Способ изготовления матрицы запоминающего устройства Советский патент 1975 года по МПК G11C5/00 

1

Изобретение относится к вычислительной технике, а именно к технологии изготовления интегральных магнитопленочных матриц запоминающих устройств.

Известен способ изготовления интегральной матрицы запоминающего устройства посредством создания сетки проводников заданной конфигурации, например, методом многослойной печати и покрытия этой сетки проводников магнитным материалом преимущественно с прямоугольной петлей гистерезиса.

При изготовлении многопленочной интегральной матрицы запоминающего устройства известным способом сначала методом многослойной печати из пластика и проводящих слоев получают сетку проводников заданной конфигурации, образующую правильно чередующиеся нерекрестки проводников, которые служат в дальнейщем основой для запоминающих элементов. Части пластика в промежутках между проводниками удаляют механическим путем, в результате чего Б этих местах образуются отверстия. Оставщемуся пластику придают форму рещетки из пересекающихся под прямыл1и углами цилиндров равного диаметра с осями, расположенными в одной плоскости. Эту конструкцию покрывают методом химического осаждения тонкой магнитной пленкой, получаемой восстаповлением никеля и кобальта из гинофосфита. Однако

2

известный способ изготовления матрицы трудоемок, так как операция удаления пластика в промежутках между проводниками нетехнологична; возможности уменьщення размеров

элементов матрицы ограничены из-за необходимости придания перекрестиям решетки заданной формы; надежность изоляции между проводниками матрицы недостаточна из-за возможного закорачивания нроводников при

создании отверстий.

Для повыщения надежности матрицы предлагается диэлектрик между проводниками матрицы оплавлять, например, потоком нагретого газа, а на открытые участки проводников

дополнительно наносить диэлектрик.

При осуществлении описываемого способа на металлизированном с двух сторон диэлектрике с небольщой температурой плавления

методом фотол 1тографии изготавливают с одной стороны адресные проводники, с другой - ортогональные им - разрядные. Локальные участкн матрицы нагревают в потоке горячего газа до температуры, превьинающей температуру плавлеппя диэлектрика, в результате чего образуются отверстия между проводниками.

Па открытые участки проводников наносят диэлектрик, например эпокспдную смолу, методом электроосаждения, который металлизируют и покрывают магнитным материалом с прямоугольной петлей гистерезиса.

Пример. На металлизированном с двух сторон лавсане методом фотолитографии изготавливают с одной стороны - адресные, а с другой - ортогональные им - разрядные проводники. Локальные участки матрицы помещают в поток горячего газа (300-350 С), в результате чего лавсан оплавляется. Открытые участки проводников покрывают слоем эпоксидной смолы методом электрофореза из ванны следуюпдего состава: твердая фаза - 20%-ный раствор эпоксидной смолы марки Э-41 в ацетоне; дисперсионная среда- - нзопропиловый спирт; суспензия 15%-ной концентрации. В суспензию входит 1 % отвердителя (полиэтиленполиамин). Осаждение нроизводят при напряжении 600 В, ток 5 мА в течение

2мин. Нанесенный слой эпоксидной смолы полимеризуют при 120°С в течение 1 час. Нолимер активируют 2%-иьш раствором палладия или хлористого олова и затем подвергают химической металлизации из раствора следующего состава: 30 г/л сернокислого никеля,

10 г/л уксуснокислого натрия, 10 г/л гипофосфита натрия. Толщина металлического слоя

3мкм. Слой металла покрывают слоем магнитного материала, состоящего из 83% никеля и 17% железа, методом электролитического осаждения из ванны следующего состава, г/л:

NiSO4-7H20340

NiCl2-6H2015

FeS04-7H2O8

НзВОз30

Сахарин0,8

Лимонная кислота6.

Нлотность тока 8 мА/см ; время осаждения 1 час. Толщина осажденного слоя - 8 мкм.

Нредмет изобретения

1.Снособ изготовления матрицы запоминающего устройства, заключающийся в создании сетки проводников заданной конфигурации, например, методом многослойной печати и покрытия этой сетки проводников магнитным материалом преимущественно с прямоугольной петлей гистерезиса, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности матрицы, диэлектрик между проводниками оплавляется, например, потоком нагретого газа.

2.Способ по п. 1, отличающийся тем, что на открытые участки проводников дополнительно наносят диэлектрик.