, локализована ли шпинель вблизи поверхности раздела с основным стальным листом 10 в стеклянной пленке 11, можно по следующему признаку.

[0093]

Когда спектры Al и Fe измеряются с помощью эмиссионной спектроскопии тлеющего разряда от поверхности стеклянной пленки в направлении глубины,

когда T^Al_p рассматривается как время, при котором Al показывает максимальную интенсивность эмиссии,

когда T^Fe₆₀ рассматривается как время, при котором интенсивность эмиссии Fe становится равной 60% по сравнению с величиной насыщения интенсивности эмиссии Fe, и

когда T^Fe₉₀ рассматривается как время, при котором интенсивность эмиссии Fe становится равной 90% по сравнению с величиной насыщения интенсивности эмиссии Fe,

значения T^Al_p, T^Fe₆₀ и T^Fe₉₀ могут удовлетворять выражению

T^Fe₆₀≤T^Al_p≤T^Fe₉₀ (выражение 3)

[0094]

Когда выражение (3) удовлетворяется в дополнение к выражению (1) и выражению (2), можно судить о том, что шпинель локализована около границы с основным стальным листом 10 в стеклянной пленке 11, что является предпочтительным. Вышеупомянутая «величина насыщения интенсивности эмиссии Fe» может рассматриваться, например, как интенсивность эмиссии Fe через 100 с после начала измерения эмиссионной спектроскопии тлеющего разряда.

[0095]

(Способ производства)

Далее в качестве примера поясняется способ производства листа электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой согласно варианту осуществления. В листе 1 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой согласно варианту осуществления, если вышеупомянутые особенности имеют место, способ производства особенно не ограничивается. Следующий способ производства является примером производства листа 1 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой согласно варианту осуществления, и является предпочтительным примером производства листа 1 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой согласно варианту осуществления.

[0096]

(Последовательность процессов производства)

Фиг. 5 представляет собой блок-схему, показывающую способ производства листа 1 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой согласно варианту осуществления. Как показано на Фиг. 5, способ производства включает : (S1) процесс горячей прокатки сляба, (S2) процесс отжига горячекатаного стального листа после горячей прокатки; (S3) процесс холодной прокатки (S30) один или несколько раз стального листа после отжига горячекатаного стального листа; (S4) процесс обезуглероживающего отжига стального листа (холоднокатаного стального листа) после холодной прокатки; (S5) процесс нанесения сепаратора отжига на поверхность стального листа после обезуглероживающего отжига; (S6) процесс окончательного отжига стального листа после нанесения сепаратора отжига для того, чтобы сформировать стеклянную пленку; и (S7) процесс формирования изоляционного покрытия с натяжением для стального листа после окончательного отжига. Далее объясняется каждый процесс S1 - S7.

[0097]

(Процесс (S1) горячей прокатки)

В процессе (S1) горячей прокатки подготовленный сляб подвергается горячей прокатке для того, чтобы произвести горячекатаный стальной лист. Химический состав сляба регулируется так, чтобы средний химический состав основного стального листа 10 и стеклянной пленки 11 листа 1 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой удовлетворял вышеописанному химическому составу. Содержание Al в слябе должно составлять 0,01 мас.% или больше. Когда содержание Al в слябе составляет менее 0,01 мас.%, шпинель не формируется в достаточной степени в стеклянной пленке 11. Сляб может быть произведен с помощью известного способа. Например, производится (выплавляется) расплавленная сталь. Используя расплавленную сталь, сляб формируется с помощью непрерывной разливки.

[0098]

Подготовленный сляб подвергается горячей прокатке на стане горячей прокатки, в результате чего получается горячекатаный стальной лист. Сначала стальная заготовка нагревается. Например, сляб помещается в известную нагревательную печь или известную печь для выдержки и нагревается. Температура нагрева сляба предпочтительно составляет от 1100 до 1450°C. Нижний предел температуры нагрева сляба предпочтительно составляет 1300°C. Верхний предел температуры нагрева сляба предпочтительно составляет 1400°C.

[0099]

Нагретый сляб подвергается горячей прокатке на стане горячей прокатки, в результате чего получается горячекатаный стальной лист. Стан горячей прокатки включает стан черновой прокатки и стан чистовой прокатки, расположенный после стана черновой прокатки. Стан черновой прокатки включает одну или несколько расположенных в ряд клетей черновой прокатки. Каждая клеть черновой прокатки имеет множество валков, расположенных один над другим. Клеть черновой прокатки может быть клетью реверсивного типа. В случае нескольких клетей черновой прокатки стан черновой прокатки может быть станом тандемного или реверсивного типа. Стан чистовой прокатки включает клети чистовой прокатки, расположенные в ряд. Каждая клеть чистовой прокатки имеет несколько валков, расположенных один над другим. Нагретый сляб прокатывается на стане черновой прокатки, а затем на стане чистовой прокатки, и таким образом получается горячекатаный стальной лист.

[0100]

Толщина горячекатаного стального листа, произведенного горячей прокаткой, особенно не ограничивается и может быть известной толщиной. Например, толщина горячекатаного стального листа может составлять 2,0-3,0 мм.

[0101]

(Процесс (S2) отжига горячекатаного стального листа)

Процесс (S2) отжига горячекатаного стального листа является опциональным и может не выполняться. Когда отжиг горячекатаного стального листа выполняется, в процессе (S2) отжига горячекатаного стального листа горячекатаный стальной лист, полученный с помощью процесса (S1) горячей прокатки, отжигается, чтобы получить стальной лист после отжига горячекатаного стального листа. При выполнении отжига горячекатаного стального листа, в стальной структуре происходит рекристаллизация, и в результате магнитные характеристики улучшаются.

[0102]

Процесс (S2) отжига горячекатаного стального листа может выполняться с помощью известного способа. Способ нагревания горячекатаного стального листа особо не ограничивается и может быть известным способом. Например, температура нагрева при отжиге предпочтительно составляет 900-1200°C, а время выдержки при температуре отжига предпочтительно составляет 10-300 с. Когда процесс (S2) отжига горячекатаного стального листа выполняется, травление горячекатаного стального листа может выполняться после процесса (S2) отжига горячекатаного стального листа и перед процессом (S3) холодной прокатки.

[0103]

(Процесс (S3) холодной прокатки)

В процессе (S3) холодной прокатки произведенный стальной лист (горячекатаный стальной лист или стальной лист после отжига горячекатаного стального листа) подвергается холодной прокатке (S30) один или несколько раз. Холодная прокатка (S30) выполняется с использованием стана холодной прокатки. Например, стан холодной прокатки представляет собой стан тандемного типа, который включает несколько клетей холодной прокатки, расположенных в ряд, и каждая клеть холодной прокатки включает несколько валков для холодной прокатки. Стан холодной прокатки может быть клетью холодной прокатки реверсивного типа.

[0104]

В процессе (S3) холодной прокатки холодная прокатка (S30) может выполняться один или несколько раз. Когда холодная прокатка выполняется несколько раз, промежуточный отжиг для размягчения стального листа может выполняться после холодной прокатки с использованием стана холодной прокатки. В этом случае после промежуточного отжига выполняется последующая холодная прокатка. Другими словами, промежуточный отжиг может проводиться между проходами холодной прокатки.

[0105]

Промежуточный отжиг между холодной прокаткой и следующей холодной прокаткой может проводиться при известных условиях. Например, температура промежуточного отжига предпочтительно составляет 950-1200°C, а время выдержки при температуре отжига предпочтительно составляет 30-1800 с. Напряжение, введенное в стальной лист предыдущей холодной прокаткой, уменьшается с помощью промежуточного отжига (стальной лист размягчается), а затем выполняется следующая холодная прокатка.

[0106]

В том случае, когда холодная прокатка выполняется несколько раз без промежуточного отжига, может быть трудно обеспечить однородные характеристик в произведенном листе электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой. С другой стороны, в том случае, когда холодная прокатка проводится несколько раз с промежуточным отжигом между проходами холодной прокатки, плотность магнитного потока в произведенном листе 1 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой может уменьшиться. Таким образом, количество операций холодной прокатки и промежуточного отжига определяются в соответствии с характеристиками, требуемыми для производимого листа 1 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой, и затратами на его производство.

[0107]

Как было объяснено выше, холодная прокатка может выполняться один раз.

[0108]

Совокупное обжатие при однократной или многократной холодной прокатке предпочтительно составляет 80-95%. В настоящем документе совокупное обжатие при холодной прокатке определяется следующим образом.

Обжатие при холодной прокатке (%)=((Толщина стального листа перед первой холодной прокаткой - Толщина холоднокатаного стального листа после чистовой холодной прокатки) / Толщина стального листа перед первой холодной прокаткой) × 100

[0109]

В том случае, когда в процессе холодной прокатки холодная прокатка проводится только один раз, вышеупомянутое обжатие при холодной прокатке является обжатием при холодной прокатке за один раз. Когда совокупное обжатие при холодной прокатке составляет 80% или больше, можно в достаточной степени сформировать ядра рекристаллизации (ядра Госса), имеющие ориентацию Госса (ориентацию {110} <001>). Кроме того, когда совокупное обжатие при холодной прокатке составляет 95% или меньше, вторичная рекристаллизация может быть сделана стабильной во время процесса (S6) окончательного отжига, который будет объяснен ниже. Стальной лист, произведенный в процессе холодной прокатки, сматывается в форму рулона.

[0110]

Как правило, толщина холоднокатаного стального листа (толщина после процесса (S3) холодной прокатки) отличается от толщины листа 1 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой, который является конечным продуктом (толщины продукта, включая стеклянную пленку 11 и изоляционное покрытие с натяжением 12).

[0111]

Для того, чтобы дополнительно улучшить магнитные характеристики, в процессе (S3) холодной прокатки может выполняться обработка старением. Обработка старением является необязательной. В том случае, когда обработка старением выполняется, обработка старением (отжиг) выполняется между проходами холодной прокатки (S30). В частности, обработка старением проводится после проведения холодной прокатки (S30), а затем следующая холодная прокатка (S30) проводится после обработки старением. Обработка старением может выполняться при известных условиях. Например, термическая обработка в качестве обработки старением выполняется в течение 60 с или больше при температуре 100-500°C для стального листа после холодной прокатки (S30). В этом случае можно окончательно получить благоприятную структуру вторичной рекристаллизации, выровненную в ориентации Госса.

