Устройство для получения электрофотографического носителя вакуумным напылением паров селена на металлическую подложку Советский патент 1986 года по МПК G03G15/00 

Изобретение относится к электрофотографии и может быть использовано в производстве электрофотографических цилиндров и-пластин на основе селена..

Цель изобретения - првьшшние качества носителя, путем формирования высокоадгезионного кристаллического подслоя селена из высокоэнергетических конденсируемых молекул,.

15

20

25

30

На чертеже изображено предлагаемое стройство.

Устройство содержит лодочный исаритель Т селена квазизамкнутого тиа и дополнительный электронагреватель 2 . Электронагреватель выполнев - в виде параллельных струн , расположенных между испарителем и напыляемой одложкой, причем отношение диаметра струн к периоду их расположения составляет от 0,03 до 0,07.

Сущность изобретения заключается в следующем.

При изготовлении селеновых злек- трофотографических слоев- методом субимации при температуре испарителя . 150-210 С и температуре подложки при термообработке слоя 80-90 С парам сеена перед их конденсацией дополнительно сообщают кинетическую энергию разогрева струнным нагревателем, расположенным между испарителем и подожкой,; с одновременным облучением паров ее конденсата светом, имеющим длины волн меньше 620 нм с энергией больн е, чем. 2,2 В, а затем после созания сплошного кристаллического подслоя высокой адгезионной прочности толщиной до 1 мкм дополнительньй разогрев пара и облучение конденсата прекращают.

Температурное поле струнного Hai; - ревателя, имеюще.го температуру 1500- 2000 С, дробит длиннЬцепочные молеку- ы пара селена на короткоцепочные молекулы вплоть до атомарного селена и увеличивает их кинетическую энергию в 3-4 раза. Увеличение кинетической энергии молекул пара, .а следовательно и их скорости падения на под- ложку, способствует образованию на подложке сплошной пленки высокой адгезионной прочности. Уменьшение длины цепи молекул пара снижает энергию активации кристаллизации конденсата. Облучение конденсата селена в процес- 55 се кристаллизации светом указанных характеристик, излучающим струнным нагревателем, разогретого до 1500lO

35

40

4а

50

15

20

25

30

2000, ускоряет процесс кристаллизации конденсата селена.

Кристаллизация селена в процессе конденсации очень существенна, та.к

5 как кристаллический тригональный се- -лен наибольшую плотность по сравнению с иными формами (4,6 - А,8 г/см) и восполение селена в процессе кристаллизации идет за счет

O конденсации паров селена, тогда как кристаллизация селена от подложки формирования аморфного слоя ведет к растяжению аморфной фазы слоя у фронта кристаллизации и к снижению плотности аморфной фазы, а тем самым к снижению прочности связи аморфного и кристаллического слоев. . . .

.Пример. Проводят вакуумное .напыление селеновых электрофо огра- фических слоев методом сублимации с дополнительным разогревом в начале конденсации паров селена струнным нагревателем, расположенным на пути паров между испарителем и подложкой. Температуру испарителя поддерживают в процессе напьшения нагрева- .телем, ;51асположенным под испарителем. Струны диаметром 0,1 мм дополни- ; тельного нагревателя паров селена располагают с шагом 3 мм на расстоя-. НИИ от исцарителя 10 мм и от подложки 100 1У1М. -Дополнительный нагрев паров сел.ена осуществляют в начале испарения струнами, разогретыми электричес35 КИМ током до 2000 С, а затем по истечении О,1 общего временинапьшения слоя отключают.

Форму ла И зобретения

1.Устройство для получения элек- тpoфotoгpaфичecкoгo носителя вакуумным напылением паров селена на метал- пическую подложку, содержащее лодочный испаритель селена квазизамкнутого типа и дополнительный электронагреватель, отличающееся тем, что, с целью повьшения качества носи- теля путем формирования высокоадгезионного кристаллического подслоя селена из высокоэнергетических конденси- руемь1х молекул, дополнительный элек- тронаг|)еватель выполнен в виде ряда параллельных: струн, расположенных между испарителем и подложкой.

2.Устройство по п.t, отличающееся тем, что отношение диаметров струн к периоду их расположения составляет от 0,03 до 0,07.

7

Изобретение относится к устрой- . ствам для получения электрофотографического носителя вакуумным напылением паров селена на металлическую подложку и позволяет повысить качес- тво носителя путем формирования высокоадгезионного кристаллического подслоя селена из высокоэнергетических конденсируемых молекул. Устройство содержит лодочный испаритель селена квазизамкн5 того типа и дополнительный электронагреватель, выполненный в виде параллельных струн, расположенных между испарителем и напыпяемой подложкой. Отношение диаметра стун к периоду их расположения составляет от 0,03 до 0,07. Проводят вакуумное напыление селеновых электрофотографических слоев методом сублимации с до- полнительньм разогревом в начале конденсации паров селена струнным нагревателем, расположенным на пути паров между испарителем и подложкой. Температуру испарителя 210°С поддерживают в процессе напъшения нагревателем, расположенным под зюпарите-пем. Струны диаметром О,1 мм дополнительного нагревателя паров селена располагают с шагом 3 Mi-i на пасстоянни от лспарп- теля .10 мм и. от подложки 100 мм. До- полнительньш нагрев паров селена осуществляют В начале испарения струнами, разогретыми электрическим током до 2000°С. По истечении 0,1 общего времени напыления слоя нагрев прекращают. 1 з.п.ф-лы, 1 ил. (О Г Wn ьо «4 1 О о