90 О 00 9 1118 Изобретение относится к техноло-г гии силикатов, к производству алюмоборсиликатного барийсодержащего стекла, предназначенного для использования в микроэлектронике в качестве .легкоплавкой составляющей резистивных композиций с проводящей фазой на основе двуокиси олова, модифицированной пятиокисью сурьмы. , Целью изобретения является получение низкоомных резисторов с пониженным температурном коэффициентом сопротивления, В таблице приведены составы предлагаемых стекол и их физико-химические свойства. Таким образом, использование в составе стеклосвязки компонентов 02 проводящей фазы SnOg и SbgO н небольшого изменения основного состана улучшает .те15мические и химические свойства стекла по сравнению со Стеклом известного состава и создает условия для поддержания компонентов . проводящей фазы и электрически активном состоянии, что позволяет получить толстопленочные станнатные резисторы низкоомного диапазона с пониженным ТКС. Для синтеза указанных cTeKOJj используется обычная технологий производства, включающая составление шихты варку стекла в электрической и газовой печах при ГЗЗ., выработку изделий методом отливки и прессования с последующим их обжигомв электрических муфельных печах.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Стекло | 1982 |
|
SU1036695A1 |
Стекло | 1982 |
|
SU1104116A1 |
Стекло | 1983 |
|
SU1142459A1 |
Стекло | 1982 |
|
SU1036694A1 |
Стекло для толстопленочных резисторов | 1987 |
|
SU1595803A1 |
Стекло | 1982 |
|
SU1073194A1 |
Стекло | 1985 |
|
SU1239107A1 |
Стекло для толстопленочных резисторов | 1981 |
|
SU996356A1 |
Стекло | 1987 |
|
SU1527198A1 |
Стекло | 1988 |
|
SU1608142A1 |
СТЕКЛО, включающее SiO, BjO,, AljO,, Вас, InjO,, ZrOg, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью получения низкоомньк резисторов с пониженным температурным коэффициентом coпpotивлeния, оно дополнительно содержит SnO и SbjO. при следующем соотношении компонентов , мае.%:4,0-9,0 Si02 30,0-34,0 , 18,0-20,0 Al-jO, 27,0-29,0 Вас 4,0-5,0 , 1,0-2,0 ZrOj iS 3,0-4,0 Sn02 4,0-6,0
Состав стекла, мае. SiO , Температура варки, С Кристаллизационная способность, € Не кристаллизуют Температура размягчения. 550+10 550+ Коэффициент теплового расширения oi 10 , град 56+1 5б±1
Удельное электрическое сопротивление, Ом см
(«
при 100°С10
при
If 16
I 10 -3,510
10
13 13
13
10 -2,5-10
10 5,0-7,0 35,5-36,5 20,5-21,5 30,0-32,0 4,0-5,0 1,0-2,0 570-590 50+10 61,7-63,5 6±1
Химическая устойчивость (потери массы по отношению к врде),%3,95 4,25 4,75
Электрофизические характеристики станнатных резисторов
Удельное электрическое сопротивление /э , Ом/п
Температурный коэффициент сопротивления .ТКС,
-Продолжение таблицы.
5,5-6,31
5-10 - ю
2-103
10
(960-980)40 (750-800). Ю
0,15-0,44
Стекло | 1982 |
|
SU1081136A1 |
Переносная печь для варки пищи и отопления в окопах, походных помещениях и т.п. | 1921 |
|
SU3A1 |
Стекло | 1982 |
|
SU1036695A1 |
Переносная печь для варки пищи и отопления в окопах, походных помещениях и т.п. | 1921 |
|
SU3A1 |
й-::: |
Авторы
Даты
1985-09-23—Публикация
1983-12-30—Подача