[0112]

(Процесс (S4) обезуглероживающего отжига)

В процессе (S4) обезуглероживающего отжига стальной лист (холоднокатаный стальной лист) после процесса (S3) холодной прокатки подвергается обезуглероживающему отжигу, и тем самым выполняется первичная рекристаллизация.

[0113]

Процесс (S4) обезуглероживающего отжига включает стадию (S41) нагревания, стадию (S42) обезуглероживания и стадию (S43) охлаждения. На стадии (S41) нагревания стальной лист нагревается до температуры обезуглероживающего отжига Ta. На стадии (S42) обезуглероживания стальной лист, который нагрет до температуры обезуглероживающего отжига Ta, обезуглероживается, и тем самым выполняется первичная рекристаллизация. На стадии (S43) охлаждения стальной лист после стадии (S42) обезуглероживания охлаждается известным способом. Далее каждая стадия описывается подробно.

[0114]

(Стадия (S41) нагревания)

На стадии нагревания сначала стальной лист после процесса (S3) холодной прокатки помещается в печь для термической обработки. В печи для обезуглероживающего отжига согласно варианту осуществления, например, холоднокатаный стальной лист контролируемо нагревается до температуры обезуглероживающего отжига с помощью высокочастотного индукционного нагрева или электронагрева. Атмосфера во время стадии нагревания может быть сухой атмосферой азота или сухой смешанной атмосферой азота и водорода, и может иметь степень окисления (PH₂O/PH₂) 0,1 или меньше. Когда степень окисления на стадии нагревания составляет более 0,1, оксиды на основе железа имеют тенденцию образовывать зародыши. Оксиды на основе Fe, зародыши которых образуются на стадии нагревания, растут во время обезуглероживающего отжига. Когда эти оксиды присутствуют при окончательном отжиге, рост форстерита (Mg₂SiO₄) подавляется. Хотя причина этого неясна, оксиды на основе Fe имеют функцию подавления твердофазной реакции между SiO₂ и MgO. В результате Mg₂SiO₄ утончается, и шпинель имеет тенденцию не локализоваться около границы с основным стальным листом 10 в стеклянной пленке 11. В частности, шпинель (MgAl₂O₄) имеет тенденцию присутствовать в Mg₂SiO₄.

[0115]

Кроме того, хотя это особо и не ограничивается, скорость нагревания может составлять 2000°C/с или меньше, а достигаемая температура может составлять 700-1000°C. В настоящем документе достигаемая температура отличается от температуры обезуглероживающего отжига Ta на стадии обезуглероживания.

[0116]

(Стадия (S42) обезуглероживания)

На стадии (S42) обезуглероживания процесса (S4) обезуглероживающего отжига стальной лист после стадии (S41) нагревания выдерживается при температуре обезуглероживающего отжига Ta, чтобы провести обезуглероживающий отжиг. В результате происходит первичная рекристаллизация. Атмосфера во время стадии обезуглероживания может быть известной атмосферой, например, влажной смешанной атмосферой азота и водорода. При выполнении обезуглероживающего отжига углерод удаляется из стального листа, и происходит первичная рекристаллизация. Производственные условия на стадии обезуглероживания являются следующими.

[0117]

Температура обезуглероживающего отжига Ta: 800-950°C

Как было объяснено выше, температура обезуглероживающего отжига Ta соответствует температуре печи для обезуглероживающего отжига, и соответствует температуре стального листа во время обезуглероживающего отжига. Когда температура обезуглероживающего отжига Ta составляет менее 800°C, зерна стального листа после первичной рекристаллизации становятся слишком мелкими. В этом случае вторичная рекристаллизация во время процесса (S6) окончательного отжига происходит в недостаточной степени. С другой стороны, когда температура обезуглероживающего отжига Ta составляет более 950°C, зерна стального листа после первичной рекристаллизации становятся слишком грубыми. В этом случае вторичная рекристаллизация во время процесса (S6) окончательного отжига также происходит в недостаточной степени. Когда температура обезуглероживающего отжига Ta составляет 800-950°C, зерна стального листа после первичной рекристаллизации имеют подходящий размер, и вторичная рекристаллизация происходит в достаточной степени во время процесса (S6) окончательного отжига.

[0118]

Время выдержки при температуре обезуглероживающего отжига Ta на стадии (S42) обезуглероживания особенно не ограничивается. Например, время выдержки при температуре обезуглероживающего отжига Ta может составлять 15-150 с.

[0119]

(Стадия (S43) охлаждения)

На стадии (S43) охлаждения стальной лист после стадии (S42) обезуглероживания охлаждается известным способом. Способ охлаждения может быть воздушным охлаждением, водяным охлаждением и т.п. Предпочтительно, чтобы стальной лист после стадии обезуглероживания охлаждался воздухом. В процессе (S4) обезуглероживающего отжига стальной лист подвергается обезуглероживающему отжигу путем выполнения вышеуказанных стадий.

[0120]

(Процесс (S5) нанесения сепаратора отжига)

Стальной лист после процесса (S4) обезуглероживающего отжига подвергается процессу (S5) нанесения сепаратора отжига. В процессе (S5) нанесения сепаратора отжига сепаратор отжига наносится на поверхность стального листа. В частности, водная суспензия, включающая сепаратор отжига, наносится на поверхность стального листа. Водная суспензия готовится путем добавления воды к сепаратору отжига и их перемешивания. Сепаратор отжига включает оксид магния (MgO). Предпочтительно, чтобы MgO был главным компонентом сепаратора отжига. Здесь «главный компонент» означает, что содержание MgO в сепараторе отжига составляет 80,0 мас.% или больше. Сепаратор отжига в дополнение к MgO может включать известные добавки. Например, сепаратор отжига может включать соединение Ti.

[0121]

В процессе (S5) нанесения сепаратора отжига водная суспензия, включающая сепаратор отжига, наносится на поверхность стального листа. Стальной лист после нанесения сепаратора отжига на его поверхность сматывается в рулон. Стальной лист после сматывания в рулон подвергается процессу (S6) окончательного отжига.

[0122]

Обработка запекания может проводиться после сматывания стального листа, на поверхность которого нанесена водная суспензия, включающая сепаратор отжига, и перед процессом (S6) окончательного отжига. При обработке запекания смотанный в рулон стальной лист помещается и выдерживается в печи с температурой 400-1000°C (обработка запекания). В результате сепаратор отжига, нанесенный на стальной лист, сушится. Например, время выдержки может составлять 10-90 с. Смотанный в рулон стальной лист с нанесенным на него сепаратором отжига может быть подвергнут процессу окончательного отжига без выполнения обработки запекания.

[0123]

(Процесс (S6) окончательного отжига)

Стальной лист после процесса (S5) нанесения сепаратора отжига подвергается процессу (S6) окончательного отжига, и тем самым выполняется вторичная рекристаллизация. Кроме того, в процессе окончательного отжига выполняются две стадии отжига (стадия (S61) отжига при пониженной температуре и стадия (S62) отжига при повышенной температуре). В результате формируется стеклянная пленка 11, которая включает главным образом форстерит, и подходящее количество шпинели локализуется около границы с основным стальным листом 10 в стеклянной пленке 11. Эти две стадии отжига (стадия (S61) отжига при пониженной температуре и стадия (S62) отжига при повышенной температуре) выполняются в печи для термообработки. Далее объясняются стадия (S61) отжига при пониженной температуре и стадия (S62) отжига при повышенной температуре.

[0124]

(Стадия (S61) отжига при пониженной температуре)

Стадия (S61) отжига при пониженной температуре формирует стеклянную пленку 11. На стадии (S61) отжига при пониженной температуре сначала смотанный в рулон стальной лист помещается в печь для термообработки и нагревается до температуры T1 отжига при пониженной температуре. Стальной лист выдерживается при температуре T1 в течение времени выдержки t1. Атмосфера в печи во время стадии (S61) отжига при пониженной температуре может быть смешанной атмосферой азота и водорода.

[0125]

Температура T1 отжига при пониженной температуре (°C) и время выдержки t1 на стадии (S61) отжига при пониженной температуре являются следующими.

Температура T1 отжига при пониженной температуре: 910-1000°C

Время выдержки t1 при 910-1000°C: 50-120 час

[0126]

(Температура T1 отжига при пониженной температуре)

910-1000°C представляет собой диапазон температур, в котором формируется форстерит (Mg₂SiO₄), который является главным компонентом стеклянной пленки 11.

[0127]

Когда температура T1 отжига при пониженной температуре составляет менее 910°C, глинозем формируется (4Al+3SiO₂ → 2Al₂O₃+3Si) прежде, чем будет сформирован форстерит (2MgO+SiO₂ → Mg₂SiO₄). В результате после стадии (S62) отжига при повышенной температуре шпинель включается не около границы с основным стальным листом 10 в стеклянной пленке 11, а внутри стеклянной пленки 11. Таким образом, F1 не удовлетворяет верхнему пределу выражения (1), и/или F2 не удовлетворяет нижнему пределу выражения (2).

[0128]

Когда температура T1 отжига при пониженной температуре составляет более 1000°C, форстерит формируется в недостаточной степени, и стеклянная пленка 11 утончается. Таким образом, хотя F1 удовлетворяет выражению (1), F2 не удовлетворяет верхнему пределу выражения (2). В результате натяжение стеклянной пленки 11, которое требуется для измельчения магнитных доменов, уменьшается. Таким образом, магнитные потери ухудшаются, и адгезия покрытия также ухудшается.

[0129]

(Время выдержки t1 при температуре T1 отжига при пониженной температуре)

Когда температура T1 отжига при пониженной температуре является подходящей, в частности составляет 910-1000°C, и когда время выдержки t1 при температуре T1 составляет менее 50 час, форстерит формируется в недостаточной степени, и стеклянная пленка 11 утончается. Таким образом, хотя F1 удовлетворяет выражению (1), F2 не удовлетворяет верхнему пределу выражения (2). В результате изоляция ухудшается.

[0130]

Когда температура T1 отжига при пониженной температуре является подходящей, и когда время выдержки t1 составляет более 120 час, форстерит образуется в чрезмерном количестве, и Mg расходуется на формирование форстерита. В этом случае становится недостаточно Mg для формирования шпинели (MgAl₂O₄), и шпинель формируется в недостаточной степени. Таким образом, хотя F2 удовлетворяет выражению (2), F1 не удовлетворяет верхнему пределу выражения (1).

[0131]

Исходя из того, что температура T1 отжига при пониженной температуре является подходящей, время выдержки t1 при температуре T1 должно составлять 50-120 час.

