Стекло Советский патент 1986 года по МПК C03C3/64 

1

Изобретение относится к технологии силикатов, к производству легкоплавкого алюмоборосиликатМого бариевого стекла, предназначенного для использования в микроэлектронике в качестве стеклосвязки толстопленоч- ньк недефигщтных резисторов.

Цель изобретения - повышение температуры размягчения и химической ус тойчивости.

Характерной особенностью толсто- пленочных недефицитньк станнатных резисторов является относительно высокий по сравнению с другими типа ми композиционных резисторов темпе ратурньй коэффициент сопротивления ТКС. Применение в качестве легкоТемпература размягчения, °СббО+Ю

660-ИО

60-1-1

3,52

3,40

-770-10

-780-10

б

.6

+20 --125 0 -630-10 -650-10

39107 .i

плавкой составляющей станнатных ре- зистивн1;1х композиций стекол позволило реализовать диапазон сопротивлений стая.натных резисторов 10 -10 Ом 5 с ТКС (750-1050) 10 град- .

Цчя синтеза указанных стекол используется обьгчная технология производства, включающая составление ших10 ты, варку стекла в электрической и газовой печах при 1350°С, выработку изделий методом отливки и прессования с последующим их отжигом в электрических муфельных печах.

15В таблице представлены конкретные

составы стекол и их физико-химические свойства.

660+10

660+10

550+10

60+1

60+1

56+1

3,27

3,05

3,95-4,75

790-10 -800-10

-(830-880)- 10

-680-10 -700-10

-(650-700)-10

,-в

- 12391074

Таким образом, наличие в составения ,, 0 в проводящей фазе и

стеклосвязки повышенного содержанияполучить композиционные станнятные

компонентов проводящей фазы, в част-резисторы с пониженной величиной ТКС

ности SbjOj, позволило повысить тем-без использования при синтезе стекла

пературу размягчения в химическую5 дорогостоящей и дефицитной ,

устойчивость стекла по сравнению с что обеспечивает ему положиизвестными, а также создать условиятельньш эффект по сравнению

для поддержания заданного соотноше-с известным.