Способ контроля адгезии тонких металлических пленок к диэлектрической подложке Советский патент 1983 года по МПК G01N19/04 

(54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ АДГЕЗИИ ТОНКИХ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК К ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПОДЛОЖКЕ

Изобретение относится к испытател ной технике и может быть использован при контроле адгезии тонких металлических пленок к диэлектрическим подложкам. Известен способ контроля адгезии металлических пленок к диэлектрической подложке, заключающийся в том, что испытуемый образец подложки с пленкой соединяют с источником переменного напряжения, увеличивают напряжение до момента ионизации металлической пленки и по величине этого напряжения судят об адгезии tilНедостаток этого способа - низкая точность контроля адгезии из-за разо грева металлической пленки и слоя адгезива. Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности и достигаемому результату является способ контроля адгезии тонких металлических пленок к д 1электрической подложке. заключающийся в том, что подложку с пленкой размещают в электромагнитном поле заданной частоты и увеличивают его напряженность до отслоения пленки , по которой судят об адгезии. При этом частоту электоомагнитного поля задают 50 Гц, а через металлическую пленку пропускают электрический ток С 2 . Недостатком этого способа является низкая точность контроля адгезии, поскольку при пропускании через металлическую пленку электрического тока последняя нагревается, а в случае исключения пропускания тока через пленку электромагнитное поле не обеспечивает возникновения достаточной отрывающейсилы для отрыва пленки от подложки, Цель изобретения - повышение точности контроля. Для достижения этой цели в способе контроля адгезии тонких неталлических пленок к диэлектрической по ложке, заключающемся в том, что подложку с пленкой размещают в электромагнитном поле заданной частоты и ув личивают до отслоения пленки его напряженность, по которой судят об адгезии, используют электромагнитное поле сверхвысокой частоты 0,6ШОО ГГц о Способ осуществляют следующим образом. Тонкую металлическую пленку наносят на диэлектрическую подложку одним из известных методов, например на пылением. Подложку размещают в электромагнитном поле сверхвысокой часто ты. При падении электромагнитной вол ны на поверхность тонкой металлической пленки происходит проникновение ее вглубь пленки. Из-за разницы вол новых сопротивлений металлической пленки и диэлектрической подложки электромагнитная волна, дойдя до границы раздела металл - диэлектрик, отражается от поверхности диэлектрической подложки. Величина отраженной электромагнитной волны вызывает на границе раздела металл - диэлектрик возникновение пондеромоторных сил, отрывающих металлическую пленку от подложки о Частота электромагнитного поля может варьироваться в пределах 0,6-40000 ГГц„ При .частоте ниже 0,6 ГГц сила, возникающая на границе раздела, недостаточна для отрыва металлической пленки от диэлектрической подложки из-за больиюго отражения электромагнитной волн от поверхности плен ки. При частоте выше QQQQ ГГц происходит полное поглощениеэлектромагнитной волны металлической пленкой, что приводит к ее разогреву и испа1614 ренио. Постепенно увеличивают напряженность электромагнитного поля сверхвысокой частоты до отрыва металлической пленки от диэлектрической подложки. Измеряют в момент отрыва величину напряженности электромагнитного поля сверхвысокой частоты, по которой судят об адгезии тонкой металлической пленки к диэлектрической подложке. Применение предлагаемого способа позволяет повысить точность контроля тонких металлических пленок к диэлектрическим подложкам за счет исключения пропускания электрического тока через металлическую пленку и ее нагрева путем воздействия на пленку электромагнитным полем сверхвысокой част оты. Формула изобретения Способ контроля адгезии тонких металлических пленок к диэлектрической подложке, заключающийся в том, что подложку с пленкой размещают в электромагнитном поле заданной частоты и увеличивают до отслоения пленки его напряженность, по которой судят об адгезии, отличающийс я тем, что, с целью повышения точности контроля, используют электромагнитное поле сверхвысокой частоты 0,6-i{0000 ГГц. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССР 381002, кл. G01 N ТЭ/О, 19712 Авторскоесвидетельство СССР № 506789, кл, G01 N ly/O, 1973 (прототип).