[0132]

Когда температура T1 отжига при пониженной температуре составляет 910-1000°C, и когда время выдержки t1 при температуре T1 составляет 50-120 час, форстерит формируется и вырастает в достаточной степени, и стеклянная пленка 11 утолщается в достаточной степени. В результате, если на стадии (S62) отжига при повышенной температуре удовлетворяются объясненные ниже условия, шпинель локализуется около границы с основным стальным листом 10 в стеклянной пленке 11, F1 удовлетворяет выражению (1), и F2 удовлетворяет выражению (2).

[0133]

Здесь на стадии (S61) отжига при пониженной температуре достаточно выдержать стальной лист в течение времени выдержки t1 в диапазоне температур 910-1000°C. Другими словами, если время выдержки t1 в диапазоне температур 910-1000°C составляет 50-120 час, температура в течение времени выдержки t1 может быть постоянной, может увеличиваться или может уменьшаться.

[0134]

(Стадия (S62) отжига при повышенной температуре)

Стадия (S62) отжига при повышенной температуре должна формировать шпинель в стеклянной пленке 11, которая формируется на стадии (S61) отжига при пониженной температуре, и локализовать шпинель около границы с основным стальным листом 10. В частности, после проведения стадии (S61) отжига при пониженной температуре стальной лист дополнительно нагревается до температуры T2 отжига при повышенной температуре. Скорость нагревания особенно не ограничивается. Стальной лист выдерживается при температуре T2 в течение времени выдержки t2, которое объясняется ниже. Стадия отжига при повышенной температуре может быть проведена в той же самой печи для термообработки, что и на стадии отжига при пониженной температуре, или в другой печи для термообработки. Атмосфера в печи во время стадии отжига при повышенной температуре может быть атмосферой азота.

[0135]

Температура T2 отжига при повышенной температуре (°C) и время выдержки t2 при температуре T2 являются следующими.

Температура T2 отжига при повышенной температуре: 1100-1300°C

Время выдержки t2 при температуре T2: 20-80 час

[0136]

(Температура T2 отжига при повышенной температуре)

1100-1300°C представляет собой диапазон температур, в котором формируется шпинель. Стеклянная пленка 11 в достаточной степени формируется стадией отжига при пониженной температуре. Таким образом, когда стальной лист выдерживается в диапазоне температур 1100-1300°C во время стадии отжига при повышенной температуре, Al, содержащийся в основном стальном листе 10, рассеивается около границы между стеклянной пленкой 11 и основным стальным листом 10, и реагирует с форстеритом. В результате образуется шпинель. Шпинель формируется около границы с основным стальным листом 10 в стеклянной пленке 11 во время стадии отжига при повышенной температуре, и таким образом шпинель локализуется около этой границы.

[0137]

Когда температура T2 отжига при повышенной температуре составляет менее 1100°C, шпинель формируется в недостаточной степени. В этом случае, хотя F2 удовлетворяет выражению (2), F1 не удовлетворяет верхнему пределу выражения (1).

[0138]

Когда температура T2 отжига при повышенной температуре превышает 1300°C, шпинель образуется в чрезмерном количестве. В этом случае, хотя F2 удовлетворяет выражению (2), F1 не удовлетворяет нижнему пределу выражения (1).

[0139]

Таким образом, температура T2 отжига при повышенной температуре должна составлять 1100-1300°C.

[0140]

(Время выдержки t2 при 1100-1300°C)

Когда время выдержки t2 при температуре 1100-1300°C составляет менее 20 час, шпинель формируется в недостаточной степени. В этом случае, хотя F2 удовлетворяет выражению (2), F1 не удовлетворяет верхнему пределу выражения (1).

[0141]

Когда время выдержки t2 при температуре 1100-1300°C составляет более 80 час, шпинель образуется в чрезмерном количестве. В этом случае, хотя F2 удовлетворяет выражению (2), F1 не удовлетворяет нижнему пределу выражения (1).

[0142]

Таким образом, время выдержки t2 при температуре 1100-1300°C должно составлять 20-80 час.

[0143]

Когда температура T2 отжига при повышенной температуре составляет 1100-1300°C, и когда время выдержки t2 при температуре T2 составляет 20-80 час, шпинель в достаточной степени вырастает около границы с основным стальным листом 10 в стеклянной пленке 11, и таким образом шпинель локализуется около этой границы. Таким образом, F1 удовлетворяет выражению (1), и F2 удовлетворяет выражению (2).

[0144]

Здесь на стадии (S62) отжига при повышенной температуре стальной лист может выдерживаться в течение времени выдержки t2 при температуре T2, которая является постоянной, или может выдерживаться в течение времени выдержки t2 в диапазоне температур 1100-1300°C. Если время выдержки t2 в диапазоне температур 1100-1300°C составляет 20-80 час, температура в течение времени выдержки t2 может быть постоянной, может увеличиваться или может уменьшаться.

[0145]

Предпочтительно, чтобы стадия очищающего отжига выполнялась после стадии (S62) отжига при повышенной температуре и перед процессом (S7) формирования изоляционного покрытия. При выполнении стадии очищающего отжига магнитные характеристики дополнительно улучшаются. На стадии очищающего отжига в атмосфере водорода температура отжига может составлять 1000-1300°C, а время выдержки может составлять 10 час или больше. При выполнении стадии очищающего отжига каждый элемент химического состава основного стального листа 10 удаляется из стальной композиции в некоторой степени. В частности, остаточные элементы, такие как S, Al и N, которые влияют на магнитные потери, удаляются в значительной степени.

[0146]

(Процесс (S7) формирования изоляционного покрытия)

В способе производства листа 1 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой согласно варианту осуществления процесс (S7) формирования изоляционного покрытия проводится после процесса (S6) окончательного отжига. В процессе (S7) формирования изоляционного покрытия раствор изоляционного покрытия, который включает главным образом коллоидный кремнезем и фосфат, наносится на поверхность (стеклянную пленку 11) листа 1 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой после охлаждения в процессе (S6) окончательного отжига, и запекается. В результате на стеклянной пленке формируется изоляционное покрытие с натяжением 12.

[0147]

Изоляционное покрытие с натяжением 12, формируемое на поверхности стального листа, особенно не ограничивается, если оно выполняет функции изоляционного покрытия с натяжением листа 1 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой. Может использоваться известное изоляционное покрытие с натяжением. Например, изоляционное покрытие с натяжением может быть композитным изоляционным покрытием, которое включает главным образом неорганические вещества и дополнительно включает органические вещества. Например, композитное изоляционное покрытие может быть изоляционным покрытием, которое включает главным образом по меньшей мере одно из неорганических веществ, таких как хромат металла, фосфат металла, коллоидный кремнезем, соединение Zr и соединение Ti, и включает диспергированные тонкие органические полимерные частицы. В частности, изоляционное покрытие с натяжением может использовать фосфат металла, связующее на основе Zr, связующее на основе Ti, или их карбонатные или аммониевые соли. Кроме того, выравнивающий отжиг для исправления формы листа может быть проведен после процесса (S7) формирования изоляционного покрытия. При выполнении выравнивающего отжига стального листа магнитные потери могут быть дополнительно улучшены.

[0148]

В листе 1 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой, который производится с помощью вышеописанных процессов, F1 удовлетворяет выражению (1), F2 удовлетворяет выражению (2), и шпинель локализуется около границы с основным стальным листом 10 в стеклянной пленке 11. В результате адгезия стеклянной пленки 11 к основному стальному листу 10 улучшается.

[0149]

В частности, чтобы произвести лист 1 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой согласно варианту осуществления, важно, чтобы вышеописанный способ производства удовлетворял следующим условиям. Содержание Al в слябе должно составлять 0,01 мас.% или больше в процессе (S1) горячей прокатки, степень окисления (PH₂O/PH₂) должна составлять 0,1 или меньше на стадии (S41) нагревания процесса (S4) обезуглероживающего отжига, и условия отжига должны контролироваться на стадии (S61) отжига при пониженной температуре и на стадии (S62) отжига при повышенной температуре процесса (S6) окончательного отжига.

[0150]

(Другие процессы производства)

В листе 1 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой согласно варианту осуществления процесс азотирования может выполняться после процесса (S4) обезуглероживающего отжига и перед процессом (S5) нанесения сепаратора отжига. В процессе азотирования стальной лист после процесса (S4) обезуглероживающего отжига подвергается обработке азотирования для того, чтобы получить лист азотированной стали. Обработка азотирования может выполняться при известных условиях. Например, предпочтительные условия для обработки азотирования являются следующими.

[0151]

Температура азотирования: 700-850°C

Атмосфера в печи для обработки азотирования (атмосфера азотирования): атмосфера, включающая газ со способностью к азотированию, такой как водород, азот и аммиак.

[0152]

Когда температура азотирования составляет 700°C или больше, или когда температура азотирования составляет 850°C или меньше, азот имеет тенденцию проникать в стальной лист во время азотирования. В этом случае количество азота в стальном листе становится достаточным в процессе азотирования. Таким образом, тонкий AlN получается в достаточной степени непосредственно перед вторичной рекристаллизацией. В результате вторичная рекристаллизация предпочтительно происходит во время процесса (S6) окончательного отжига. Время выдержки при температуре азотирования во время процесса азотирования особенно не ограничивается, и может составлять 10-60 с.

[0153]

(Процесс измельчения магнитного домена)

В листе 1 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой согласно варианту осуществления процесс измельчения магнитного домена может выполняться по мере необходимости после процесса (S6) окончательного отжига или процесса (S7) формирования изоляционного покрытия. В процессе измельчения магнитного домена выполняется облучение лазером или бороздки формируются на поверхности листа 1 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой. В этом случае можно произвести лист 1 электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой, который имеет дополнительно улучшенные магнитные характеристики.

Примеры

[0154]

Далее эффекты одного аспекта настоящего изобретения подробно описываются со ссылками на следующие примеры. Однако, условия в примерах представляют собой примерные условия, используемые для того, чтобы подтвердить работоспособность и эффекты настоящего изобретения, так что настоящее изобретение не ограничивается этими примерными условиями. Настоящее изобретение может использовать различные типы условий, если эти условия не отступают от области охвата настоящего изобретения и позволяют решать задачу настоящего изобретения.

[0155]

(Производство листа электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой каждого теста)

Производился сляб, включающий в свой химический состав, в мас.%, 0,03-0,10% C; 3,0-3,5% Si; 0,2-0,3% растворимого Al; 0,02-0,90% Mn; 0,005-0,03% N; 0,005-0,03 S; 0,005-0,03% P; а также остаток из Fe и примесей.

