Способ контроля толщины кристаллических пластин Советский патент 1976 года по МПК G01B11/06 G02B5/28 

Описание патента на изобретение SU108582A1

Способ контроля толщины кристаллических пластин для интерференционно-поляризационных светофильтров в процессе их доводки, при котором одна пластина используется в качестве опорной для другой, известен по основному авт. св. № 99386.

Описываемый способ, являющийся видоизменением известного способа, применим только при условии однорбдности материала пластин и определенном соотношении их толщин. -Это ограничение компенсируется возможностью работы при любом источнике света и произвольной температуре. .

При осуществлении предлагаемого способа изготовленные из однородного материала пластины контролируют попарно.

Одна из этих пластин, доведенная ранее одним из известных способов, является опорной для второй, имеющей толщину в два раза большую или меньшую, чем у первой. О правильности доводки судят по равенству отчетов компенсатора Сенармона, полученных при контроле сначала одной, а затем обеих п 1астин одновременно.

При помощи точно изготовленных опорных пластин, каждая из которых относится к части фильтра, однородной по кристаллическому материалу, не требуются поправки на температуру. Используемое монохроматическое излучение по длине волны может значительно отличаться от излучения, для которого изготовляется интерференционно-поляризационный фильтр. Это обстоятельство облегчает подбор подходящего источника света.

Величина показателя двойного преломления ц определяется с относительно небольщой точностью. Она находится из таблиц физических величин простым интерполированием для требуемой длины волны Я. Для опорной кристаллической пластины А, точно доведенной для данной длины волны АО, при определенной температуре То разность хода

L равна /СХо ло, где ККо есть целое число - порядок интерференции.

№ 108582- 2 -

Для примера принято, что необходимо произвести доводку пластины Б из такого же по оптическим константам кристалла при выполнении условия:

L mKiKo + Д/С.о, где(1)

L - разность хода в пластине Б при температуре То,

ККй-небольшое заданное целое число,

т - коэффициент, равный 2 или 0,5 в зависимости от выбора опорной пластины А.

Одинаково ориентированные в рабочих оправах пластины Л и 5 помещают в поляризационную установку с компенсатором Сенармона, причем более толстый кристалл (например Л), устанавливают ближе к поляризатору. Измерения производят в монохроматическом излучении с длиной волны Л. Пластины Л и 5 «отстаиваются пока не примут одинаковую температуру Т. Если развернуть кристалл Л на угол 45°, то окажется, что он не участвует в образовании разности хода. Измеренная дробная часть порядка интерференции х относится целиком к более тонкому кристаллу Б. Далее кристалл Л поворачивают в первоначальное положение, а кристалл Б-на угол 90°. Суммарная разность хода L теперь будет равна LA -LE . При этом дробная часть порядка интерференции окажется равной к.

Если бы пластина Б была точно в два раза тоньше, чем А, как это требуется для идеального интерференционно-поляризационного светофильтра, то разность ХБ- была бы равна нулю, так как в обоих случаях отсчитывали бы одинаковый угол поворота анализатора.

Разность отсчетов указывает на отступление от кратности толшин и дает возможность определить его величину. Избыток толшины А/Б у пластины Б вычисляют по формуле:

А/и (хг, - х) cfA + AW. ,(2)

где dh - прирашение толщины, соответствующее изменению порядка

интерференции на единицу, для длины волны л.

Величину А/СА, находят вычислением по формуле, в которую входят ТОЛШ.ИНЫ пластин/д и /s. полученные обычным измерением на оптиметре.

А/СЯ - ближайщее целое со стороны меньших чисел равно

IA - 2 IB,„,

Jl.

Если дробная часть частного-тл- отличается от единицы или

нуля на малую величину, соответствующую погрешности измерения /л и IB, то при определении А/С. нужно принимать во внимание ХБ - х, как поступают при измерениях микрометром, когда сомнителен отсчет целого числа миллиметров и обраш;ают внимание на отсчеты сотых долей. Избыток толщины ЫБ , подлежащий снятию полировкой, определяют по формуле:

6//; А/й-А/СЯо- Яо ,(4)

где rfXo - приращение толщины, соответствующее увеличению

порядка интерференции на единицу для длины волны X.

А/СЯо-ближайшее целое со стороны меньших чисел, определяют по формуле:

(

1 2 /

Похожие патенты SU108582A1

название год авторы номер документа
СПОСОБ КОНТРОЛЯ ТОЛЩИНЫ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ 1972
SU344265A1
Способ контроля толщины кристаллических пластин для интерференционно-поляризационных светофильтров в процессе их доводки 1950
  • Иоффе С.Б.
SU99386A1
Способ контроля кристаллических пластин интерференционно-поляризационных фильтров в процессе их доводки 1958
  • Иоффе С.Б.
SU121240A1
Устройство для контроля толщины кристаллических пластин в процессе доводки 1985
  • Кузнецов Борис Васильевич
SU1330459A1
Устройство для контроля толщины кристаллических пластин в процессе доводки 1987
  • Кузнецов Борис Васильевич
SU1479823A2
Способ определения целых порядков интерференции поляризованных лучей 1978
  • Пеньковский Анатолий Иванович
SU789689A1
Интерференционно-поляризационный рефрактометр 1977
  • Александров М.Л.
  • Готлиб В.А.
  • Комаров Н.Н.
  • Лейкин М.В.
  • Молочников Б.И.
  • Павленко В.А.
SU701243A1
Устройство для измерения разности хода в эталоне фабри-перо 1975
  • Брикс Алла Леонидовна
SU658411A1
Устройство для контроля толщиныКРиСТАлличЕСКиХ плАСТиН ВпРОцЕССЕ дОВОдКи 1978
  • Иоффе Симон Борисович
  • Кузнецов Борис Васильевич
  • Родионов Евгений Петрович
SU813133A1
Поляризационно-оптическое устройство для реверсивного счета полос интерференции 1982
  • Романюк Николай Николаевич
  • Романюк Николай Алексеевич
  • Костецкий Алексей Михайлович
SU1032329A1

Реферат патента 1976 года Способ контроля толщины кристаллических пластин

Формула изобретения SU 108 582 A1

SU 108 582 A1

Авторы

Иоффе С.Б.

Даты

1976-07-25Публикация

1954-01-12Подача