Запоминающая матрица Советский патент 1985 года по МПК G11C11/06 

i .изобретение относится к автомати ке и вычислительной технике и может быть применено для построения матри на кольцевых ферритовых сердечниках для запоминающих устройств системы Целью изобретения является расширение области применения запоминающей матрицы путем использования ее в многоразрядном запоминающем Устройстве системы 3fl3W. На чертеже изображена схема прошивки запоминающей матрицы. Запоминающая матрица содержит два слоя 1 одинаково ориентированны ферр.итовых сердечников 2 и 3, прошитых взаимоперпендикулйрными обйотками возбуждения X и Y и обще дяя обоих слоев 1 ферритовых сердечников 2 и 3 информационной обмот кой. Обмотки возбуждения X,... ,Yf, выполнены в виде двухпроводных лини пропущенных в прямом и обратном направлении через ферритовые сердечники 2 и 3 обоих слоев 1. Информационная обмотка 2 выполнена в виде однотипных секций 2,... , по числу разрядов 1р,...,16 хранимых слов. Каждая секция Z-, ..., Z, пропущена через ферритовые сердечники одного разряда 1р 16- запоминающей матрицы. Обмотки возбуждения X выполнены в виде двух групп обмоток Х,...,ХпИ Х,,.. ,Х.Каждая обмотка X пропущена через одноименные ферритовые сердечники 2 или 3. во взаимопротивоположных разрядах 1р, Зр, 5р., ... , 15р и 2р, Ар, 6р , ...,16р. Обмотки возбуждения X первой группы Х,... , Х в прямом направлении пропущены в верхнем слое 1 через ферритовые сердечники 81 2 нечетных разрядов Ijj, Зр, 5р, ... 15р, и в обратном направлении пропущены в нижнем слое 1 через ферритовые сердечники 2 четных разрядов 2-, 4р, 6р, ... ,16р. Обмотки возбуждения X второй группы ...,Хф в прямом направлении пропущены вверхнем слое 1 через ферритовые сердечники 3 четных разрядов 2р, ip, 6р, -, 16р и в обратном направлении пропущены в нижнем слое 1 через ферритовые сердечники 3 нечетных разрядов 1р, Зр, 5р, ...,15р. Запоминающая матрица работает следующим образом. При считывании информации по одной из обмоток возбуждения и обмоток возбуждения X протекают полутоки положительного направления, которые, совпадая, перемагничивают один из одноименных ферритовых сердечников 2 или 3 в каждом разряде tp , ... , 1бр из Единицы в Нуль. Во.всех информационных обмотках 2,...., этом наводятся ЭДС сигналов Единиц или Нулей от предыдущей записанной информации в матрицу. При записи информации по этим же обмоткам возбуждения X и Ч протекают полутоки отрицательного направления, которые, совпадая, на тех же одноименных ферритовых сердечниках 2 или 3 в каждом разряде, перемагничивают их из нуля в единицу. При этом для записи нулей в нужные разряды 1р, ..., 16р подаются полутоки запрета по информационным обмоткам 2 ,..., ,которые не дают возможности перемагничиваться одноименному ферритовому сердечнику 2 или 3.в данных разрядах Ip,..-, 16р.

ЗАПОМИНАКЩАЯ МАТРИЦА, содержащая два слоя одинаково ориенти-i рованн1||х ферритобых сердечников, протнтых. взаимоперпендикулярными обмот-. ками возбуждения X и у и общей для обоих слоев ферритовых сердечников информационной обмоткой Z причем обмотки возбуждения Y выполнены в виде двухпроводных линий, пропущенных в прямом и обратном направлениях через ферритовые сердечники обоих, слоев, отличаю щ а я с я тем, что, с целью расширения области применения путём использования ее в многоразрядном запоминающем устройстве системы 3fl3W, информационная обмотка J выполнена, в виде однотипных секций по числу разрядов хранимых слоев, причем каждая секция информационной обмотки Z пропущена через ферритовые сердечники одного разряда матрицы, обмотки возбуждения, X выполнены в виде двух групп обмоток, причем каждая обмотка пропущена через одноименные ферритовые сердечники во взаимопротивоположных разрядах, обмотки возбуждения X первой группы в прямом направлении пропущены в верхнем слое через сердечники нечетных разрядов и в обратном направлении - в нижнем слое через сердечники четных разрядов, а обмотки возбуждения X второй группы в прямом направлении пропущены в верхнем слое через сердечники четных разрядоа и в обратном направлении - в нижнем слое через сердечники нечетных разрядов.