[0156]

Этот сляб подвергался процессу горячей прокатки. В частности, сляб нагревался до 1350°C, выполнялась его горячая прокатка, и тем самым производился горячекатаный стальной лист с толщиной 2,3 мм. Горячекатаный стальной лист после процесса горячей прокатки подвергался процессу отжига горячекатаного стального листа при таких условиях, что температура отжига составляла 900-1200°C, а время выдержки составляло 10-300 с. После этого выполнялся процесс холодной прокатки, и в результате получался холоднокатаный стальной лист (основной стальной лист) с толщиной 0,19-0,23 мм.

[0157]

Этот холоднокатаный стальной лист подвергался процессу обезуглероживающего отжига. В процессе обезуглероживающего отжига температура обезуглероживающего отжига Ta составляла 800-950°C, а время выдержки при температуре обезуглероживающего отжига Ta составляло 100 с. После процесса обезуглероживающего отжига сепаратор отжига, который включал главным образом оксид магния (MgO) и который включал соединение Ti, наносился по мере необходимости на поверхность стального листа, а затем выполнялся процесс окончательного отжига.

[0158]

Раствор изоляционного покрытия, который включал главным образом коллоидный кремнезем и фосфат, наносился на поверхность (стеклянную пленку) листа электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой после охлаждения в процессе окончательного отжига и запекался. С помощью вышеописанных процессов был произведен лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой каждого теста.

[0159]

Производственные условия и результаты производства показаны в Таблицах 1-6. В этих таблицах «-» в химическом составе означает, что данный элемент не использовался, контроль данного элемента не выполнялся, и таким образом его содержание не измерялось. Кроме того, «-» в производственных условиях и результатах оценки означает, что контроль или оценка не проводились.

[0160]

Как показано в Таблицах 4-6, тесты №№ 1-56, 58, 59 и 63-66 в процессе окончательного отжига были подвергнуты как стадии отжига при пониженной температуре, так и стадии отжига при повышенной температуре. С другой стороны, тесты №№ 57 и 60-62 не были подвергнуты стадии отжига при пониженной температуре, хотя стадия отжига при повышенной температуре проводилась.

[0161]

Кроме того, как показано в Таблицах 4-6, в тестах №№ 1-59 и 61-66 холоднокатаный стальной лист контролируемо нагревался на стадии нагрева процесса обезуглероживающего отжига. С другой стороны, в тесте № 60 стадия (S41) нагревания процесса обезуглероживающего отжига не выполнялась (условия нагревания холоднокатаного стального листа не контролировались). В частности, в этом тесте холоднокатаный стальной лист помещался в печь для термообработки для стадии (S42) обезуглероживания и нагревался до температуры обезуглероживающего отжига Ta.

[0162]

Кроме того, хотя это и не показано в таблицах, в тестах №№ 1-62, 65 и 66 содержание Al в слябе составляло 0,01 мас.% или больше. С другой стороны, в тестах №№ 63 и 64 содержание Al в слябе составляло менее 0,01 мас.%.

[0163]

Лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой, который был произведен с помощью вышеописанного способа производства, оценивался следующим образом.

[0164]

(Анализ химического состава основного стального листа со стеклянной пленкой после удаления изоляционного покрытия с натяжением с листа электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой)

Для каждого теста листа электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой химический состав основного стального листа со стеклянной пленкой после удаления изоляционного покрытия с натяжением (средний химический состав основного стального листа и стеклянной пленки) был проанализирован следующим способом.

[0165]

Сначала изоляционное покрытие с натяжением удалялось с листа электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой с помощью объясненного выше способа. В частности, лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой погружался в водный раствор гидроксида натрия, который включал 30-50 мас.% NaOH и 50-70 мас.% H₂O, с температурой 80-90°C на 7-10 мин. Стальной лист после погружения (основной стальной лист со стеклянной пленкой после удаления изоляционного покрытия с натяжением) промывался водой. Стальной лист после промывки сушился обдувом теплым воздухом в течение приблизительно менее 1 мин. За счет вышеописанной обработки изоляционное покрытие с натяжением удалялось, и получался основной стальной лист со стеклянной пленкой.

[0166]

Известный способ анализа состава выполнялся для основного стального листа со стеклянной пленкой после удаления изоляционного покрытия с натяжением. В частности, основной стальной лист со стеклянной пленкой сверлился сверлом, и собиралась получаемая при этом стружка. Эта стружка растворялась в кислоте, в результате чего получался раствор. Используя этот раствор, элементный анализ химического состава выполнялся с помощью ICP-AES.

[0167]

Si в химическом составе основного стального листа со стеклянной пленкой анализировался с помощью способа (способ количественного определения кремния), определенного в стандарте JIS G1212 (1997). В частности, при растворении вышеуказанной стружки в кислоте оксид кремния выпадал в виде осадка. Этот осадок (оксид кремния) фильтровался с помощью фильтровальной бумаги, и его масса измерялась для того, чтобы определить содержание Si.

[0168]

Содержание C и S анализировалось с помощью известного способа сжигания (измерения поглощения в инфракрасной области спектра после сжигания). В частности, вышеупомянутый раствор сжигался с помощью высокочастотного индукционного нагрева в потоке кислорода, и образующиеся диоксид углерода и диоксид серы определялись для того, чтобы определить содержание C и содержание S.

[0169]

Содержание N анализировалось с помощью известного термокондуктометрического способа после плавления в потоке инертного газа. Содержание O анализировалось с помощью известного способа недисперсионного поглощения в инфракрасной области спектра после плавления в потоке инертного газа.

[0170]

Химический состав основного стального листа со стеклянной пленкой (средний химический состав основного стального листа и стеклянной пленки), который был измерен вышеупомянутыми аналитическими методами, показан в Таблицах 1-3.

[0171]

(Измерение значения F1)

Из центральной области листа электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой каждого теста в поперечном направлении TD брался образец, размер которого составляет 30 мм в направлении прокатки RD, 40 мм в поперечном направлении TD, а толщина равна толщине листа электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой. Изоляционное покрытие с натяжением удалялось с вышеупомянутого образца. В частности, лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой погружался в водный раствор гидроксида натрия, который включал 30-50 мас.% NaOH и 50-70 мас.% H₂O, с температурой 80-90°C на 7-10 мин. Стальной лист после погружения промывался водой. Стальной лист после промывки сушился обдувом теплым воздухом в течение приблизительно менее 1 мин. С помощью вышеуказанной обработки получался образец с основным стальным листом и стеклянной пленкой, и без изоляционного покрытия с натяжением.

[0172]

Эмиссионная спектроскопия тлеющего разряда проводилась от поверхности стеклянной пленки образца в направлении глубины, и измерялись GDS-спектры Al, Si и Fe. В частности, используя высокочастотный эмиссионный спектроскоп тлеющего разряда (GD-ODS, GDA750 производства компании Rigaku), GDS-спектры Al, Si и Fe в направлении глубины на стеклянной пленке измерялись при условиях подачи электроэнергии с мощностью 30 Вт к образцу в качестве катода в атмосфере аргона (давление Ar: 3 гПа). Площадь измерения составляла 4 мм φ, время измерения составляло 100 с, а интервал измерения составлял 0,02 с.

[0173]

Полученный GDS-спектр сглаживался простым способом скользящего среднего значения.

[0174]

Из полученного GDS-спектра Al были измерены время T^Al_p и значение F(T^Al_p). Аналогичным образом из полученного GDS-спектра Si было измерено время T^Si_p, а из GDS-спектра Al было измерено значение F(T^Si_p), представляющее собой интенсивность эмиссии Al в момент времени T^Si_p. Анализ начинался в момент времени Ts. С использованием времени Ts были получены значения T^Al_p, F(T^Al_p), T^Si_p, F(T^Si_p), F1 и F2. Полученные значения F1 и F2 показаны в Таблицах 4-6.

[0175]

Хотя это и не показано в таблице, из полученного GDS-спектра Fe были измерены время T^Fe₆₀ и время T^Fe₉₀.

[0176]

(Измерение плотности магнитного потока B8 и магнитных потерь W_17/50)

Около центральной области каждого тестового листа электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой в поперечном направлении брался образец, размер которого составлял 60 мм в ширину и 300 мм в длину. Длина образца была параллельна направлению прокатки. С использованием взятого образца плотность магнитного потока B8 была измерена на основе способа однолистового тестера (SST) стандарта JIS C 2556 (2011). В частности, плотность магнитного потока (Тл) измерялась при возбуждении образца с намагничивающей силой 800 A/м. Результаты измерения показаны в Таблицах 4-6. Когда плотность магнитного потока B8 составляла 1,90 Тл или больше, это считалось приемлемым.

[0177]

Кроме того, с использованием этого образца магнитные потери W_17/50 (Вт/кг) были измерены при условиях частоты переменного тока 50 Гц и максимальной плотности магнитного потока 1,7 Тл на основе стандарта JIS C 2556 (2011). Результаты измерения показаны в Таблицах 4-6. Когда магнитные потери W_17/50 составляли менее 0,85 Вт/кг, это считалось приемлемым.

[0178]

(Оценка адгезии стеклянной пленки)

Из центральной области листа электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой каждого теста в поперечном направлении брался образец, размер которого составлял 80 мм в направлении прокатки и 30 мм в поперечном направлении. Взятый образец сгибался вокруг цилиндра с диаметром 20 мм на 180°. После того согнутый образец возвращался в первоначальное плоское состояние. После возвращения в первоначальное плоское состояние измерялась общая площадь неотслоившейся стеклянной пленки. Используя измеренную общую площадь стеклянной пленки, доля оставшейся стеклянной пленки (% площади) была получена с помощью следующего выражения.

Доля оставшейся стеклянной пленки (% площади)=Общая площадь неотслоившейся стеклянной пленки/Общая площадь образца × 100

Здесь общая площадь образца составляла 80 мм × 30 мм.

[0179]

Исходя из доли площади оставшейся стеклянной пленки адгезия стеклянной пленки оценивалась следующим образом.

Очень хорошая: доля площади оставшейся стеклянной пленки составляла 90% или больше.

Хорошая: доля площади оставшейся стеклянной пленки составляла 85% или больше и менее 90%.

Удовлетворительная: доля площади оставшейся стеклянной пленки составляла 80% или больше и менее 85%.

