Способ нанесения тонкого слоя металлического таллия на поверхность селена Советский патент 1957 года по МПК C23C14/56 

Электрические параметры селенового выпрямительного элемента в сильной степени зависят от толн1,инь1 и от равномерности раснреле.1ения электронного полупр0)юдни)са по селену.

Известные способы нанесения таллия на поверхность селена в виде солей таллия, распюренпых в воде, в спирте или в других растворителях, а также путем конденсации металлического таллия из его паров под вакуумом не обеспечивают 1 еобходя.мой для высоковольтных э.тементов точности дозировки и степени равномерности распреде,чения таллия по поверхности селена.

Толщина слоя электронного полунроводника составляет, как известно, сотые доли .микрона, и поэтому не поддается измерению и когггролю равномерности раснределе1П;я обычньг н-1 .меTo;iaMH.

Предлагаемый способ позволяет- обеспечить ненрерывный контроль толщины и равномерности распределения получаемого noBepxHOCTHOiO слоя селенида таллия в процессе его нанесения. Это достигается внесением в пары таллия, наносимого на селен под вакуу.мом, радиоактивного изотопа.

Наличие радиоакт11В1 Ого изотопа в наносимом металле создает возможность с помонило счетчиков радиоактгн пого излучения определить сколь угодно малую толщину селенида таллия и обеспечить - тем самым требуемую толщину запираю1це1о слоя. Кроме того, применяя метол,ы радиографии, можно получить картину распределения тал,тия на селене обиаружитъ все дефекты его нанесения.

Пред м е Т и з о б р е т е н и я

Способ нанесения тонкого слоя металлического таллия на поверхность селена путем гсомденсащш таллия из его паров под BBivvyjiOM при изготов.:1ен1Н1 селеновых выпр5 н-ггелей, отличающийся тел, что, с целью обеспечения возможности осуществления непрерывного контроля толщины и равномерности получаемого при этом поверхностного слоя селенида таллия, в нары таллкя вводят радиоактив1н й изотоп.