00 ;0
1
Ot)
: Изобретение относится к акустике., в частности к методам изготовления тонких мембран для микрофонных устройств.
Известен способ изготовления мемб ран конденсаторных микрофонов включающий помещение внешнего кольца в углубление, выполненное в листе хшастического материала и имеющее высоту и диаметр, равньге высоте и диамат ру самого кольца,укладывание фольги на кольцо 5прижим накладкой из г-шгкого материала5 имеющей отверстие диаметpoMs равным внзтреннег- у диаметру внешнего кольца закрепление внутрен него кольца на подвижной оправке и с ее помощью вдавливакие внутреннего кольца во внешнее через отверстие в накладке I I ,
Однако при этом способе изготовле ния мембраны сложен технологический процесс.
Наиболее близким техническим ре™ шением к предлагаемому является способ изготовления пленочных мембpaHj в котором на плоские электроды КЗ нержавеющей стали наносят гальваническим методом металлическую п.пенку, которую соединяют одним из известных способов (пайкой I с жестко оправкой и.отделяют электроды от металлической пленки 2 J.
Однако способ изготовления плено lihix мембран сложен,, так как вюшчает необходимость использования жесткой оправки для отделения металлической пленки от электрода и связанкьгх с этим технологических операций. При изготовлении мембраны таким способом снижается ее качество, так как возможен ее разрыв при отделении от электрода из-за очень высокого сцепления с электродом из нержавеши);ей стали.
Цель изобретения упрощение текнологического процесса и улучше1-ше качества пленочных мембран о
Поставленная цель достигается тем что в способе изготовления пленочных мембран,, включающем гальваничег: ское осаждение металлической пленки: на ее электроды и ее последующее отделение, на электродах предвари.тель- но формируют диэлектрическое покры- тиа с окнами, соответствующими форме мембран, а в качестве электродов ис™ пользуют пористьсй кремний, полученный путем анодной обработки при следующем режиме
Концентрация плавиковой кислоты,%
10-50 |Плотность тока.
WA/CM1-200
Время обра ботки, , 1-10
Использование пористого кремния в качестве электродов,на которые произ водят гальваническое осаждение металлической пленки, вызвано тем, что при осаждении металлической пленки на полированный кремний происходит самопроизвольное ее отслаивание при незначительной толщине, вслэ.пствие низкого сцепления металла с полированным кремнием. Полированный кремний позволяет с помощью варьирования режимов и состава раствора для его ползчения изменять размер, количество и глубину пор на поверхности кремния5 а следовательно, изменять и силу сцепления гальванически осажденного металла с пористым кремнием.
При концентрации плавиковой кислоты менее 50%,как и при плотности тока более 200 мА/см происходит переход процесса формирования пористого кремния в процесс электрополировки Максимальная концентрация плавиковой кислоты в электролите обусловлена тем, что чистая плавиковая кислота имеет концентрацию 50%. Нижнее значение плотности, тока равное I мА/см связано с тем, что при меньших плотностях тока скорость фор М ирования пористого кремния незначиг тельна. При времени анодной обработки менее 0,1 мин глубина пор слишком мала, чтобы обеспечить достаточное сцеапение слоя осажденного металла с пористым кремнием. При времени анодной обработки, превышающем 10 мин, дальнейшего увеличения сцепления металлической пленки с пористым кремнием пе происходит.
Для получения мембран заданных размеров; на электродах из пористого кремния формируют диэлектрическое покрытие требуемой конфигурации например, путем избирательного нанесения на электроды из пористого кремния химически стойкого лака. После гальванического осаждения металлической пленки в окна диэлектрического покрытия осуществляют механическое отделение металлической пленки от электрода, например, путем приложения усилия, сдвигающего метал31089766 «
лическую пленку на поверхности электч верхность электрода, шероховатость рода..которого составляет vl4 и надежно
Полученные данным способом метал- обеспечивают у-повторяемость электролические пленки имеют поверхность .акустических свойств мембран при высокой чистоты 4 дублирующую ПС- 5 сравнительно простой технологии.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ МЕМБРАН | 1991 |
|
RU2032277C1 |
Способ изготовления сверхтонких пленочных мембран | 1991 |
|
SU1794283A3 |
Способ формирования на поверхности кремниевых полупроводниковых структур слоя золота, электрохимически осажденного из электролитов с pH=6-7 | 2021 |
|
RU2778998C1 |
Способ изготовления запоминающего устройства | 1985 |
|
SU1327188A1 |
Способ получения кремниевой пористой мембраны | 2018 |
|
RU2690534C1 |
Способ получения нанопрофилированной ультратонкой пленки AlO на поверхности пористого кремния | 2015 |
|
RU2634326C2 |
ДАТЧИК ГАЗОАНАЛИЗАТОРА | 1992 |
|
RU2030738C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОПЛИВНОГО ЭЛЕМЕНТА С ТВЕРДЫМ ПОЛИМЕРНЫМ ЭЛЕКТРОЛИТОМ | 2006 |
|
RU2325012C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОМПОЗИЦИОННЫХ МЕМБРАН НА ОСНОВЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК МЕТАЛЛОВ | 2004 |
|
RU2285748C2 |
Способ получения газочувствительного элемента на основе многослойной структуры пористого кремния на изоляторе и SnO | 2017 |
|
RU2674406C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВШНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ МЕМБРАН,: включающий гальваническое осаждение металлической пленки на электроды и ее последующее отделение , отличающийся тем, что, с целью упрощения технологического процесса и улучшения качества пленочных мембран, на электродах предварительно формируют диэлектрическое покрытие с окнами, соответствующими форме мембран, а в качестве электродов испольэуют пористый кремний, полученный путем анодной обработки при следующем режиме Концентрация плавиковой кислоты, %Ю-50 Плотность тока, мА/см J-200 Время обраi 0,1-10 ботки, мин (Л
Авторы
Даты
1984-04-30—Публикация
1982-08-12—Подача