Плохая: доля площади оставшейся стеклянной пленки составляла менее 80%.

Результаты оценки показаны в Таблицах 4-6. Когда доля площади оставшейся стеклянной пленки была очень хорошей, хорошей и удовлетворительной, это считалось приемлемым.

[0180]

В тех тестах, где плотность магнитного потока B8 была менее 1,90 Тл, или магнитные потери W_17/50 составляли 0,85 Вт/кг или больше, магнитные характеристики оценивались как неприемлемые, и оценка адгезии стеклянной пленки не проводилась.

[0181]

(Результаты оценки)

Как показано в Таблицах 1-6, в тестах №№ 1-50 средний химический состав был подходящим, и производственные условия также были подходящими. В результате магнитные характеристики и адгезия стеклянной пленки были превосходными. Кроме того, хотя это и не показано в таблицах, в тестах №№ 1-50 GDS-спектр удовлетворял условиям T^Fe₆₀ ≤ T^Al_p ≤ T^Fe₉₀ (T^Si_p ≤ T^Al_p ≤ T^Fe₉₀).

[0182]

Среди тестов №№ 1-50 значение F1 тестов №№ 18-25 и 39-50 было более низким, чем у тестов №№ 1-17 и 26-38, и находилось в диапазоне 0,05-0,30. В результате оценка адгезии стеклянной пленки в тестах №№ 18-25 и 39-50 была хорошей или очень хорошей, и была лучше, чем оценка (удовлетворительно) в тестах №№ 1-17 и 26-38.

[0183]

Среди тестов №№ 18-25 и 39-50 значение F1 тестов №№ 22-25 и 44-50 находилось в диапазоне 0,05-0,12, а значение F1 тестов №№ 18-21 и 39-43 находилось в диапазоне 0,13-0,30. В результате оценка адгезии стеклянной пленки в тестах №№ 22-25 и 44-50 была очень хорошей, и была лучше, чем оценка (хорошо) в тестах №№ 18-21 и 39-43.

[0184]

С другой стороны, в тестах №№ 51-66 по меньшей мере одно из среднего химического состава и производственных условий не было предпочтительным. В результате магнитные характеристики и/или адгезия стеклянной пленки не были удовлетворительными.

[0185]

В тесте № 51 время выдержки t1 при температуре T1 (T1=910-1000°C) для отжига при пониженной температуре было чрезмерно коротким на стадии отжига при пониженной температуре процесса окончательного отжига. Таким образом, хотя значение F1 удовлетворяло выражению (1), значение F2 не удовлетворяло верхнему пределу выражения (2). В результате магнитные потери W_17/50 составили 0,85 Вт/кг или больше, и таким образом магнитные характеристики были неудовлетворительными.

[0186]

В тесте № 52 время выдержки t1 при температуре T1 (T1=910-1000°C) для отжига при пониженной температуре было чрезмерно длинным на стадии отжига при пониженной температуре процесса окончательного отжига. Таким образом, хотя значение F2 удовлетворяло выражению (2), значение F1 не удовлетворяло верхнему пределу выражения (1). В результате адгезия стеклянной пленки была плохой, т.е. адгезия стеклянной пленки к основному стальному листу была недостаточной.

[0187]

В тесте № 53 температура T2 отжига при повышенной температуре была чрезмерно низкой на стадии отжига при повышенной температуре процесса окончательного отжига. Таким образом, хотя значение F2 удовлетворяло выражению (2), значение F1 не удовлетворяло верхнему пределу выражения (1). В результате адгезия стеклянной пленки была плохой, т.е. адгезия стеклянной пленки к основному стальному листу была недостаточной.

[0188]

В тесте № 54 температура T2 отжига при повышенной температуре была чрезмерно высокой на стадии отжига при повышенной температуре процесса окончательного отжига. Таким образом, значение F1 не удовлетворяло нижнему пределу выражения (1). В результате магнитные потери W_17/50 составили 0,85 Вт/кг или больше, и таким образом магнитные характеристики были неудовлетворительными.

[0189]

В тесте № 55 время выдержки t2 при температуре T2 (T2=1100-1300°C) для отжига при повышенной температуре было чрезмерно коротким. Таким образом, значение F1 не удовлетворяло верхнему пределу выражения (1). В результате адгезия стеклянной пленки была плохой, т.е. адгезия стеклянной пленки к основному стальному листу была недостаточной.

[0190]

В тесте № 56 время выдержки t2 при температуре T2 (T2=1100-1300°C) для отжига при повышенной температуре было чрезмерно большим. Таким образом, значение F1 не удовлетворяло нижнему пределу выражения (1). В результате магнитные потери W_17/50 составили 0,85 Вт/кг или больше, и таким образом магнитные характеристики были неудовлетворительными.

[0191]

В тесте № 57 стадия отжига при пониженной температуре не проводилась. Таким образом, хотя значение F1 удовлетворяло выражению (1), значение F2 не удовлетворяло верхнему пределу выражения (2). В результате магнитные потери W_17/50 составили 0,85 Вт/кг или больше, и таким образом магнитные характеристики были неудовлетворительными.

[0192]

В тесте № 58 температура T1 отжига при пониженной температуре была чрезмерно низкой на стадии отжига при пониженной температуре. Таким образом, значение F1 не удовлетворяло верхнему пределу выражения (1), и значение F2 не удовлетворяло нижнему пределу выражения (2). В результате плотность магнитного потока B8 была менее 1,90 Тл, магнитные потери W_17/50 составили 0,85 Вт/кг или больше, и таким образом магнитные характеристики были неудовлетворительными.

[0193]

В тесте № 59 температура T1 отжига при пониженной температуре была чрезмерно высокой на стадии отжига при пониженной температуре. Таким образом, хотя значение F1 удовлетворяло выражению (1), значение F2 не удовлетворяло верхнему пределу выражения (2). В результате магнитные потери W_17/50 составили 0,85 Вт/кг или больше, и таким образом магнитные характеристики были неудовлетворительными.

[0194]

В тесте № 60 стадия нагревания процесса обезуглероживающего отжига не проводилась (условия нагревания холоднокатаного стального листа не контролировались). В результате магнитные потери W_17/50 составили 0,85 Вт/кг или больше, и таким образом магнитные характеристики были неудовлетворительными.

[0195]

В тесте № 61 степень окисления (PH₂O/PH₂) была больше чем 0,1 на стадии нагревания процесса обезуглероживающего отжига. В результате плотность магнитного потока B8 была менее 1,90 Тл, магнитные потери W_17/50 составили 0,85 Вт/кг или больше, и таким образом магнитные характеристики были неудовлетворительными.

[0196]

В тесте № 62 степень окисления (PH₂O/PH₂) была больше чем 0,1 на стадии нагревания процесса обезуглероживающего отжига. В результате плотность магнитного потока B8 была менее 1,90 Тл, магнитные потери W_17/50 составили 0,85 Вт/кг или больше, и таким образом магнитные характеристики были неудовлетворительными.

[0197]

В тесте № 63 степень окисления (PH₂O/PH₂) была больше чем 0,1 на стадии нагревания процесса обезуглероживающего отжига, температура T1 отжига при пониженной температуре была чрезмерно низкой на стадии отжига при пониженной температуре, и время выдержки t2 было чрезмерно коротким на стадии отжига при повышенной температуре. Кроме того, поскольку содержание Al в слябе было менее 0,01 мас.%, содержание нерастворимого Al было менее 0,005 мас.% в среднем химическом составе основного стального листа и стеклянной пленки в листе электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой. В результате плотность магнитного потока B8 была менее 1,90 Тл, магнитные потери W_17/50 составили 0,85 Вт/кг или больше, и таким образом магнитные характеристики были неудовлетворительными.

[0198]

В тесте № 64 степень окисления (PH₂O/PH₂) была больше чем 0,1 на стадии нагревания процесса обезуглероживающего отжига, температура T1 отжига при пониженной температуре была чрезмерно низкой на стадии отжига при пониженной температуре, и время выдержки t2 было чрезмерно коротким на стадии отжига при повышенной температуре. Кроме того, поскольку содержание Al в слябе было менее 0,01 мас.%, содержание нерастворимого Al было менее 0,005 мас.% в среднем химическом составе основного стального листа и стеклянной пленки в листе электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой. В результате плотность магнитного потока B8 была менее 1,90 Тл, магнитные потери W_17/50 составили 0,85 Вт/кг или больше, и таким образом магнитные характеристики были неудовлетворительными.

[0199]

В тесте № 65 степень окисления (PH₂O/PH₂) была больше чем 0,1 на стадии нагревания процесса обезуглероживающего отжига. В результате магнитные потери W_17/50 составили 0,85 Вт/кг или больше, и таким образом магнитные характеристики были неудовлетворительными.

[0200]

В тесте № 66 температура T1 отжига при пониженной температуре была чрезмерно низкой на стадии отжига при пониженной температуре. В результате плотность магнитного потока B8 была менее 1,90 Тл, магнитные потери W_17/50 составили 0,85 Вт/кг или больше, и таким образом магнитные характеристики были неудовлетворительными.

