Известны кристаллизационные установки для выранишания монокристаллов нз раснлава методам онускакия тигля, вынолненные в виде трубчатой вертикальной печи с узким металлическим конном-диафрагМО&, расиоложенным в нижней части печи и нагреваемым до высокой темнературы.
Предлагаемое устройство для ускоренного выращивания кристаллов из раснлава отличается от известных тем, что в «ижней части нагреваемой зоны печи вместо диафрагмы-нагревателя помещено массивное металлическое кольцо-охладитель.
Введение в печь охлаждаемого кольца-диафрагмы позволяет производить выращивание кристаллов с высокой скоростью и новышает чистоту кристалла.
На фиг. 1 изображено устройство в разрезе; па фиг. 2-кольцоохладитель.
Тигель / с расплавом укреплен на подставке 2, при помощи которой может перемещаться из обогреваемой верхней камеры 3 трубчатой вертикальной печи в ненагреваемую нижнюю камеру 4. Камеры печн разделены массивным металлическим кольцом-диафрагмой 5, внутри которого по трубам циркулирует охлаждающая жидкость (вода, антифриз и др.) или охлажденный газ. Ось кольца-диафрагмы совпадает с осью тигля, а величина зазора между стенками нагретого тигля н кольцом должна быть минимальной (порядка 0,3-0,5 мм).
Тигель с расплавом опускается в охлаждающее кольцо-диафрагму, что позволяет производить сильное локальное охлаждение растущего кристалла с образованием практически плоской изотермы кристаллизации. Для надежной работы устройства расплав перегревается значнтельно выше темнературы плавления, примерно на 200° и более.
П р с д м с т 11 3 о б р с т е и п я
Устройство для выращивания кристаллов из расилава методом опускания тигля, нагреваемого в трубчатой вертикальной печи с обогреваемой верхней и «енагреваелюй нижней частями с массивным металлическим кольцом-диафрагмой в нижней части нагреваемой зоны печи,. отличаюш,ееся тем, что, с целью ускорения выращиваиия чистых, кристаллов, кольцо-диафрагма охлаждается циркулирующей жидкой, или газовой средой.
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| Устройство для ускоренного выращивания кристаллов из расплава | 1959 |
|
SU132613A1 |
| Электрическая печь для выращивания крупных искусственных кристаллов | 1950 |
|
SU103067A1 |
| Электрическая печь | 1950 |
|
SU91787A1 |
| Способ динамического выращивания монокристаллов | 1946 |
|
SU108256A1 |
| ТЕПЛООБМЕННИК ЖИДКОСТНОГО ОХЛАЖДЕНИЯ | 2012 |
|
RU2560439C1 |
| Способ формирования температурного градиента в тепловом узле печи для выращивания фторидных кристаллов и устройство для его осуществления | 2021 |
|
RU2765962C1 |
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ХАЛЬКОГЕНИДОВ ЦИНКА ИЛИ КАДМИЯ И ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ НА ИХ ОСНОВЕ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ | 1990 |
|
RU2030489C1 |
| УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ОКСИДОВ ТУГОПЛАВКИХ МЕТАЛЛОВ | 2006 |
|
RU2320790C1 |
| Способ выращивания монокристаллов гематита @ -F @ О @ | 1990 |
|
SU1740505A1 |
| УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА (ВАРИАНТЫ), СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА (ВАРИАНТЫ) И МОНОКРИСТАЛЛ (ВАРИАНТЫ) | 1999 |
|
RU2215070C2 |
Физ-. I
ф,т
