Стекло Советский патент 1984 года по МПК C03C3/10 

4;

05 1 Изобретение относится к технолог силикатов, к производству алюмоборосиликатного барийсодержащего стек ла, предназначенного для использова ния в микроэлектронике в качестве легкоплавкой составляющей резистив ных композиций с проводящей фазой н основе двуокиси олова, модифицированной пятиокисью сурьмы. Известно стекло, включающее, мае.%: Резистивные композиции, изготовленные на основе указанного стекла с добавками SbjO,, или fb20, позволяют получить пленки с величиной сопротивления от сотых долей Мам/й до 10 ГОм/о с величиной ТКС от (-700) 10 град до 1100-10 град- П. Недостатком этого материала явля ется узкий диапазон сопротивления. Наиболее близким к изобретению по технической сущности и достигаемому результату является стекло 2 включающее мае.%: 35,5-36,5 20,5-21,5

Таблица 1 Однако известное стекло обладает удовлетворительными физико-химическими характеристиками, но из-за присутствия в составе In,О стоимость материала высока. Целью изобретения является удешевление при сохранении электрофизических характеристик и повышение водостойкости. Поставленная цель достигается тем, что стекло, включающее Si02, AljO, BjOj, ВаО, ZrOj, дополнительно содержит Sn02 и Sb Oj при следующем соотношении компонентов, мас.%: Для синтеза указанных стекол используется обычная технология производства, включающая составление шихты, варку стекла в электрической и газовой печах при 1350°С, вьработку изделий методом отливки и прессования с последующим их обжигом в электрических муфельных печах. В табл. 1 приведены компоненты и свойства предлагаемого и известного стекол.

СТЕКЛО, включающее Si02, AljOj, BjO, BaO, ZrOj, о т л и -чающееся тем, что, с целью удешевления при сохранении электрофизических характеристик и повышения водостойкости, оно дополнительно содержит 5пО„ и при следующем соотношении компонентов, мае.%: SiOj5-7 . 18-20 .35-37 БзОз ВаО33-35 ZrOj 1-2 1-2 SnO Sb2.05 1-3

остав стекла, мае, SiO,

37,0

А1,0з

18,0 ВаО

35,0

ZrOx

SnO

SbjOj

6,0

7,0

5-7

6,0

35,0

35-36,5

19JO

0,0 20,5-21,5

3,0

34,0 30,0-32,0

2,0

2,0

1-2 .

1,0

2,0 4-5

2,0

1,0 20,3

Кристаллизационная способность, °С

Температура размягчения, С

Коэффициент теплового распшрения oi 10 град-60i:1

Удельное электрическое сопротивление. Ом-см

при 100°С при

Химическая устойчивость (потери массы по отношению к воде), %3,87

Электрофизические характеристики станнатных

Удельное электрическое сопротивление р Ом/о Температурный коэффициент сопротивления ТКС в интер- . вале 1/град: (-60)-20С(-1000)-10-4(-650) Ч0 20-125 € Коэффициент влагостойкости, 4R/R0,17

Таким образрм, использование в предлагаемом составе стеклосвязки компонентов проводящей фазы SnO и SbjOg по сравнению с известным создает условия для поддержания компо- . нентов проводящей фазы в электрически активном состоянии, что позволяПродолжение табл. 1

Не кристаллизуются

560110560110570-590

60 + 1

6011

61,7-63,5

10 lo-is

2,5-10Э 10

Л510

5,38

5,19

5,5-63,1 резисторов

3,5-10 lOf

5-10

7-10

ет получить толстопленочные станнатные резисторы низкоомного диапазона с пониженным ТКС.

В табл. 2 приводен расчет стоимости 100 кг стекломассы по шихте предлагаемого и известного стекол. 1000)-10- (-1020)- (960-980) -10 (-700) 10 (-700) 10 -(750-800) -10 0,33 0,25 0,15-0,44 Как показывают эти данные предлагаемое стекло по стоимости шихты более чем в 8 раз дешевле известного. Использование предлагаемого стекла в качестве стеклосвязки резистивных композиций с проводящей фазой из Sn02HSb20j позволило не толь

Таблица 2 ко получить станнатные резисторы низкоомного диапазона с электрофизическими параметрами на уровне индиевого стекла, но и повысить стабильность электрических параметров станнатных резисторов на что указывает величина разброса коэффициента влагостойкости ДК/К а кроме того повысить водоустойчивость.