[0201]

[Таблица 1] № ТЕСТА РЕЗУЛЬТАТЫ ПРОИЗВОДСТВА СРЕДНИЙ ХИМИЧЕСКИЙ СОСТАВ (В МАС.%, С ОСТАТКОМ ИЗ Fe И ПРИМЕСЕЙ) C Si Mn N растворимый Al нерастворимый Al Mg O Ti S P Sn Cr Cu Bi Se Sb 1 0,008 3,3 0,02 0,008 0,002 0,012 0,07 0,09 - 0,007 0,013 - - - - - - 2 0,003 2,9 0,02 0,007 0,005 0,012 0,07 0,09 0,016 0,007 0,012 - - - - - - 3 0,002 3,9 0,02 0,007 0,003 0,011 0,10 0,16 0,017 0,007 0,010 - - - - - - 4 0,003 3,3 0,80 0,007 0,010 0,013 0,11 0,18 0,018 0,008 0,015 - - - - - - 5 0,002 3,3 0,80 0,008 0,006 0,006 0,11 0,16 0,018 0,008 0,013 - - - - - - 6 0,003 3,2 0,80 0,008 0,003 0,028 0,10 0,17 0,015 0,007 0,016 - - - - - - 7 0,001 3,2 0,75 0,009 0,006 0,014 0,12 0,18 0,016 0,007 0,018 - - - - - - 8 0,003 3,2 0,02 0,007 0,004 0,011 0,11 0,16 0,015 0,007 0,019 - - - - - - 9 0,002 3,2 0,90 0,007 0,006 0,022 0,10 0,18 0,017 0,008 0,017 - - - - - - 10 0,002 3,2 0,60 0,007 0,007 0,023 0,12 0,18 0,017 0,009 0,016 - - - - - - 11 0,003 3,3 0,04 0,007 0,005 0,022 0,12 0,16 0,018 0,007 0,014 - - - - - - 12 0,001 3,3 0,40 0,007 0,005 0,022 0,11 0,16 0,017 0,007 0,017 - - - - - - 13 0,001 3,3 0,08 0,005 0,006 0,019 0,11 0,16 0,016 0,004 0,005 - - - - - - 14 0,002 3,3 0,05 0,003 0,005 0,019 0,10 0,17 0,015 0,004 0,005 - 0,40 - - - - 15 0,001 3,4 0,05 0,006 0,002 0,015 0,11 0,16 0,018 0,006 0,003 0,45 - - - - - 16 0,003 3,3 0,15 0,003 0,003 0,016 0,12 0,18 0,016 0,005 0,004 - - 0,02 - - - 17 0,003 3,2 0,15 0,006 0,002 0,015 0,11 0,18 0,016 0,006 0,007 - - - - - - 18 0,002 3,4 0,08 0,005 0,001 0,018 0,11 0,16 0,003 0,006 0,006 0,30 0,15 - - - - 19 0,002 3,5 0,05 0,003 0,003 0,015 0,12 0,17 0,003 0,004 0,008 0,10 0,05 0,07 0,0003 - - 20 0,001 3,5 0,08 0,004 0,004 0,015 0,11 0,17 0,004 0,004 0,005 0,05 0,10 - - - - 21 0,002 3,5 0,20 0,004 0,003 0,017 0,10 0,18 0,004 0,004 0,006 0,02 - 0,05 0,0080 - - 22 0,001 3,3 0,08 0,006 0,002 0,018 0,11 0,17 0,007 0,003 0,007 0,05 0,02 0,10 - - -

[0202]

[Таблица 2] № ТЕСТА РЕЗУЛЬТАТЫ ПРОИЗВОДСТВА СРЕДНИЙ ХИМИЧЕСКИЙ СОСТАВ (В МАС.%, С ОСТАТКОМ ИЗ Fe И ПРИМЕСЕЙ) C Si Mn N растворимый Al нерастворимый Al Mg O Ti S P Sn Cr Cu Bi Se Sb 23 0,001 3,5 0,20 0,005 0,005 0,017 0,10 0,17 0,006 0,004 0,005 0,02 0,02 0,02 - 0,005 0,05 24 0,002 3,5 0,30 0,004 0,003 0,017 0,11 0,16 0,007 0,004 0,008 0,02 0,01 0,50 - 0,005 0,05 25 0,001 3,5 0,30 0,005 0,005 0,017 0,10 0,19 0,005 0,004 0,007 0,02 0,01 0,10 0,0012 0,005 0,05 26 0,001 3,4 0,03 0,006 0,002 0,018 0,19 0,35 - 0,005 0,015 - - - - - - 27 0,002 3,0 0,03 0,006 0,002 0,015 0,18 0,26 0,019 0,006 0,014 - - - - - - 28 0,002 3,9 0,03 0,006 0,001 0,013 0,13 0,23 0,016 0,009 0,011 - - - - - - 29 0,002 3,3 0,75 0,008 0,003 0,005 0,14 0,19 0,018 0,009 0,015 - - - - - - 30 0,002 3,2 0,74 0,007 0,002 0,008 0,14 0,18 0,017 0,009 0,018 - - - - - - 31 0,002 3,1 0,79 0,007 0,002 0,029 0,15 0,19 0,018 0,009 0,014 - - - - - - 32 0,002 3,3 0,76 0,008 0,002 0,013 0,13 0,19 0,018 0,008 0,013 - - - - - - 33 0,001 3,2 0,04 0,008 0,001 0,011 0,13 0,18 0,002 0,008 0,017 - - - - - - 34 0,002 3,3 0,88 0,008 0,001 0,025 0,12 0,16 0,001 0,009 0,015 - - - - - - 35 0,002 3,2 0,59 0,006 0,002 0,024 0,16 0,21 0,002 0,009 0,013 - - - - - - 36 0,001 3,2 0,03 0,007 0,002 0,024 0,11 0,22 0,002 0,008 0,015 - - - - - - 37 0,001 3,3 0,38 0,008 0,003 0,022 0,13 0,18 0,001 0,008 0,016 - - - - - - 38 0,001 3,2 0,09 0,006 0,003 0,022 0,12 0,22 0,001 0,006 0,006 - - - - - - 39 0,001 3,2 0,06 0,004 0,002 0,020 0,12 0,19 0,004 0,006 0,004 - 0,41 - - - - 40 0,001 3,4 0,06 0,005 0,002 0,016 0,12 0,18 0,004 0,007 0,004 0,43 - - - - - 41 0,001 3,2 0,16 0,005 0,002 0,016 0,11 0,16 0,011 0,007 0,004 - - 0,01 - - - 42 0,002 3,2 0,17 0,006 0,002 0,016 0,15 0,19 0,013 0,007 0,006 - - - - - - 43 0,002 3,3 0,09 0,006 0,002 0,016 0,15 0,18 0,013 0,007 0,006 0,28 0,17 - - - - 44 0,002 3,4 0,06 0,004 0,003 0,016 0,11 0,22 0,005 0,006 0,006 0,09 0,06 0,05 0,0002 - -

[0203]

[Таблица 3] ТЕСТ
№ РЕЗУЛЬТАТЫ ПРОИЗВОДСТВА СРЕДНИЙ ХИМИЧЕСКИЙ СОСТАВ (В МАС.%, С ОСТАТКОМ ИЗ Fe И ПРИМЕСЕЙ) C Si Mn N растворимый Al нерастворимый Al Mg O Ti S P Sn Cr Cu Bi Se Sb 45 0,001 3,5 0,07 0,003 0,001 0,018 0,13 0,19 0,006 0,006 0,005 0,06 0,09 - - - - 46 0,001 3,4 0,22 0,003 0,002 0,018 0,10 0,18 0,006 0,007 0,006 0,03 - 0,05 0,0050 - - 47 0,001 3,2 0,09 0,005 0,002 0,017 0,12 0,22 0,005 0,005 0,005 0,06 0,01 0,08 - - - 48 0,001 3,2 0,21 0,007 0,002 0,018 0,13 0,21 0,007 0,005 0,006 0,01 0,01 0,01 - 0,003 0,07 49 0,002 3,3 0,28 0,003 0,001 0,016 0,12 0,19 0,008 0,006 0,006 0,01 0,03 0,45 - 0,003 0,07 50 0,001 3,4 0,28 0,003 0,002 0,018 0,13 0,20 0,008 0,004 0,008 0,01 0,02 0,08 0,0011 0,003 0,05 51 0,008 3,3 0,02 0,008 0,002 0,012 0,09 0,15 0,005 0,007 0,013 - - - - - - 52 0,003 2,9 0,02 0,007 0,005 0,012 0,13 0,21 0,006 0,007 0,012 - - - - - - 53 0,003 2,9 0,02 0,007 0,005 0,012 0,11 0,18 0,006 0,007 0,012 - - - - - - 54 0,008 3,3 0,02 0,008 0,002 0,012 0,12 0,16 0,005 0,007 0,013 - - - - - - 55 0,003 2,9 0,02 0,007 0,005 0,012 0,13 0,23 0,007 0,007 0,012 - - - - - - 56 0,008 3,3 0,02 0,008 0,002 0,012 0,12 0,20 0,005 0,007 0,013 - - - - - - 57 0,003 2,9 0,02 0,007 0,005 0,012 0,08 0,15 0,006 0,007 0,012 - - - - - - 58 0,008 3,3 0,02 0,008 0,002 0,012 0,09 0,16 0,008 0,007 0,013 - - - - - - 59 0,003 2,9 0,02 0,007 0,005 0,012 0,08 0,14 0,008 0,007 0,012 - - - - - - 60 0,001 3,3 0,08 0,005 0,002 0,010 0,10 0,13 0,006 0,005 0,010 0,10 - 0,08 - - - 61 0,001 3,3 0,08 0,005 0,002 0,009 0,10 0,14 0,005 0,005 0,010 0,10 - 0,08 - - - 62 0,001 3,3 0,08 0,005 0,002 0,009 0,09 0,13 0,007 0,005 0,010 0,10 - 0,08 - - - 63 0,001 3,2 0,07 0,0005 0,0001 0,004 0,11 0,01 0,009 0,0004 0,030 0,03 0,05 - - 0,0001 0,02 64 0,001 3,2 0,05 0,0004 0,0002 0,003 0,11 0,01 0,008 0,0005 0,010 0,01 0,01 - - 0,0002 0,01 65 0,008 3,3 0,02 0,008 0,002 0,012 0,08 0,15 0,007 0,007 0,013 - - - - - - 66 0,008 3,3 0,02 0,008 0,002 0,012 0,08 0,12 0,008 0,007 0,013 - - - - - -

[0204]

