Изобретение относится к способам выращивания кристаллов из расплава кристаллизуемого соединения и может найти применение Е химической промышленности при получении кристаллов тугоплавких и раз1пагающихся соединений.
Изделигя из полупровод1:1иковых материалов типаА В , обладая высокими оптическими; механическими, люминесцентными и другими характеристиками, находят г применение, например, в технике средств отображения информации АСУ, в злектронной, ядерной к лазерной технике.
Кристаллы селенида цинка обладают низким коэффициентом оптического погло-. щения в ИК-диапазоне и применяются в качестве оптических элементов (окна, линзы) мощных ИК-лазеров.
Целью изобретения является улучшение оптических свойств кристаллов селенида цинка.
На чертеже представлено изменение коэффициента поглощения кристаллов селенида цинка в зависимости от давления инертного газа в ростовой камере.
Как видно из чертежа, при прочих равных условиях выращивания коэффициент поглощения выращенных кристаллов, измеренных на лине волны 10,6 мкм, при 2 ат равен 2,6 см при5ат2,2-10 см при 10 ат 1,9 см и вновь возрастает при 20 ат до 2,4-10 см и при 25 ат до 2,6-10 см
Пример. Предварительными опытами в зависимости от конфигурации витков нагревателя и потребляемой мощности устанавливают ширину расплава в графитовом тигле по сплавившемуся порошкообразному сели.жду цинка, которая вначале не должна быть более 2 см. Руководствуясь полученными при этом параметрами, осуществляют последующее выращивание
кристаллов.
Предварительнр оплавленную исходную массу селенида цинка кристаллизуют при пропускании тигля со скоростью 1,0 см/ч через температурный градиент нагревателя при ширине зоны расплава 2 см и манометрическом давлении инертного газа
+ 2 в компрессионной печи ат.
Изготовленные из кристалла оптические элементы диаметром 6,0 см и высотой 10 см имеют коэффициент поглощения на длине волны 10,6 мкм в пределах 2-1,9-10 cм Приведенные технологические параметры являются оптимальными и обеспечивают получение совершенных кристаллов.
Использование предлагаемого способа выращивания кристаллов селенида цинка обеспечивает по сравнению с известными уменьшение размера пор в кристалле более чем на порядок и снижает величину показателя поглощения более чем в 2 раза.
(56) Авторское свидетельство СССР №681626, кл. С 30 В 11/02, 1977.
Кулаков М.П., Савченко И.Б., Фадеев А.В. Некоторые свойства кристаллов селенида цинка, получаемых из расплава. 6-я Международная конф. по росту кристаллов. Москва; Расш. тез., т. 3 Рост из расплава и
высокотемпературных растворов. Метод, материалы. М., 1580. с. 185-196
Авторское свидетельство СССР №713014, кл. С 30 В 11/02, 1978.
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ХАЛЬКОГЕНИДОВ ЦИНКА ИЛИ КАДМИЯ И ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ НА ИХ ОСНОВЕ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ | 1990 |
|
RU2030489C1 |
| Способ выращивания монокристаллов халькогенидов цинка и кадмия | 1977 |
|
SU681626A1 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ ХАЛЬКОГЕНИДОВ ТИПА AB Использование: в приборостроении, квантовой электронике, лазерной спектроскопии и т | 1991 |
|
RU2031983C1 |
| Способ получения кристаллов соединений А @ В @ | 1987 |
|
SU1478680A1 |
| Способ обработки кристаллических элементов на основе селенида цинка | 1989 |
|
SU1630334A1 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ОПТИЧЕСКОГО СЕЛЕНИДА ЦИНКА | 2010 |
|
RU2490376C2 |
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТУГОПЛАВКИХ ОКСИДОВ | 2006 |
|
RU2320789C1 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО МАТЕРИАЛА N-ТИПА НА ОСНОВЕ СЕЛЕНИДА ЦИНКА | 2000 |
|
RU2170291C1 |
| СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ГЕРМАНИЯ | 2014 |
|
RU2563484C1 |
| Способ получения оптически прозрачных кристаллов селенида цинка | 1991 |
|
SU1810402A1 |
Формула изобретения
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ СЕЛЕНИДА ЦИНКА, включающий плавление исходного материала, его кристаллизацию при пропускании тигля с расплавом через температурный градиент под избыточным давлением инертного газа и
последующую повторную кристаллизацию с меньшей скоростью пропускания, отличающийся тем, что, с целью улучшения оптических свойств кристаллов, повторную
кристаллизацию ведут при ширине зоны расплава 1,2 - 4,0 см, величине давления инертного газа, не превышающей кристаллизационное давление, развиваемое растущим кристаллом.
Ю 20 f,ff
