Сегнетокерамический материал Советский патент 1977 года по МПК C04B35/468 H01G4/12 H01B3/12 

фильеру пленки, на которую наносят палладкевые электроды. Образцы обжигают при 1300 - 1360°С в течение 2 - 4 час и нолуijfHOT дисковые или монолитиые заготовки конденсаторов из сегиетокерамического материала.

Сегнетокерамический материал имеет величнну диэлектрической нроиицаемости 2900 - 3200.

Конденсаторы, наготовленные из этого материала, имеют высокую стабильность емко f

стн- + 15% в интервале температур от

С20С

-60 до +125°С.

Как видно из приведенных данных, величина диэлектрической проницаемости предлагаемого материала на 15% выше, чем диэлектрическая проиицаемость известного материала, а температурная емкость предлагаемого материала не превышает +15%, в то время как у известного материала она составляет +20%. Более высокие электрические характеристики предлагаемого материала позволяют получать более качественные конденсаторы.

Кроме того, отсутствие в составе сегнетокерамического материала дефицитной окнсн

висмута позволяет получать монолитные, копдеисаторы с более дешевыми палладиевыми электродами, а не с дефицитными платиновыми.

Формула изобретения

Сегнетокерамнческий материал, преимушественно для изготовления конденсаторов, содержащий титанат бария, окись самария и нятиокись ниобия, о т л н ч а ю щ и и с я тем, что, с целью повышения его диэлектрической проницаемости и улучшения температурной стабильности емкости, ои дополнительно содержнт углекислый барнй и углекислый марганец при следующем соотношении исходных компонентов, вес. %:

Титанат бария92-98

Окись самария0,3-2,4

Углекислый барий0,3-3,0

Углекислый марганец0,1-0,6

Пятиокись ниобия0,3-3,0

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР №495290, кл. С 04 В 35/00, 1974.