Резистивная паста Советский патент 1983 года по МПК H01C7/00 

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано, например, в микроэлектронике в технологии изготовлении толстопленочных резисторов и микросхем.

Известна резистивная паста, включающая диоксид рутения, стеклофритту и органическое связующее ij.

Недостатками этой резистивной пасты являются относительно высокий температурный коэффициент сопротивления и низкая стабильность удельного поверхностного сопротивления.

Наиболее близкой к изобретению по технической хзущности является резистивная паста, включающая диоксид рутения, оксид никеля, гексатанталат меди, гексатанталат марганца, стеклофритту и органическое связующее 2}.

Недостатки этой резистивной пасты заключаются в относительно высоком температурном коэффициенте сопротивления, удельном поверхностном сопротивлении и недостаточной стабильности электрического сопротивления.

Цель изобретения - снижение удельного поверхностного сопротивления, температурного коэффициента сопротивления .и повышение стабильности электрического сопротивления.

Поставленная цель достигается тем, что резистивная паста, включающая диоксид рутения, оксид металла УВ1 груп5 ,пы, гексатанталат меди, гексатанталат марганца, стеклофритту и органическое связующее, дополнительно содержит оксид меди и в качестве оксида металла УШ группы - оксид родия при.следуIQ ющем количественном соотношении компонентов, вес.%:

Диоксид рутения(RuO2j 6,76-7,03 Оксид родия (№203)

0,5-5,0 12,24-16,97 Оксид меди СиО Гексатанталат ме15ди (Си4Та,.Н20)

0,5-6,0 Гексатанталат марганца (.Та О „-НдО)

0,,5 47,5-50,5 Стеклофритта Органическое

20

Остальное связующее

При этом оксид меди и диоксид рутения введены в пасту в виде мелкодисперсных порошков 3-CuOiRuO2,

25 взятых в следующих количествах,

вес.%: оксид меди (СиО) 63,34 и диС1ксид рутения (RuO2)35,66, или 4 Си-КиОл, взятых в следующих количе твах, вес.%: оксид меди(СиО) 70,64;

36 диоксид рхтения КиО2)29,36.

В качестве стекло ритты используют стекло марки Ru-34, а в качест.0е органического свя,зующего - смесь, состоящую из 15 вес.ч, ланолина, 3 вес-.ч. вазелинового масла и 1 вес. циклогексанола (ЕТО.035.304 ТУ).

Для получения резистивной пасты приготовлено пять смесей компонентов .Каждую смесь приготавливают следующи образом. Порошкообразные компоненты диоксид рутения, оксид родия, оксид меди, гексатанталаты меди и марганца и стеклофритту - перемешивают в тече ние 40 мин в агатовой ступке с пестиком, затем вводят органическое связующее и вновь перемешивают в течение 20-30 мин. Полученную пасту выгружают в плотно закрывающиеся банки из темного стекла, крышки которых оклеивают полиэтиленовой лентой с липким слоем.

Приготовленные пасты наносят на керамические подложки из 22ХС методом трафаретной печати на установке ДЕК-1202 по 20 резисторов размером 2x2 мм на каждую подложку, подсушивают при температуре 300±10°С в течение 10 мин и вжигают в конвейерной печи ДЕК-840. Скорость подъема температуры при вжигании 20-25с/мин. Время выдержки при пиковой температуре 15 мин. Относительная влажность при вжигании 60-75%. Оптимальная пиковая температура 700 и 748°С.

Электросопротивление резисторов измеряют универсальным вольтметром В7-18, ТКС по методике ЕТО 032.546 ТУ в интервале температур +20 - +125°С и от +20 до -55С.

Составы Приготовленных резистивных паст и характеристики изготовленных на их основе толстопленочных резисторов приведены в таблице.

Изобретение позволяет снизить температурный коэффициент сопротивления, повысить стабильность электрического сопротивления, уменьшить удельное поверхностное сопротивление и сократить расход дефицитного дорогостоящего диоксида рутения в технологии изготовления толстопленочных резисторов .

1 .1005196

Формула изобретенияДиоксид рутения (RuO) 6,76-7,03

Резистивная паста, включающая ди-Оксид меди (СиО; 12,24-16,97

оксид рутения, оксид металла УЮ труп-Гексатанталат мепы, г.ексатанталат меди, гексатан-ди (cu TagO gH2O) 0,5-6,0

талат марганца, стеклофритту и орга- Гексатанталат марническое связующее, о т л и ч а -ганца (Мп Та О д-Н2ЬЬ 0,5-7,5

ю щ а я с-я тем, что, с целью они-Стеклофритта 47,5-50,5

жения удельного поверхностного со-Органическое свяпротивления, температурного коэффи-зующее Остальное

.циента сопротивления и повышения ОИсгточники информации,

стабильности электрического сопротив-принятые во внимание при экспертизе

ления, она дополнительно содержит .1. Авторское свидетельство СССР

оксид меди и в качестве оксида ме- 491161, кл. Н 01 С 7/00, 1975.

талла УШ группы - оксид родия при2. Авторское свидетельство СССР

следующем количестве соотношения ком-15по заявке № 3312920/18-21,

понентов, вес.%:кл. Н 01 С 7/00, 1981.

Оксид родия (RhoOj) 0,5-5,0