Способ изготовления магнитного носителя информации Советский патент 1991 года по МПК G11C11/14 

311247 Поставленная цель достигается тем, что в способе изготовления магнитного носителя информации, основанном на последовательном нанесении в вакууме с на диэлектрическую подложку слоев ферромагнитного материала при температуре 473-523 К и стабилизации структуры слоев ферромагнитного материала. стабилизацию структуры слоев ферро- ю магнитного материала осуществляют путем нагревания диэлектрической подложки в вакууме до температуры 623 673 К в течение времени от 0,5 ч до I ч. ПослеЭтого носитель информации fs охлаждают до нормальной температуры. Такой режим приводит к меяодуслойной диффузиии ферромагнитных материалов и стабилизирует структуру слоев, 84 В соответствни с изобретением изготовлены носители информации, состоягщие из чувствительных слоев сплава железо - никель - кобальт и активного слоя кобальта. Изготовление носителя производилось в вакууме порядка 10 Па. Для сравнения такой же носитель информации изготовлен по известному способу, В том и другом случае определили-ширину полосы пропускаемых частот и процент выхода годных изделий. Носитель информации, изготовленный по предлагаемому способу, обладает примерно в пять раз большей полосой пропускаемых частот, при этом выход годных изделий повьш1ается в 10 раз.

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАГНИТНОГО НОСИТЕЛЯ ИНФОРМАЦИИ, основаиИзобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для изготовления носителей информации устройств запоминания и обработки радиосигналов. Известен способ изготовления магнитных носителей информации, заключающийся в нанесении в вакууме слоя ферромагнитного материала на диэлектрическую подложку при одновременном нагревании подложки до 473-573 К и последующем ее охлаждении до комнатной температуры. Недостатком способа является низкий вьрсод годных изделий. Наиболее близким по технической сущности к изобретению является способ изготовления трехслойного пленочного носителя информации, включающий последовательное нанесе- ный на последовательном нанесении в вакууме на диэлектрическую подложку слоев ферромагнитного материала при температуре 473-523 К и стабилк зации структуры слоев ферромагнитного материала, отличающий- с я тем, что, с целью повышения выхода годных носителей информации, стабилизацию структуры слоев ферромагнитного материала осуществляют путем нагревания диэлектрической подложки в вакууме до температуры 623-673 К в течение времени от 0,5 до i ч, после чего носитель информации охлаждают до нормальной температуры. «в ние в вакууме на диэлектрическую подложку первого чувствительного слоя ферромагнитного материала, активного слоя ферромагнитного материала с ядерным магнитным моменtC том, второго чувствительного слоя, 4 1 причем во время нанесения подложку нагревают до 473-523 К, а после наСП несения охлаждают до 300 К. 00 Недостатком способа является также низкий выход годных изделий, обусловленный тем, что при изменении скорости нанесения слоев, времени их нанесения, температуры подложки проис ходит изменение структуры слоев, приводящее к понижению чувствительности и информационной емкости носителя информации. Целью изобретения является повышение выхода годных носителей информации.