Накопитель для запоминающегоуСТРОйСТВА Советский патент 1981 года по МПК G11C11/14 

(54) НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА

1

Изобретение относится к вычислительной .|гехни1се и может быть применено в запоминающих устройствах на основе цилиндрических магнитных доменов.

Известен накопитель для запоминающих устройств, содержащий магнитоодноосную пленку с элементами управления доменами 1.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является накопитель, содержащий источники магнитных полей управления и расположенные между ними подаожку .с отверстием и кристалл из доменосодержащего матертала, на поверхности которого размещены элементы управления доменами, подклю ченные к внешним выводам накопителя соединительньпш проводниками 2.

Недостатком таких накопителей является низкая надежность, так как в процессе присоещкк«яя выводов и эксплуатации накопителя нарушается электрический контакт в местах соединения вьшодов с кристаллом.

Так как соединительные выводы в известных накопителях к контактным площадкам кристалла крепят методами сварки или пайки, что сопровождается нагревом кристалла и появлением местных механических напряжений в результате механического воздействия на кристалл, то при зтом сужается область устойчивой работы кристалла и самого накопителя.

Цель изобретения - повышение надежности накопителя для запоминающего устройства.

Поставленная цель достигается тем, что в накопителе, содержащем источники магнитных полей управления и расположенные между ними подложку с отверстием и кристалл из доменосодержащего материала, на поверхности которого размещены элементы управления доменами, подключенные ко внешним выводам накопителя соединительными проводниками, в отверстие подложки установлен кристаллодержатель, выподшенный в виде рамки из термостабильного материала, в отверстии которой расположен кристалл из доменосодержащего материала, а соединительные проводники расположены на плоскости, образованной поверхностями подложки, рамки и кристалла из доменосодержащего материала.

На чертеже изображен накопитель. 38 Он содержит магнитопровод 1, источники магнитных полей управления - источник 2а постоянного магнитного поля и источник 26 перемеиного электромагнитного поля, кристалл 3 из доменосодержащего материала, соединительные проводники 4, кристаллодержатель 5 из термостабильного материала, подложку 6 с отверстием , внешние вьшоды 7 накопителя и элементы 8 управления доменами. Кристалл 3 вмонтирован в отверстие кристаллодержателя 5, который в свою очереда вмонтирован в отверстие подложки 6. Внещние выводы 7 присоединены в подложке методом пайки или запрессованы в нее. Кристаллодержатель и подложка выполнены из одного и то-. го же материала. Соединительные проводники 4 выполнены в виде тонкопленочных металлических провод1шков напылением в вакууме или в виде толст(шленочных проводников методами щелкографии или гальванического наращивания. Предлагаемый накопитель имеет повыщеннзоо надежность по сравнению с известными устройствами.

Е

SS№gSSeAVSSS& A

%йййШШШ Ш йй85Й% й;;

86

2S

I I I

f

z

,

гь Формула изобретения. . Накопитель для запоминающего устройства, содержащий источники магнитных полей управления и расположенные между ними подложку с отверстием и кристалл из доменосодержащего материала, на поверхности которого размещены элементы управления доменами, подключенные к внешним выводам накопителя соедитагтельными прокодниками, отличающий с я тем, что, с целью повышения надежности накопителя, он содержит установленньсй в отверстии подпожки кристаллодержатель, вьтолненный в виде рамки из термостабильиого материала, в отверстии которой расположен кристалл из доменосодержащего материала, а со единительные проводники расположены на плоскости, образованной поверхностями подложки, рамки и кристалла из доменосодержащего материала. Источ1шки информации, принятые во внимание при экспертизе 1.ТИИЭР, 1975, т. 63, М« 8, с. 99. 2,Electronucs, v. 49, № 30, 1976 (прототип).