[Таблица 4] № ТЕСТА УСЛОВИЯ ПРОИЗВОДСТВА РЕЗУЛЬТАТЫ ПРОИЗВОДСТВА РЕЗУЛЬТАТЫ ОЦЕНКИ ПРИМЕЧАНИЕ ТОЛЩИНА ПОСЛЕ ХОЛОДНОЙ ПРОКАТКИ,
мм СТАДИЯ НАГРЕВАНИЯ ОБЕЗУГЛЕРОЖИВАЮЩЕГО ОТЖИГА СТАДИЯ ОТЖИГА ПРИ ПОНИЖЕННОЙ ТЕМПЕРАТУРЕ СТАДИЯ ОТЖИГА ПРИ ПОВЫШЕННОЙ ТЕМПЕРАТУРЕ F1 F2 МАГНИТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ АДГЕЗИЯ ПОКРЫТИЯ СКОРОСТЬ НАГРЕВАНИЯ, °C/с ДОСТИГАЕМАЯ ТЕМПЕРАТУРА,
°C PH20/PH2,
- ТЕМПЕРАТУРА T1,
°C ВРЕМЯ ВЫДЕРЖКИ t1,
час ТЕМПЕРАТУРА T2,
°C ВРЕМЯ ВЫДЕРЖКИ t2,
час ПЛОТНОСТЬ МАГНИТНОГО ПОТОКА B8,
Тл МАГНИТНЫЕ ПОТЕРИ W17/50,
Вт/кг 1 0,22 600 750 0,05 930 60 1100 20 0,48 2,4 1,92 0,75 Удовлетворительная ПРИМЕР ПО ИЗОБРЕТЕНИЮ 2 0,22 600 750 0,05 930 60 1100 20 0,47 2,3 1,94 0,78 Удовлетворительная ПРИМЕР ПО ИЗОБРЕТЕНИЮ 3 0,22 1000 850 0,05 950 60 1100 20 0,47 2,1 1,91 0,73 Удовлетворительная ПРИМЕР ПО ИЗОБРЕТЕНИЮ 4 0,22 1000 850 0,05 950 60 1100 20 0,45 2,3 1,92 0,78 Удовлетворительная ПРИМЕР ПО ИЗОБРЕТЕНИЮ 5 0,22 1000 900 0,05 950 60 1100 20 0,46 4,1 1,91 0,78 Удовлетворительная ПРИМЕР ПО ИЗОБРЕТЕНИЮ 6 0,22 1300 900 0,05 950 80 1100 30 0,35 2,1 1,92 0,77 Удовлетворительная ПРИМЕР ПО ИЗОБРЕТЕНИЮ 7 0,22 1300 820 0,05 950 80 1100 30 0,42 4,8 1,93 0,73 Удовлетворительная ПРИМЕР ПО ИЗОБРЕТЕНИЮ 8 0,22 500 820 0,05 950 80 1100 30 0,38 2,2 1,93 0,73 Удовлетворительная ПРИМЕР ПО ИЗОБРЕТЕНИЮ 9 0,22 500 820 0,05 970 80 1250 30 0,39 4,5 1,94 0,72 Удовлетворительная ПРИМЕР ПО ИЗОБРЕТЕНИЮ 10 0,22 1500 950 0,05 970 80 1250 30 0,41 4,9 1,92 0,73 Удовлетворительная ПРИМЕР ПО ИЗОБРЕТЕНИЮ 11 0,22 1500 950 0,05 970 80 1250 30 0,38 2,1 1,93 0,76 Удовлетворительная ПРИМЕР ПО ИЗОБРЕТЕНИЮ 12 0,22 1000 950 0,05 970 85 1250 60 0,48 2,2 1,95 0,71 Удовлетворительная ПРИМЕР ПО ИЗОБРЕТЕНИЮ 13 0,22 1800 1000 0,05 970 85 1250 60 0,36 2,3 1,93 0,73 Удовлетворительная ПРИМЕР ПО ИЗОБРЕТЕНИЮ 14 0,22 1800 1000 0,05 970 85 1250 60 0,33 2,4 1,94 0,72 Удовлетворительная ПРИМЕР ПО ИЗОБРЕТЕНИЮ 15 0,22 1000 950 0,05 970 85 1290 60 0,38 2,3 1,92 0,78 Удовлетворительная ПРИМЕР ПО ИЗОБРЕТЕНИЮ 16 0,22 1000 930 0,05 970 85 1290 60 0,41 2,3 1,93 0,75 Удовлетворительная ПРИМЕР ПО ИЗОБРЕТЕНИЮ 17 0,22 400 930 0,05 970 85 1290 60 0,47 2,3 1,93 0,72 Удовлетворительная ПРИМЕР ПО ИЗОБРЕТЕНИЮ 18 0,22 400 830 0,02 990 90 1290 80 0,29 3,4 1,93 0,72 Хорошая ПРИМЕР ПО ИЗОБРЕТЕНИЮ 19 0,22 1000 750 0,02 990 90 1290 80 0,28 3,3 1,95 0,70 Хорошая ПРИМЕР ПО ИЗОБРЕТЕНИЮ 20 0,22 1000 780 0,02 990 90 1290 80 0,28 3,4 1,92 0,78 Хорошая ПРИМЕР ПО ИЗОБРЕТЕНИЮ 21 0,22 200 700 0,02 990 100 1290 80 0,15 3,5 1,92 0,79 Хорошая ПРИМЕР ПО ИЗОБРЕТЕНИЮ 22 0,22 200 700 0,01 990 100 1290 80 0,08 4,2 1,91 0,81 Очень хорошая ПРИМЕР ПО ИЗОБРЕТЕНИЮ

[0205]

[Таблица 5] № ТЕСТА УСЛОВИЯ ПРОИЗВОДСТВА РЕЗУЛЬТАТЫ ПРОИЗВОДСТВА РЕЗУЛЬТАТЫ ОЦЕНКИ ПРИМЕЧАНИЕ ТОЛЩИНА ПОСЛЕ ХОЛОДНОЙ ПРОКАТКИ,
мм СТАДИЯ НАГРЕВАНИЯ ОБЕЗУГЛЕРОЖИВАЮЩЕГО ОТЖИГА СТАДИЯ ОТЖИГА ПРИ ПОНИЖЕННОЙ ТЕМПЕРАТУРЕ СТАДИЯ ОТЖИГА ПРИ ПОВЫШЕННОЙ ТЕМПЕРАТУРЕ F1 F2 МАГНИТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ АДГЕЗИЯ ПОКРЫТИЯ СКОРОСТЬ НАГРЕВАНИЯ, °C/с ДОСТИГАЕМАЯ ТЕМПЕРАТУРА,
°C PH20/PH2,
- ТЕМПЕРАТУРА T1,
°C ВРЕМЯ ВЫДЕРЖКИ t1,
час ТЕМПЕРАТУРА T2,
°C ВРЕМЯ ВЫДЕРЖКИ t2,
час ПЛОТНОСТЬ МАГНИТНОГО ПОТОКА B8,
Тл МАГНИТНЫЕ ПОТЕРИ W17/50,
Вт/кг 23 0,22 200 700 0,01 990 100 1290 80 0,06 4,1 1,95 0,71 Очень хорошая ПРИМЕР ПО ИЗОБРЕТЕНИЮ 24 0,22 500 990 0,01 990 100 1290 80 0,08 4,0 1,95 0,72 Очень хорошая ПРИМЕР ПО ИЗОБРЕТЕНИЮ 25 0,22 500 990 0,01 990 100 1290 80 0,09 2,1 1,96 0,70 Очень хорошая ПРИМЕР ПО ИЗОБРЕТЕНИЮ 26 0,19 800 850 0,08 930 60 1100 20 0,42 2,4 1,91 0,72 Удовлетворительная ПРИМЕР ПО ИЗОБРЕТЕНИЮ 27 0,19 800 850 0,08 930 60 1100 20 0,28 2,8 1,95 0,66 Удовлетворительная ПРИМЕР ПО ИЗОБРЕТЕНИЮ 28 0,19 1000 850 0,08 950 60 1100 20 0,28 2,7 1,94 0,67 Удовлетворительная ПРИМЕР ПО ИЗОБРЕТЕНИЮ 29 0,19 1000 800 0,08 950 60 1100 20 0,33 2,7 1,92 0,69 Удовлетворительная ПРИМЕР ПО ИЗОБРЕТЕНИЮ 30 0,19 1500 950 0,05 950 60 1100 20 0,45 2,6 1,93 0,69 Удовлетворительная ПРИМЕР ПО ИЗОБРЕТЕНИЮ 31 0,19 1500 950 0,05 950 80 1100 30 0,38 2,8 1,95 0,66 Удовлетворительная ПРИМЕР ПО ИЗОБРЕТЕНИЮ 32 0,19 1600 950 0,05 950 80 1100 30 0,47 2,9 1,92 0,71 Удовлетворительная ПРИМЕР ПО ИЗОБРЕТЕНИЮ 33 0,19 1600 950 0,09 950 80 1100 30 0,32 2,1 1,91 0,73 Удовлетворительная ПРИМЕР ПО ИЗОБРЕТЕНИЮ 34 0,19 1200 820 0,09 970 80 1250 30 0,42 2,2 1,92 0,72 Удовлетворительная ПРИМЕР ПО ИЗОБРЕТЕНИЮ 35 0,19 1200 820 0,09 970 80 1250 30 0,40 2,3 1,93 0,71 Удовлетворительная ПРИМЕР ПО ИЗОБРЕТЕНИЮ 36 0,19 100 780 0,09 970 80 1250 30 0,45 2,4 1,93 0,74 Удовлетворительная ПРИМЕР ПО ИЗОБРЕТЕНИЮ 37 0,19 100 780 0,09 970 85 1250 60 0,36 2,9 1,92 0,73 Удовлетворительная ПРИМЕР ПО ИЗОБРЕТЕНИЮ 38 0,19 100 780 0,09 970 85 1250 60 0,32 2,7 1,91 0,74 Удовлетворительная ПРИМЕР ПО ИЗОБРЕТЕНИЮ 39 0,19 400 820 0,05 970 85 1250 60 0,28 3,4 1,91 0,75 Хорошая ПРИМЕР ПО ИЗОБРЕТЕНИЮ 40 0,19 400 820 0,05 970 85 1290 60 0,27 3,4 1,93 0,69 Хорошая ПРИМЕР ПО ИЗОБРЕТЕНИЮ 41 0,19 400 820 0,05 970 85 1290 60 0,25 3,3 1,93 0,71 Хорошая ПРИМЕР ПО ИЗОБРЕТЕНИЮ 42 0,19 700 820 0,05 970 85 1290 60 0,15 3,6 1,95 0,68 Хорошая ПРИМЕР ПО ИЗОБРЕТЕНИЮ 43 0,19 700 820 0,05 990 90 1290 80 0,14 3,6 1,95 0,67 Хорошая ПРИМЕР ПО ИЗОБРЕТЕНИЮ 44 0,19 700 820 0,01 990 90 1290 80 0,10 4,1 1,96 0,66 Очень хорошая ПРИМЕР ПО ИЗОБРЕТЕНИЮ

[0206]

