Элемент памяти Советский патент 1985 года по МПК G11C11/40 

Изобретение относится к вычислительной технике, а именно к ячейкам памяти, и может быть использовано при создании интегральных оперативных запоминающих устройств большой емкости. Цель изобретения - повышение помехоустойчивости ячейки памяти. На фиг. 1 представлена принципиальная схема ячейки памяти; на фиг. 2 - ее структура с использованием диода Шоттки. Элемент ячейки памяти содержит диод 1, транзистор 2, тиристор 3, первую 4 (первая разрядная шинЗ), : вторую 5 (вторая разрядная шина) и третью 6 управляющие щины (адресная шина). Элемент памяти работает следующим образом. В режиме хранения между шинами 4 и 5 поддерживается напряжение, достаточное для бистабильного состояния. Потенциал шины б равен потенциалу шины 5. При этом диод 1 закрыт, так как при любом «..„„ . --..,, -г состоянии тиристора 3 потенциал его первой базы выше потенциала шины 5. Если тиристор 3 открыт, то открыт и транзистор 2, и наоборот, но в любом случае напряжение на эмиттере транзистора 2 не влияет на состояние тиристора 3. Включение тиристора 3 осуш,ествляется от перепада импульса напряжения отрицательной полярности по шине 6, а по шинам 4 и 5 - положительной. Диод 1 при этом остается под обратным смещением. Выключение тиристора 3 осуществляется при подаче по шине 2 импульса напряжения положительной полярности полувыборки, а по шинам 5 и 6 - отрицательной. При этом откроется диод 1 и большим током быстро выключит тиристор 3. Транзистор 2 в этом случае заперт. При считывании импульс напряжения отрицательной полярности подается по шине 5. Он имеет такие параметры, что не может включить тиристор 3. Если тиристор 3 включен, потенциал шины 4 снизится, если тиристор 3 выключен, то снижения потенциала не произойдет. Диод 1 в этом режиме находится под обратным смешением.

ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ, содержащий тиристор, анод которого является первым управляющим входом элемента памяти, катод тиристора является вторым управляющим входом элемента памяти, транзистор и диод, анод которого соединен с эмиттером транзистора и является третьим управляющим входом элемента памяти, катод диода соединен с коллектором транзистора и с одной из баз тиристора, отличающийся тем, что, с целью повыщения помехоустойчивости элемента памяти, база транзистора соединена с другой базой тиристора. (Л 00 сд