Запоминающая матрица Советский патент 1983 года по МПК G11C11/14 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть исполь зовано при построении запоминающих устройств с произвольной выборкой и формации, . Известна запоминающая матрица, с держащая диэлектрическое основание, два слоя медных управляющих шин, сл вытравленных из пермаллоя Зс1мкнутых запоминающих элементов, имеющих форму кольцевого сердечника, слои диэлектрика, изолирующие йины друг от друга и от запоминающих элементов. Управляющие шины пронизывают запоминающие элементы, причем контакт между слоями проводников осуществляется за счет металлизации от верстий , выполненных в слоях диэлек рика и находящихся внутри запоминаю щих элементов l . . Недостатком,этой матрицы является малая плотность записи информации, обусловленная большими размерами запоминающих элементов (внешний диа метр равен 0,58 мм, внутренний0,43 мм), вызванными необходимостью наличия по крайней мере двух управляющих шин, пронизывающих запоминающие элементы, и отверстий внутри запоминающих элементов, а так же низким коэффициентом заполнения площади основания из-за кольцевой формы запоминающих элементов. Кроме того, из-за большого внутреннего., диаметра запоминающего элемента управляющие токи для его перемагничивания велики. Наиболее блиаким по технической сущности к изобретению является запоминающая матрица с замкнутыми магнитопленочными запоминающими элементами, содержащая немагнитное основание с нанесенной на его поверхность ферромагнитной пленкой (например, из пермаллоя), систру двух слоев ортогонально расположенных металлических управляющих шин, в мес тах пересечения которых нанесен запо минающий слой в виде ферромагнитных шин под углом 45 к направлениям управляющих шин. В местах перекрытия управляющие шины и ферромагнитные шины запоминающего слоя изолируются друг от друга слоями диэ.лектрика. Магнитный поток замыкается через шину запоминающего слоя и нанесенную на немагнитное основание ферромагнит ную пленку. Выборка необходимого запоминающего элемента осуществляется с помощью управляющих шин по принципу совпадения токов 2 . Недостатком известной матрицы является невысокая плотность записи информации, что объясняется большим размерами запоминающих элементов, поскольку ишна запоминающего слоя и слой диэлектрической изоляции наносятся под углом 45° по отношению к ортогонально расположенным управляклдим шинам. Площадь, .занимаемая запоминающим элементом, не может бы менее чем 6 J , где J - минимад.но возможный геометрический размер, определяемый литографическим процессом изготовления устройства. Кроме того, амплитуда управляющих токов зависит от геометрических размеров запсминающего элемента, а именно от длины минимального пу и8ццц, по которому замыкается магнитный по.ток в запоминакшем элементе. В известном устройстве эта величина определяется значением 3 и не может быть меньше, чеп (). Целью изобретения является, увеличение плотности записи информации и снижение потребляемой запоминающей матрицей мощности. Поставленная цель достигается тем, что в запоминающей матрице, содержащей немагнитное основание, на котором расположены ферромагнитная пленка, два слоя металлических управляющих шин, изолированных от ферромагнитной пленки и друг от друга в местах перекрытия слоями диэлектрика, ферромагнитные шины згшоминающего слоя, изолированные от металлических управляю1У1Х шин слоем диэлектрика и гальванически связанные с ферромагнитной пленкой, металлические управляющие шины второго слоя вьшолиены в виде меандра со скосами у осIнования и вершиной под углом 45, I а ферромагнитные шины запоминающего I слоя расположены ортогонально мётгшлическим управляющим шинам обоих слоев в местах их перекрытия. На фиг.1 изображена конструкция предлагаемой з апоминающей матрицы; йа ФИГ/.2 - разрез АтА-на фиг.1. Запоминающая матрица содержит немагиитное основание 1, на котором расположена ферромагнитная пленка 2 из материала с прямоугольной петлей гистерезиса, например из пермаллоевого сплава, содержащего 80% никеля и 20% железа. На ней расположены металлические управля)(мцие шины 3 и 4, которые изолированы при помощи диэлектрика 5, например двуокиси кремния. В местах перекрытия управляющих шин нанесеиы ферромагнитные шины запоминающего слоя 6, в.ыполненные из того же материала, что и пленка 2. . Таким образом, конструкция предлагаемой матрищл обеспечивает наличие в ией замкнутых магнитопленочных запоминающих элементов. Запоминающая матрица работает следующим образом. В исходном состоянии при отсутстВИИ обращения к запрминакхяим элемен

ЗАПСМИНАЮЩАЯ МАТРИЦА, содержащая немагнитное основание, на котором расположены ферромагнитная пленка, два слоя металлических управляюи х шин, изолированных от ферромагнитной пленки и друг от друга в местах перекрытия слоями диэлектрика, ферромагнитные шины запоминающего слоя, изолированные от металлических управляющих шин слоем диэлектрика и гальванически связанные с ферромагнитной пленкой , отличаювда.яся тем, что, с целью увеличения плотности записи информации и , снижения потребляемой запоминающей матрицей мощности , металлические управляющие шины второго слоя выполнены в виде меандра со скосами у основания и вершиной под угле 45 , а ферромагнитные шины запоминсиовдего слоя расположены ортогонально металлическим управляющим шинам обоих слоев в местах их перекрытия. Э IfS 4 421