АППАРАТ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ Советский патент 1955 года по МПК C30B7/02 

Описание патента на изобретение SU100842A1

Предметом изобретения является аппарат для выращивания кристаллов из растворов, в частности кристаллов фосфата аммония, снабженный кристаллизатором для образования монокристаллов и нагревателем для уничтожения паразитических кристаллов.

Устройство предлагаемого аппарата обеспечивает по сравнению с известными более эффективную борьбу с паразитическими кристаллами. Достигается это благодаря тому, что днище кристаллизатора выполнено в виде обращенного вершиной вниз конуса, а нагреватель помещен у вершины конусного днища для поддержания ближайших к вершине слоев раствора при температуре, более высокой, чем температура раствора в кристаллизаторе. Вершина конусного днища снабжена стаканообразным отростком, образующим ловушку для выпадающих паразитических кристаллов.

Образующиеся в кристаллизаторе паразитические кристаллы, попадая в область подогретого раствора, вновь растворяются.

На чертеже схематически представлено устройство кристаллизатора.

Конусное днище 1 кристаллизатора заканчивается стаканообразным отростком-ловушкой 2, снабженной нагревателем 3.

Образующиеся в растворе кристаллы-паразиты, падая на дно, скатываются вниз и попадают в ловушку. Так как температура раствора в ловушке значительно выше температуры раствора в кристаллизаторе, попадающие в нее кристаллы-паразиты растворяются.

Похожие патенты SU100842A1

название год авторы номер документа
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ВОДОРАСТВОРИМЫХ КРИСТАЛЛОВ 1997
  • Крамаренко Владимир Анатольевич
RU2114220C1
Устройство для выращивания кристаллов из раствора при постоянной температуре 2021
  • Волошин Алексей Эдуардович
  • Крамаренко Владимир Анатольевич
  • Маноменова Вера Львовна
  • Руднева Елена Борисовна
RU2765557C1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСТВОРА И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 2005
  • Крамаренко Владимир Анатольевич
RU2285068C1
КРИСТАЛЛИЗАТОР ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИЗ ПЕРЕСЫЩЕННОГО РАСТВОРА 1999
  • Крамаренко В.А.
RU2165486C2
Способ выращивания кристаллов и кристаллизатор для осуществления этого способа 1952
  • Поздняков П.Г.
SU100124A1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ 1991
  • Кисиль И.И.
  • Любинский В.Р.
RU2049829C1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ-СЦИНТИЛЛЯТОРОВ НА ОСНОВЕ ИОДИДА НАТРИЯ ИЛИ ЦЕЗИЯ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ 2006
  • Голышев Владимир Дмитриевич
  • Гоник Михаил Александрович
RU2338815C2
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК 1992
  • Охрименко Т.М.
  • Кузнецов В.А.
  • Задорожная Л.А.
  • Матюшкина М.Л.
RU2042746C1
МОНОКРИСТАЛЛ ГЕКСАГИДРАТА СУЛЬФАТА ЦЕЗИЯ-НИКЕЛЯ, СПОСОБ ЕГО ВЫРАЩИВАНИЯ И ПРИМЕНЕНИЕ В КАЧЕСТВЕ ФИЛЬТРА УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ 2006
  • Волошин Алексей Эдуардович
  • Руднева Елена Борисовна
  • Маноменова Вера Львовна
  • Родионов Игорь Дмитриевич
  • Родионов Алексей Игоревич
RU2357020C2
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСТВОРА И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 1999
  • Крамаренко В.А.
RU2148110C1

Иллюстрации к изобретению SU 100 842 A1

Формула изобретения SU 100 842 A1

1. Аппарат для выращивания кристаллов из растворов, в частности кристаллов фосфата аммония, снабженный кристаллизатором для образования монокристаллов и нагревателем для уничтожения паразитических кристаллов, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности борьбы с паразитическими кристаллами, днище кристаллизатора выполнено в виде обращенного вершиной вниз конуса, а нагреватель помещен у вершины конусного днища для поддержания ближайших к вершине слоев раствора при температуре более высокой, чем температура раствора в кристаллизаторе.

2. Аппарат по п. 1, отличающийся тем, что вершина конусного днища кристаллизатора снабжена подогреваемым вышеуказанным нагревателем стаканообразным отростком, образующим ловушку для выпадающих паразитических кристаллов.

SU 100 842 A1

Авторы

Поздняков П.Г.

Даты

1955-09-20Публикация

1951-11-20Подача