Устройство для ускоренного выращивания кристаллов из расплава Советский патент 1960 года по МПК C30B11/00 

Описание патента на изобретение SU132613A1

Известны разнообразные конструкции кристаллизационных зстановок для скоростного выращивания монокристаллов из расплава методом опускания тигля. Например, описана трубчатая вертикальная печь с узким металлическим кольцом-диафрагдмой, расположенным в нижней части печи и нагреваемым до высокой температуры.

Предлагаемое устройство позволяет производить сильное локальное охлаждение расплава, что улучшает и ускоряет процесс выращивания кристаллов. Это достигается наличием в нижней части трубчатой вертикальной печи охлаждаемого сосуда с легкоплавким металлом, в который погружается тигель с кристаллизуемым веществом.

На чертеже представлено устройство в разрезе.

Тигель 1 с расплавом на креплении, устроенном сверху, перемещается из обогреваемой верхней части трубчатой вертикальной печм в не обогреваемую нижнюю часть, где соосно с тиглем установлен сосуд 2, заполненный легкоплавким металлом или сплавом (олово, сплав Розе или Вуда).

Стенки сосуда охлаждаются током протекающей жидкости (вода, антифриз) или охлажденного газа. Сосуд и.меет широкий слив 3, расположенный немного ниже его верхнего края, и приемник 4 для вытекающего из слива металла.

Для успешного действия устройства расплав перегревается значительно выше температуры плавления, примерно на 200° и более. Горячий тигель с расплавом опзскается в охлаждаемый сосуд с легкоплавким -металлом и плавит последний, что приводит в результате интенсивного теплообмена к резкому охлаждению растущего кристалла при одновременном перегреве расплава. Вытекающий из слива металл собирается в приемник.

Устройство значительно повышает чистоту (однородность) и скорость выращивания монокристаллов.

Очистка кристалла от нерастворимых частиц коллоидных размеров и молекулярных примесей с применением охладителя намйого выше, чем без него..

Предмет изобретения

Устройство для выращивания кристаллов из расплава методом опускания тигля, нагреваемого в трубчатой вертикальной печи с обогреваемой верхней частью и не нагреваемой нижней частью, отличающееся тем, что в нижней не нагреваемой части печи помещен охлаждаемый сосуд с легкоплавким металлом, снабженный сливо л и приемником для метала, вытекающего из сосуда при погружении в него тигля с кристаллизуемым веществом.

Похожие патенты SU132613A1

название год авторы номер документа
Устройство для ускоренного выращивания кристаллов из расплава 1959
  • Васильева М.А.
  • Степанов И.В.
  • Хаимов-Мальков В.Я.
  • Шефталь Н.Н.
SU132614A1
Электрическая печь для выращивания крупных искусственных кристаллов 1950
  • Васильева М.А.
  • Степанов И.В.
SU103067A1
Электрическая печь 1950
  • Васильева М.А.
  • Степанов И.В.
SU91787A1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ МАРГАНЕЦ-ЦИНКОВОГО ФЕРРИТА 1990
  • Куриленко В.Г.
  • Саенко И.В.
RU1746759C
СПОСОБ ИЗВЛЕЧЕНИЯ КЕРАМИЧЕСКОГО ЯДЕРНОГО ТОПЛИВА ИЗ ТЕПЛОВЫДЕЛЯЮЩИХ ЭЛЕМЕНТОВ И ТЕПЛОВЫДЕЛЯЮЩИХ СБОРОК 2001
  • Готовчиков В.Т.
  • Середенко В.А.
  • Кривяков О.А.
  • Осипов И.В.
RU2194783C1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА (ВАРИАНТЫ), СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА (ВАРИАНТЫ) И МОНОКРИСТАЛЛ (ВАРИАНТЫ) 1999
  • Кодаира Кохей
  • Нагаи Кунихико
  • Танака Хироюки
  • Сакамото Хидеки
RU2215070C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ФТОРИДОВ КАЛЬЦИЯ И БАРИЯ 2009
  • Гарибин Евгений Андреевич
  • Демиденко Алексей Александрович
  • Миронов Игорь Алексеевич
  • Крутов Михаил Анатольевич
RU2400573C1
Способ формирования температурного градиента в тепловом узле печи для выращивания фторидных кристаллов и устройство для его осуществления 2021
  • Наумов Александр Кондратьевич
  • Кораблева Стелла Леонидовна
  • Аглямов Радик Дависович
RU2765962C1
УСТРОЙСТВО И СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛА ОКСИДА ГАЛЛИЯ 2017
  • Хосикава Кейго
  • Кобаяси Такуми
  • Оба Ецуко
  • Янагисава Дзун
RU2729682C2
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ОКСИДОВ ТУГОПЛАВКИХ МЕТАЛЛОВ 2006
  • Ковальчук Михаил Валентинович
  • Габриэлян Вячеслав Тигранович
  • Грунский Олег Сергеевич
  • Денисов Алексей Викторович
  • Шапиро Аркадий Яковлевич
  • Буташин Андрей Викторович
RU2320790C1

Иллюстрации к изобретению SU 132 613 A1

Реферат патента 1960 года Устройство для ускоренного выращивания кристаллов из расплава

Формула изобретения SU 132 613 A1

SU 132 613 A1

Авторы

Васильева М.А.

Степанов И.В.

Хаимов-Мальков В.Я.

Шефталь Н.Н.

Даты

1960-01-01Публикация

1959-11-25Подача