СПОСОБ СОЗДАНИЯ МОП-СТРУКТУР Советский патент 2012 года по МПК H01L21/316

Похожие патенты SU1223789A1

название	год	авторы	номер документа
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГАЗОВОГО СЕНСОРА С НАНОСТРУКТУРОЙ И ГАЗОВЫЙ СЕНСОР НА ЕГО ОСНОВЕ	2013	Аверин Игорь Александрович Мошников Вячеслав Алексеевич Максимов Александр Иванович Пронин Игорь Александрович Карманов Андрей Андреевич Игошина Светлана Евгеньевна	RU2532428C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТАЛЬНОГО ПЛОСКОГО ПРОКАТА	2012	Блуменау, Марк Брем, Оливер Петерс, Михаель Шёненберг, Рудольф Вестерфельд, Андреас Норден, Мартин	RU2573843C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СУБМИКРОННЫХ И НАНОМЕТРОВЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ ПРИБОРОВ	1994	Горохов Е.Б. Носков А.Г. Принц В.Я.	RU2094902C1
Способ получения газочувствительного элемента на основе многослойной структуры пористого кремния на изоляторе и SnO	2017	Болотов Валерий Викторович Росликов Владислав Евгеньевич Росликова Екатерина Александровна Ивлев Константин Евгеньевич Князев Егор Владимирович	RU2674406C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МЕЖКОМПОНЕНТНОЙ ИЗОЛЯЦИИ К МДП ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ	1986	Корешков Г.А. Плотников В.Н. Румак Н.В. Хатько В.В. Шевчук И.Г.	SU1356895A1
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ НА ОСНОВЕ ПЛАТИНЫ	1996	Смолин В.К. Кондрашевский В.П.	RU2110112C1
СПОСОБ ХИМИЧЕСКОЙ СТАБИЛИЗАЦИИ СОЕДИНЕНИЙ КАРБИДА УРАНА И УСТРОЙСТВО, ОСУЩЕСТВЛЯЮЩЕЕ СПОСОБ	2012	Маршан Микаэль Фике Оливье Бротье Мериль	RU2594007C2
МОНОЛИТНЫЙ КАТАЛИЗАТОР И ЕГО ПРИМЕНЕНИЕ	2010	Мабанде Годвин Тафара Петер Кхин Су Йинн Шиндлер Гетц-Петер Кермер Геральд Хармс Дитер Рабе Буркхард Фурбекк Ховард Зеель Оливер	RU2553265C2
КАТАЛИЗАТОР ОКИСЛЕНИЯ РТУТИ И СПОСОБ ЕГО ПРИГОТОВЛЕНИЯ	2010	Ноти Кацуми Масанао Киёсава Масаси	RU2493908C2
СПОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ ОКСИДНО-ПОЛИМЕТАЛЛИЧЕСКИХ КАТАЛИЗАТОРОВ НА ОСНОВЕ ЖАРОПРОЧНЫХ СПЛАВОВ ДЛЯ ПАРЦИАЛЬНОГО ОКИСЛЕНИЯ УГЛЕВОДОРОДОВ В СИНТЕЗ-ГАЗ	2013	Долинский Сергей Эрикович Усачев Николай Яковлевич Плешаков Андрей Михайлович	RU2552639C1

Реферат патента 2012 года СПОСОБ СОЗДАНИЯ МОП-СТРУКТУР

Способ создания МОП-структур, заключающийся в нанесении маски из Si₃N₄ на поверхность кремниевой подложки, селективном окислении во влажном кислороде, снятии Si₃N₄, предварительном окислении во влажной атмосфере, создании подзатворного диэлектрика и нанесении полевого электрода, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных структур путем уменьшения дефектности поверхностного слоя кремния, предварительное окисление проводят до получения толщины окисла 130-150 нм, а в качестве влажной атмосферы используют смесь H₂-O₂ или H₂-O₂-HCl, содержащую 1-4% HCl.

SU 1 223 789 A1

Авторы

Румак Н.В.

Хатько В.В.

Плотников В.Н.

Ясников В.Е.

Даты

2012-06-20—Публикация

1984-07-13—Подача