Элемент памяти Советский патент 1981 года по МПК G11C11/40 

Изобретение относится к вычислите ной технике и может быть использован в статических запоминающих устройствах. Известен 1 элемент памяти стати ческого типа, содержащий планарный тиристор, состоящий из горизонтального р-п-р транзистора и вертикального п-р-п транзистора. Базы тиристора через резисторы подключены к разрядным шинам. Недостатком этого элемента памяти является низкое быстродействие. Наиболее близким решением по технической сущности и достигаемому результату к изобретению является статический элемент памяти 2J, содержащий тиристор, транзистор записи, эмиттер которого соединен с разрядной шиной, шину выборки, шину считывания § также резисторы. Недостатком этого элемента памяти является сложность конструкции. Целью изобретения является упрощение элемента памяти. Поставленная цель достигается тем, что в элемент памяти, содержащий тиристор, транзистор записи, эмиттер которого соединен с шиной записи, шину выборки и шину считывания, введен диод, анод которого подключен к эмиттеру транзистора записи, а катод к управляющему электроду тиристора и коллектору транзистора записи, база которого подключена к аноду тиристора и к шине выборки, а шина считывания подключена к катоду тиристора. На чертеже показан предлагаемый элемент памяти. Устройство содержит тиристор 1, анод которого подключен к шине 2 выборки и к базе транзистора 3 записи, диод , соединенный катодом с управляющим входом тиристора и с коллектором транзистора записи. Катод тиристора подключен к шине 5 считывания.