Способ изготовления нелинейных резисторов Советский патент 1984 года по МПК H01C7/108 

N0 4ik Х Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано Б технологии изготовления нелиней ных резисторов. Известен способ изготовления нелинейных резисторов, включающий смешивание оксида цинка с оксидами висмута, сурьмы, кобальта, марганца, добавление стеклосвязки на основе боросиликата висмута, прессование за готовок и их обжиг lj . Наиболее близким к изобретению по технической сущности является спо соб изготовления нелинейных резисторов, включающий смешивание окисда цинка с добавками оксидов металлов прессование заготовок, их обжиг при температуре 900-1400 С, измельчение, добавление связки в виде смеси оксидов свинца, цинка и бора, повторное прессование заготовок с прследзпощим обжигом 2j . Недостаток известных способов закл очается в рабочем напряжении нелинейных резисторов. Цель изобретения - повышение рабо чего .напряжения нелинейных резисторо Поставленная цель достигается тем что согласно способу изготовления нелинейных резисторов, включающему смешивание оксида цинка с добавками оксидов металлов, прессование загото .вок, обжиг их при 900-1400 С, измель чение, добавление стеклосвязки, повторное прессование заготовок с последующим обжигом .в качестве стеклосвязки используют смесь следующего состава, мас.%: Оксид свинца 76-90 Диоксид кремния 5-12 Оксид бора5-12 В процессе обжига керамики, используемой для изготовления нелинейных резисторов, приповерхностные сло оксида цинка, составляющего основу керамики, обедняются основными носителями заряда, т.е. участвуют в форм ровании потенциальных барьеров на гранрщах зерен оксида цинка. Образование обедненных слоев становится возможньм благодаря наличию находящейся в контакте с зернами .оксида ци ка фазы на основе оксида висмута, являющегося важной добавкой керамики. Использование в качестве стеклосвязки взятых в определенных количествах оксидов свинца, кремния и бора обеспечивает при обжиге ограничение роста низкоомных зерен керамики одновременно с образованием высоких ( 1 эВ) потенциальных барьеров на границах раздела фаз. В результате образуется керамика с малым средним размером зерен оксида цинка и высокими потеницальными барьерами на границах зерен, что обеспечивает увеличение рабочего напряжения нелинейных резисторов. Пример. Вначале смешивают 97,5 мас.% оксида цинка с добавками оксидов металлов: 1 мас.% оксида сурьмы и по 0,5 мас.% оксида висмута, кобальта, марганца. Производят мокрьй помол смеси и сушку в термостате при 100-120 .С, из полученной смеси прессуют заготовки, обжигают их при медленном подъеме температуры по 1250 С, вьщерживают при этой температуре в течение 30 мин и медленно охлаждают до комнатной температуры. Затем измельчают полученные керамические заготовки, порошок смешивают с добавкой 0,01-3 мас.% порошка стеклосвязки, состоящей из 76 90 мас.% окисда свинца, 5-12 мас.% диоксида кремния и 5-12 мас..% оксида бора, производят мокрый помол смеси, прессование из нее заготовок и обжиг заготовоз в указанном вьше режиме. В табл. 1 приведена зависимость рабочего напряжения нелинейных резисторов от типа стеклосвязки, а в табл. 2 - влияние химического соста а стеклосвязки на электрические араметры Нелинейных резисторов. Изобретение позволяет повысить абочее напряжение нелинейных реисторов при сохранении высокого начения коэффицие.нта нелинейности и высокой стабильности вольт-амперной характеристики при перегрузках остоянным током.

Таблица 1

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НЕЛИНЕЙНЫХ РЕЗИСТОРОВ включающий смешивание оксида цинка с добавками оксидов ме- таллов, прессование заготовок, обжиг их при 900-1400 С, измельчение, добавление стеклосвязки, повторное прессование заготовок с последующим обжигом, отличающийся тем, что, с целью повьшения рабочего напряжения нелинейных резисторов, в качестве стеклосвязки использую смесь следующего состава, мас.%: Оксид свинца « 76-90 Диоксид кремния 5-12 Оксид бора . 5-12

PbO - ZnO - BiiD - ZnO - BjO BijO - PbO - BjO, SbjO - PbO - BjOj - ZnO - SiO 0,2 PbO - SiO BijOj - . PbO - SiO - BjO - ZnO-Al Oj 0,2 pbO - Si02 - ,2

.10 20 11,6

-70

0,4

0,2 13,8 15

15

0,2

13 02,

12 0,2

12

10

10 0,2

7,5

7,5 0,2

6,5

6,5 0,2

5

5 0,2

3,3

3,5 0,2

2

2 0,2

1 0,2

1

14

1 0,2

13

2 0,2

12 0,2

3

Известный

50-:-и-,-5 Известный f2j 53

-0,18

32 36 33 46 45 42 43 38 34 33 21 25 28

-0,23

lid-примеру

-0,25

-0,13

Предлагаемый

и

-0,ГТ.

-0,2

Лучший

-0,24 Предла гаемый

-0,16

«

-0,29

По примеру

-0,23

-0,25

-0,47 П Ч

-0,39 tt

-0,23 Известная 2J; По примеру Предла гаемая a б л н ц a 2

II204I3

Продолжение табл. 2

8

Продолжение табл. 2

SiO.

,

5 5 5

5

; 232 5 , 255 5

10

1120413

продолжение табл. 2

КоэффициПоказательент нели- мейности стабильностиВАХ

11

..-0.3 -0,37

t

-0,32 По примеру