Электрическая печь для выращивания крупных искусственных кристаллов Советский патент 1956 года по МПК C30B15/00 

Известны электропечи для выращивания искусственных кристаллов из расилавов солей, имеющие Обмотку нагревателя на боковых стенках тигля.

Эти иечи обладают тем недостатком, что наряду с основным кристаллом в них растут и паразитные кристаллы, нриче.м рост последних мешает росту основного кристалла, вес которого вследствие этого достигает лищь 2-4 кг.

Предлагаемая конструкция электропечи для выращивания искусственных кристаллов болыиого веса (например, 25 кг) отличается от известных электрс-печей тем, что, с целью устраиения роста паразитных кристаллов, намотка нагревателя осуществлена непосредственно на тигле, в котором производится илавлеиие солеи и выращ:ива1ние кристаллов, а также введено дополнительное нагревание дна отдельно регулируемым .нагревателем, позвоЛЯЮЩИ1М из менять форму изотерм роста кристаллов.

Принципиальная схема печи изображена на чертеже.

Печь состоит из кожуха, кварцевого, фарфорового или илатннового тигля, выбор которого зависит от темнературы плавления п химических свойств кристаллизуемой соли, и огне порной керамической подставки для нагревателя, расположенной под тиглем.

Неиосредствейно на тигель (1) намотано сопротивление (2) (нагреватель) с

меньшим шагом в верхней части тигля до сравнению с нжж.ней. Снизу гигля на дне огнеупорной керамической подставки (3) расположен отдельно регулируемый нагреватель (4).

Свободное нростраиство в кожухе (5) заполнено изоляционньгм материалом.

Работа печи протекает следующим образом.

В печь загружают кристаллизуемую соль, включают оба нагревателя и соль плавят. Последующими добавками доводят уровень расплава до А обогреваемой высоты тигля и нагревают его до температуры, близкой к точке кристаллизации данной соли. На поверхность ра-сплава опускают «затравочный кристалл, зажатый в холодильнпке, охлаждаемом водой, п осторож1пым понижением тока в нагревателях вызывают аачало роста кристалла. Затем кристалл осторожно начинают вытяпгвать из расплава со скоростью меньшей, чем скорость его роста.

П р е д м е т и з о б р е т е « и я

Электрическая иечь для выращивания круиных искусственных кристаллов, имеющая тигель и обмотку нагревателя, о тл и чающаяся тем, что, с целью устранения роста иаразитных кристаллов, иамотка нагревателя на тигле осуществлена неравномерным шагом, а для обопевання дна тигля -нрименен отдельный нагреватель.