Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в технологии изготовления нелиней ных резисторов. известен материал для нелинейных резисторов, представляющий собой сос тав с тек ha системы As - Те -ГГ Ц. Недостаток известного материала состоит в низком коэффициенте нелинейности (до 4) . Наиболее близким к предлагаемому техническим решением является материал для нелинейных резисторов, включаквдий оксид висмута и диоксид кремния 2. Недостаток заключается в низком коэффициенте нелинейности (5). Цель изобретения - увеличение коэффициента нелинейности. Поставленная цель достигается тем что материал для нелинейных резисторов, включающий оксид висмута и диоксид кремния, содержит указанные компоненты в следующих количествах, вес.%: Окснц висмута 75-95 Диоксид кремния 5-25 При изготовлении нелинейного резистора в процессе формовки путем подачи на него повышенного напряжения происходят структурные изменения в стекЛосистеме из смеси вес,%: оксида висмута 75-95 идиоксица кремния 5-25. Исслби;ования показали, что при этом имеет место частичное локгшьное восстановление висмута, в результате чего возникают дополнительные донар|ные центры и материгш между электродами становится неоднородным в большей степени, чем в исходном состоянии. В силу этого изменяется механизм - электропроводности и система Bi - Si О при воздействии дост- точно сильных электрических полей имеет область отрицательного дифференциального сопротивления и повышенный коэффициент нелинейности. Составы материала для нелинейных резисторов и характеристики при токе 1,3 мА прив едены в таблице. Каждьай состав материала для нелинейных резисторов получали смешиванием исходных оксидов нагреванием смеси до 1000-1 в алундов м тигле, вьщержкой расплава при этой температуре в течение 0,5-1 ч и последушцим резким охлаждением путем выливания расплава на металлическую плиту. Все это позволяет повысить коэффициент нелинейности резистивного материала и изготовлять нелинейные резисторы, имешцие практически вертикальный участок вольт-амперной xapeutTeрйстики и близкое к нулевому значению дифференциального сопротивления, а так. же использовать нелинейные резисторы для стабилизации напряжения и ограничения перенапряжений в низковольтной электрорадиоаппаратуре.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Материал для нелинейных резисторов | 1983 |
|
SU1121704A1 |
Способ изготовления нелинейных резисторов | 1982 |
|
SU1120413A1 |
Способ изготовления нелинейных резисторов | 1981 |
|
SU968862A1 |
Резистивная композиция | 1981 |
|
SU957284A1 |
Способ изготовления нелинейных резисторов | 1982 |
|
SU1089631A1 |
Резистивный материал для варисторов и способ его получения | 1982 |
|
SU1042086A1 |
Материал для терморезисторов | 1982 |
|
SU1034079A1 |
Способ изготовления нелинейных резисторов | 1982 |
|
SU1100644A1 |
МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ | 2007 |
|
RU2338283C1 |
ШИХТА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МЕТАЛЛООКСИДНЫХ НЕЛИНЕЙНЫХ РЕЗИСТОРОВ | 1992 |
|
RU2039384C1 |
МАТЕРИАЛ ДЛЯ НЕЛИНЕЙНЫХ ЗИСТОРОВ включающий оксид висмута и диоксид кремния, отличающийip я тем, что,с целью увеличения коэффициента нелинейности, он содержит указанные компоненты в следукщих количествах, вес.%: . Оксид висмута75-95 ; Диоксид кремния 5-25
Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
Патент США 3448425, кл | |||
Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов | 1917 |
|
SU2A1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АЦЕТИЛАМИНООКСИФЕНИЛАРСИНОВОЙ КИСЛОТЫ | 1935 |
|
SU46261A1 |
Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
Авторы
Даты
1983-06-30—Публикация
1981-12-14—Подача