1
:о
X) Изобретение относится к электрон ной технике и может быть использова но , например в микроэлектронике, в технологии изготовления толстоплено ных резисторов и микросхем. Известна резистивная паста, садержащая диоксид рутения, стеклофритту и .органическое связующее (111 Недостатки известной ре истивной пасты состоят в относительно высоком температурном коэффициенте сопр тивления (ТКС) и узком диапазоне удельного сопротивления. Наиболее близкой к изобретению является резистивная паста, содерг жащая гидрооксихлорид рутения, стек лофрйтту и органическое связунадее Недостатки этой резистивной паст заключаются в относительно высоком температурном коэффициенте сопротивления ( i О, 35x10 41/®С) и узком диапазоне удельного сопротивления (0,05-1000K /D). Цель изобретения - расыирение диапазона удельного поверхностного сопротивления в высокоомнрй области и снижение температурного коэффициента сопротивления Цель достигается тем, что резистивная паста, содержащая токопрово дящую фазу на основе соединений рутения, стеклофритту и органическое связующее, дополнительно содержит оксиды никеля и меди, а в качестве соединений рутения токопроводящая фаза содержит диоксид рутения при следующем соотношении компонентов, мас.%: Диоксид рутения. . ,11 Оксид никеля 2,22-4,63 Оксид меди 2,26-6,44 Стеклофритта 61,0-65,34 Органическое связуквдёе22,0-23,0 В качестве стеклофритты использовано стекло марки RU - 16 (ПВЙО027.003.ТУ), а в качестве органического связующего - смесь, состоя щая из, вес.ч.; ланолина 15, вазел нового масла 3 и циклогексанола (ЕТ0.035.304.ТУ) 1. Для получения резистивной пасты составляют порошковую композицию из диоксида рутения, оксида никеля, меди и стеклофритты Композицию перемешивают в агатовой ступке с пестиком 40 мин,затем вводят рганическую связку и перемешивают со / связкой.еще 20 мин.Пэсту выгружают в плотно закрывающуюся стеклянную банку из темного стекла с Ьезьбовой или притертой пробкой, крышку оклеивают полиэтиленовой лентой с липким слоем. Приготовленную пасту наносят на керамические подложки из 22хС методом трафаретной печати на установке ДЕК-1202 по 20 резисторов размером 2x2 WM на каждую подложку,подсушивают при 300 10 мин и вжигают в конвейерной печи ДЕК 84О в следующем режиме: скорость подъема температуры при вжигании 25i5 град/мин, скорость охлаждения 30±5 град/мин, пиковая температура дЛя пасты 650, 700, 750 и , длительность выдержки при пиковой температуре 15 ±1 мяц, относительная влажность при вжигании 60-80%, средняя толпшна резисторов 19-22 мкм. Электросопротивление резисторов измеряется универсальным вольтметром В7-23 с относительной погрешностью не более 0,15%. Температурный коэффициент сопротивления (ТКС) измеряется по методике ЕГО.032.546 ТУ в интервале температур 20-125°G. Составы резистивной пасты и характеристики изготовленнызс из нее резисторов представленыв таблице. Изобретение ;позволяет снизить температурный коэффициент сопротивления толстопленочных резисторов, расширить диапазон удельного сопротивления, повысить стабильность удельного сопротивления и уменьшить расход дефицитного диоксида рутения в технологии изготовления толстопленочных резисторов.
Пррдолжение таблицы
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Резистивная паста | 1981 |
|
SU1005196A1 |
Терморезистивный композиционный материал | 1981 |
|
SU1008803A1 |
Резистивная паста | 2017 |
|
RU2669000C1 |
ПАСТА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ | 1989 |
|
RU2033648C1 |
Резистивная паста | 2017 |
|
RU2668999C1 |
Способ изготовления толстопленочных резисторов | 1982 |
|
SU1096701A1 |
Резистивная паста | 2017 |
|
RU2669001C1 |
Резистивная паста | 1982 |
|
SU1103294A1 |
СТЕКЛОСВЯЗУЮЩЕЕ ДЛЯ ПАСТ ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ | 1992 |
|
RU2044350C1 |
Резистивная паста | 1979 |
|
SU841068A1 |
РЕЭИСТИВНАЯ ПАСТА, содержащая токопроводящую фазу на основе соединений рутения, стеклофритту и органическое связывающее, о т л ичающаяся тем, что, с целью расширения диапазона удельного сопротивления в высокоомную область и снижения температурного коэффициента сопротивления, она дополнительно содержит оксиды никеля и медИ, а в качестве соединений рутения токопроводящая фаза содержит диоксид рутения при следующем соотношении компонентов, масо% . Диоксид рутения 6,27-9,11 Оксид никеля2,22-4,63Оксид меди . 2,26-6,44 Стеклофритта6170-65,34 Органическое связующее22,0-23,0
56
5492,9
19,2 67,2 9,2
27,9
15,0 14,2 11,9
1 20
20 20
t Продолжение таблицы
Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
Патент США № 3776772, кл | |||
Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов | 1917 |
|
SU2A1 |
Резистивный материал" | 1974 |
|
SU491161A1 |
Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
Авторы
Даты
1984-02-15—Публикация
1982-06-03—Подача