Пленочный резистор Советский патент 1983 года по МПК H01C17/242 H01C7/00 

Изобретение относится к измерительной .технике и может быть использовано при изготовлении гибридных интегральных микросхем поВЕлшенной точности.

Известен пленочный резистор, содержащий диэлектрическую подложку - с размещенным на ней резистивным элементом в форме замкнутой петли, имеющим кольцеобразную внешнюю и кругЛую внутреннюю контактные площадки 1,

Недостаток пленочного резистора неудовлетворительная точность при дискретной подгонке и незначительный диапазон регулирования сопротивления.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является пленочный резистор, содержащий диэлектрическую подложку с последовательно размещенньлч1и на ней резистивным элементом круглой формы с подгоночными элементом и проводящей пленочной .спиралью, соединяющей внешнюю и внутреннюю контактные площадки и расположенную над подгоночным элементом С2.

Недостатком известного пленочного резистора является невысокая точность сопротивления при дискретной подгонке вследствие того, что смежные подгоночные отверстия, определяющие изменение величины сопротивления за один шаг процесса подгонки, а следовательно, и ее точность, расположены на значительном расстоянии друг относительно друга. Данное расстояние определяется конструктивной необходимостью превышения диаметра подгоночного отверстия над шириной планочной проводящей спирали, а также разрешающей способностью процесса формирования элементов пленочного резистора.

Цель изобретения - повышение точности и расширение диапазона регулирования сопротивления резистора.

Поставленная цель достигается тем, что в пленочном реэисторв, содержащем диэлектрическую подложку с последовательно размещенными на ней реэистивным элементом круглой формы с подгоночным элементом и проводящей пленочной спиралью, соединяющей внешнюю и внутреннюю контактные площадки и расположенную- над подгоночным элементом, пленочная проводящая спираль выполнена в виде д:1вусторонней гребенки, а подгоночный элемент - в виде сплошной подгоночной канавки, ширина которой меньию ширины проводящей пленочной спирали в зонах выступов двусторонней гребенки и больше ширины проводящей пленочной спирали в зонах впадин двусторонней гребенки, г1ри этом выступы двусторонней гребенки

на противоположных сторонах пленочной проводящей спирали смещены друг относительно друга на величину, равную половине шага гребенки.

На фиг. 1 изображен пленочный резистор; на фиг. 2 и 3 - фрагменты тонкопленочногсэ резистора.

Диэлектрическая подложка 1 служит для размещения на ней пленочных элементов. Внутренняя контактная площадка 2 выполнена в форме круга, расположена в центре диэлектрической подложки 1 и размещена концентрически по отношению к внешней контактной площадке 3, которая осуществляет коммутатдию пленочного резистора с другими элементами микросхемы при помощи навесной перемычки. Резистивный элемент 4 круглой формы, размеры и материал которого, определяют сопротивление пленочного резистора, расположен между внешней 3 и внутренней 2 контактными площадками. Проводящая пленочная спираль 5, вьополненная из проводящего материала в форме двусторонней гребенки с шагом t (расстояние между смежными выступами), соединяет внешнюю 3 и внутреннюю 2 контактные площадки и предназначена для дискретной подгонки сопротивления пленочного резистора. Под проводящей пленочной спиралью 5 расположена сплошная подгоночная канавка 6, ширина которой меньше ширины проводящей пленочной спирали в зонах ВЕз1Ступов и больше ширины проводящей пленочной спирали в зонах впадин между выступами двусторонней гребенки. Благодаря этому выступы двусторонней гребенки частично соприкасаются с резистивным элементом 4 и соединяют между собой его участки, расположенные по противоположным сторонам проводящей пленочной спирали 5.

Подгонка пленочного резистора осуществляется вначале полным перерезанием проводящей пленочной спирали 5 на одном из участков и затем последовательным перерезанием в зонах над подгоночной канавкой выступов двусторонней гребенки проводящей пленочной спирали 5 посредством электронного луча, лазера или электроэррозионного процесса При этом сопротивление резистора увеличивается в большей или меньшей степени в зависимости от последвательности перерезания выступов двусторонней гребенки проводящей пленочной спирали. Максимальная точность подгонки обеспечивается при- последовательном перерезании по одному выступу двухступенчатой гребенки с каждой из противоположных пленочной проводящей спирали 5, на которых выступы смещены друг

относительно друга на величину, равную половине шага гребенки.

Для проводящей пленочной спирали 5, выполненной в виде симметричной двусторонней гребенки (фиг. 2), при значении разрешающей способности (ширине выступа 100 мкм, шаге гребенки t 200 мкм), т.е. при перерезании одного выступа проводящей пленочной спирали расстояние между внешней 3 и внутренней 2 контактными площадками (электрическая длина резистора) изменяется на 200 мкм, т.е. точность подгонки в 2 раза выше, чем у прототипа. Для проводящей пленочной спирали, выполненной в виде двусторонней гребенки (фиг, 3), выступы на противоположных сторонах которой смещены друг относително друга на величину, равную половине шага гребенки, т.е. на 100 мкм, при перерезании одного вытупа электрическая длина резистора изменяется на 100 мкм, что дает точность подгонки в 4 раза вьоше по сравнению с прототипом.

При наличии сплошной подгоночной канавки 6 сопротивление пленочного резистора определяют выражением

где R - сопротивление квадрата материала резистивной пленки/

Р - электрическая длина резистора, т.е. кратчайшее расстояние между внешней 3 и внутренней 2 контактными площадками;

b - ширина пленочного резистора, т.е. расстояние между

0 смежными витками подгоночной канавки 6.

Таким образом, в результате увеличения величины Rmo,x при неизменном значении R|-nin повышается отно5шение R,

max f а следовательно, расширяется и диапазон регулирования сопротивления пленочного резистора.

Процесс регулирования сопротивления пленочного резистора являет0ся обратимым, т.е. позволяет изменять сопротивление не только в сторону увеличения, но и в сторону его уменьшения путем шунтирования 5 навесной перемычкой центральной части проводящей пленочной спирали 5 и отрезанной части выступа двусторонней гребенки, контактирующей с резистивным элементом 4.

Использование изобретения поз0воляет увеличить точность пленочного резистора в 2-4 раза и расширить диапазон регулирования его сопротивления.

т. 2,

Фиг.З

ПЛЕНОЧНЫЙ РЕЗИСТОР, содержащий диэлектрическую подложку с последовательно размещенными на ней резистивным элементом круглой формы с подгоночным элементом и проводящей пленочной спиралью, соединяющей внутреннюю и внешнюю контактные площадки и расположенной над подгоночным элементом, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и расширения диапазона регулирования сопротивления резистора, проводящая пленочная спираль выполнена в виде двусторонней гребенки, а подгоночный элемент - в виде сплошной подгоночной канавки, ширина которой меньше ширины проводящей пленочной спирали в зонах выступов двусторонней гребенки и больше ширины проводящей пленочной спирали в зонах в.падин двусторонней гребенки, при этом выступы двусторонней гребенки на противоположных сторонах пленочной проводящей спирали смещены один относительно другого на величину, равную половине шага гребенки. СП ел ф