[Таблица 6] ТЕСТ
№ УСЛОВИЯ ПРОИЗВОДСТВА РЕЗУЛЬТАТЫ ПРОИЗВОДСТВА РЕЗУЛЬТАТЫ ОЦЕНКИ ПРИМЕЧАНИЕ ТОЛЩИНА ПОСЛЕ ХОЛОДНОЙ ПРОКАТКИ,
мм СТАДИЯ НАГРЕВАНИЯ ОБЕЗУГЛЕРОЖИВАЮЩЕГО ОТЖИГА СТАДИЯ ОТЖИГА ПРИ ПОНИЖЕННОЙ ТЕМПЕРАТУРЕ СТАДИЯ ОТЖИГА ПРИ ПОВЫШЕННОЙ ТЕМПЕРАТУРЕ F1 F2 МАГНИТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ АДГЕЗИЯ ПОКРЫТИЯ СКОРОСТЬ НАГРЕВАНИЯ, °C/с ДОСТИГАЕМАЯ ТЕМПЕРАТУРА,
°C PH20/PH2,
- ТЕМПЕРАТУРА T1,
°C ВРЕМЯ ВЫДЕРЖКИ t1,
час ТЕМПЕРАТУРА T2,
°C ВРЕМЯ ВЫДЕРЖКИ t2,
час ПЛОТНОСТЬ МАГНИТНОГО ПОТОКА B8,
Тл МАГНИТНЫЕ ПОТЕРИ W17/50,
Вт/кг 45 0,19 1000 860 0,01 990 90 1290 80 0,08 3,8 1,93 0,68 Очень хорошая ПРИМЕР ПО ИЗОБРЕТЕНИЮ 46 0,19 1000 860 0,01 990 100 1290 80 0,09 3,8 1,92 0,68 Очень хорошая ПРИМЕР ПО ИЗОБРЕТЕНИЮ 47 0,19 1000 860 0,01 990 100 1290 80 0,07 3,9 1,94 0,68 Очень хорошая ПРИМЕР ПО ИЗОБРЕТЕНИЮ 48 0,19 1000 860 0,01 990 100 1290 80 0,06 4,2 1,95 0,66 Очень хорошая ПРИМЕР ПО ИЗОБРЕТЕНИЮ 49 0,19 1000 860 0,01 990 100 1290 80 0,05 3,7 1,94 0,66 Очень хорошая ПРИМЕР ПО ИЗОБРЕТЕНИЮ 50 0,19 1000 860 0,01 990 100 1290 80 0,06 3,5 1,96 0,65 Очень хорошая ПРИМЕР ПО ИЗОБРЕТЕНИЮ 51 0,22 1500 860 0,05 950 40 1200 40 0,08 5,5 1,92 0,95 - СРАВНИТЕЛЬНЫЙ ПРИМЕР 52 0,22 1500 770 0,05 950 150 1200 40 0,73 2,3 1,91 0,72 Плохая СРАВНИТЕЛЬНЫЙ ПРИМЕР 53 0,22 1500 770 0,05 950 80 1000 40 0,65 4,1 1,90 0,74 Плохая СРАВНИТЕЛЬНЫЙ ПРИМЕР 54 0,22 1500 770 0,05 950 80 1320 40 0,02 3,3 1,91 0,98 - СРАВНИТЕЛЬНЫЙ ПРИМЕР 55 0,22 800 800 0,08 950 90 1200 10 0,59 2,8 1,90 0,75 Плохая СРАВНИТЕЛЬНЫЙ ПРИМЕР 56 0,22 800 800 0,08 950 90 1200 90 0,04 3,5 1,90 0,94 - СРАВНИТЕЛЬНЫЙ ПРИМЕР 57 0,22 800 800 0,08 - - 1200 40 0,15 5,6 1,91 0,86 - СРАВНИТЕЛЬНЫЙ ПРИМЕР 58 0,22 800 800 0,08 870 60 1200 60 0,55 1,3 1,65 1,25 - СРАВНИТЕЛЬНЫЙ ПРИМЕР 59 0,22 800 800 0,08 1020 60 1250 60 0,12 5,5 1,92 0,89 - СРАВНИТЕЛЬНЫЙ ПРИМЕР 60 0,22 - - - - - 1200 24 0,65 3,2 1,91 0,87 - СРАВНИТЕЛЬНЫЙ ПРИМЕР 61 0,22 480 850 0,2 - - 1200 24 0,62 3,3 1,89 0,87 - СРАВНИТЕЛЬНЫЙ ПРИМЕР 62 0,22 480 850 0,3 - - 1200 24 0,63 3,3 1,87 0,88 - СРАВНИТЕЛЬНЫЙ ПРИМЕР 63 0,23 20 840 0,3 900 50 1200 10 0,95 3,0 1,88 0,89 - СРАВНИТЕЛЬНЫЙ ПРИМЕР 64 0,23 150 840 0,3 900 50 1200 10 0,93 3,5 1,87 0,91 - СРАВНИТЕЛЬНЫЙ ПРИМЕР 65 0,22 1000 820 0,2 930 60 1100 20 0,55 1,5 1,90 0,95 - СРАВНИТЕЛЬНЫЙ ПРИМЕР 66 0,22 1000 820 0,1 900 60 1200 60 0,53 1,5 1,68 1,21 - СРАВНИТЕЛЬНЫЙ ПРИМЕР

ПРОМЫШЛЕННАЯ ПРИМЕНИМОСТЬ

[0207]

В соответствии с вышеописанными аспектами настоящего изобретения возможно обеспечить лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой, обладающий превосходной адгезией стеклянной пленки. Соответственно, настоящее изобретение имеет значительную промышленную применимость.

СПИСОК ССЫЛОЧНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ

[0208]

1 - Лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой

10 - Основной стальной лист

11 - Стеклянная пленка

12 - Изоляционное покрытие с натяжением

Изобретение относится к металлургии, а именно к листу электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой, и может быть использовано в качестве материала сердечника трансформаторов и другого электрического оборудования. Лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой содержит основной стальной лист, стеклянную пленку, которая располагается на основном стальном листе, и изоляционное покрытие с натяжением, которое располагается на стеклянной пленке. Химический состав основного стального листа и стеклянной пленки включает, мас.%: 0,010 или меньше C, 2,5-4,0 Si, 0,01-1,00 Mn, 0,010 или меньше N, 0,010 или меньше растворимого Al, 0,005-0,030 нерастворимого Al, 0,05-0,20 Mg, 0,05-0,40 O, 0-0,020 Ti, 0,010 или меньше S, 0,030 или меньше P, 0-0,50 Sn, 0-0,50 Cr, 0-0,50 Cu, 0-0,0100 Bi, 0-0,020 Se, 0-0,50 Sb и остаток, состоящий из железа и примесей. Лист имеет спектры эмиссионной спектроскопии тлеющего разряда Al и Si, измеренные с помощью эмиссионной спектроскопии тлеющего разряда от поверхности стеклянной пленки в направлении глубины, после удаления изоляционного покрытия, где Ts - время начала анализа, от поверхности стеклянной пленки, T^Al_p - время, при котором Al показывает максимальную интенсивность эмиссии, с, F(T^Al_p) - интенсивность эмиссии Al при T^Al_p, в относительных единицах, T^Si_p - время, при котором Si показывает максимальную интенсивность эмиссии, с, F(T^Si_p) - интенсивность эмиссии Al при T^Si_p. Удовлетворяются выражения: 0,05 ≤ F(T^Si_p) / F(T^Al_p) ≤ 0,50 и 2,0 ≤ (T^Al_p - Ts) / (T^Si_p - Ts) ≤ 5,0. Обеспечивается высокая адгезия стеклянной пленки. 3 з.п. ф-лы, 5 ил., 6 табл., 66 пр.

1. Лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой, содержащий:

основной стальной лист;

стеклянную пленку, которая располагается на основном стальном листе; и

изоляционное покрытие с натяжением, которое располагается на стеклянной пленке,

причем химический состав основного стального листа и стеклянной пленки включает, мас.%:

0,010 или меньше C;

2,5-4,0 Si;

0,01-1,00 Mn;

0,010 или меньше N;

0,010 или меньше растворимого Al;

0,005-0,030 нерастворимого Al;

0,05-0,20 Mg;

0,05-0,40 O;

0-0,020 Ti;

0,010 или меньше S;

0,030 или меньше P;

0-0,50 Sn;

0-0,50 Cr;

0-0,50 Cu;

0-0,0100 Bi;

0-0,020 Se;

0-0,50 Sb; и

остаток, состоящий из железа и примесей, и

имеющий спектры эмиссионной спектроскопии тлеющего разряда Al и Si, измеренные с помощью эмиссионной спектроскопии тлеющего разряда от поверхности стеклянной пленки в направлении глубины, после удаления изоляционного покрытия,

когда Ts - временя начала анализа, от поверхности стеклянной пленки,

T^Al_p - время, при котором Al показывает максимальную интенсивность эмиссии, с,

F(T^Al_p) - интенсивность эмиссии Al при T^Al_p, в относительных единицах,

T^Si_p - время, при котором Si показывает максимальную интенсивность эмиссии, с,

F(T^Si_p) - интенсивность эмиссии Al при T^Si_p, в относительных единицах,

при этом значения Ts, T^Al_p, F(T^Al_p), T^Si_p и F(T^Si_p) удовлетворяют выражениям:

0,05 ≤ F(T^Si_p) / F(T^Al_p) ≤ 0,50 и

2,0 ≤ (T^Al_p - Ts) / (T^Si_p - Ts) ≤ 5,0.

2. Лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой по п. 1, отличающийся тем, что

толщина основного стального листа составляет 0,17 мм или больше и меньше чем 0,22 мм.

3. Лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой по п. 1 или 2, отличающийся тем, что химический состав основного стального листа и стеклянной пленки включает по меньшей мере один элемент, выбираемый из, мас.%:

0,01-0,50 Cr;

0,01-0,50 Sn;

0,01-0,50 Cu;

0,0010-0,0100 Bi;

0,001-0,020 Se; и

0,01-0,50 Sb.

4. Лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой по любому из пп. 1-3, отличающийся тем, что

спектры эмиссионной спектроскопии тлеющего разряда Al и Fe измерены с помощью эмиссионной спектроскопии тлеющего разряда от поверхности стеклянной пленки в направлении глубины,

когда T^Al_p - время, при котором Al показывает максимальную интенсивность эмиссии, с,

T^Fe₆₀ - время, при котором интенсивность эмиссии Fe становится равной 60% по сравнению с величиной насыщения интенсивности эмиссии Fe, с,

T^Fe₉₀ - время, при котором интенсивность эмиссии Fe становится равной 90% по сравнению с величиной насыщения интенсивности эмиссии Fe, с,

значения T^Al_p, T^Fe₆₀ и T^Fe₉₀ удовлетворяют выражению

T^Fe₆₀ ≤ T^Al_p ≤ T^Fe₉₀.