Способ изготовления модуля доменной памяти Советский патент 1989 года по МПК G11C11/14 

Изобретение относится к вычисли- тельной технике и может быть использовано при изготовлении модулей запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Цель изобретения - повышение производительности изготовления за счет .соединения доменосодержащего кристалла и внешних, выводов модуля ме«дУ собой коммутирующими проводниками на полиимиднои пленке и заформовки элементов модуля путем литья быстро- отверя дающего компаунда.

На фиг. 1 показаны конструктивные элементы модуля доменной памяти до заформовкиi на фиг. 2 - чертеж Е-об- разного основания, состоящего из двух спрессованных плат; на фиг. 3 - часть разъемной формы с литниковым отверстием; на фиг. 4 - модуль доменной памяти, изготовленный предложенным способом.

Модуль запоминающего устройства на ЦМД (фиг. 1) содержит доменосодержащий кристалл 1, внешние выводы 2, размещенные на полиимиднои пленке 3,

сл

f t ГО

00 О)

содержащей матрицу 4 коммутирующих проводников для соединения домено- содержащего кристалла и внешних вьшо- дов, Е-образное основание 5 с про- . резью 6 на торце центральной части с выемками 7 на периферийных частях для размещения внешних выводов| на фиг. 1 - часть разъемной формы 8 слит-: никовым отверстием 9.JQ

Е-образное основание (фиг. 2) имеет выемку 10 для фиксации доменосо- держащего кристалла и прорези 11, в которые входят выступы 12 части разъемной формь (фиг, 3) при зафор- j MOBке компаундом.

В разъемной форме предусмотрены знаки 13 (фиг. 4) для фиксации положения полиимидйой пленки с размещенными на ней доменосодержавдим кристап- п лом и внешними выводами относительно Е образного Основания,

Изготовление модуля доменной памяти ОСУЩЕСТВЛЯЮТ следукицим образом.

Доменосодержарщй кристалл 1 и 25 внешние вьшЬды 2 приваривают к основаниям коммутацй6ннь1х прсводников 4, сформированных на полиимидной пленке 3 (фиг. 1), методом ультразвуковой сварки. Узел, состоящий из кристалла 1 с ЩЩ, внешних выводов 2 и пoлии lиднoй. пл;енки 3 с коммутирующими .проводниками 4, помещают в одну из частей разъемной формы 8 (фиг. 3,4). Сверху на этот узел уста:навлквают прочное Е-образное рсйование 5 5 (фиг. 1,2,4), состоящее из двух спрессованньпс плат. Доменосодержащий 1фйсталл I размещают в выемке 10 основания,

Форму 8 закрывают второй частью (фиг. 4), стягивают ,с помощью пресса литьевого автоматизированного устройства и нагревают до температуры 130-140 С. Через литн:икрвые отверстия 9, расположенные соосно с про- резью 6 в основании 5 (фиг. 1,3) вхфыскивают быстроотверждакнцийся компаунд, нагретый до тeJ шepaтypы на 15-20 С ниже температуры формы 8. Начальное давление вспрыска компаунда 50 не превышает 5 Па, а к концу проце -;, са оно плавно повьшается до 20-25 Па.

30

. Q

п

5 . 5

0

0

После окончания процесса желатиниэа- ции через 5-15 мин форму 8 раскрывают и из нее извлекают заформованный модуль. Компаунд выполняет роль связующего конструктивные элементы модуля компонента, изолирует коммутирующие проводники на полиимидной пленке и защищает доменосодержащий кристалл от внешних воздействий и проникновения влаги.

Таким образом, использование данного способа изготовления модуля доменной памяти обеспечивает повьше- ние производительности изготовления :И позволяет автоматизировать все операции сборки: сварку внешних выводов и контактов доменосодержащего кристалла с проводниками на полиимидной пленке и заформовку всех элементов модуля путем литья быстроотверждаю- щегося компаунда.

.Формулаизобретения

Способ изготовления модуля доменной памяти, основанный на фиксации доменосодержащего кристалла в выемке, находящейся в центрзльной части Е-об- разного основания, защите основания и доменосодержащего кристалла изолирующими пленками, отличаю- щ и.й с я тем, что, с целью повьше- ния производительности изготовления, доменосодержащий кристалл и внещние выводы, соединенные мевду собой коммутирующими проводниками, нанесенными на полиимидную пленку, помещают в литьевую разъёмную форму, сверху на доменосодержащий кристалл и внешние выводы накладывают Е-образн.ое основание так, что в выемках на периферийных частях Е-образного основания размещаются внешние выводы, а прорезь, .находящаяся на торце централь-1 ной .части Е-образного основания, размещается соосно с литниковым отверстием в литьевой форме, форму закрывают и производят соединение Е-образного основания с полиимидной пленкой, доменосодержащим кристаллом и внешними выводами путем заформовки быстроотверждающимся компаундом.

1 Лз

gjue.i

V

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении модулей запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах /ЦМД/. Цель - повышение производительности изготовления за счет соединения доменосодержащего кристалла и внешних выводов модуля между собой коммутирующими проводниками на полиимидной пленке и заформовки элементов модуля путем литья быстроотверждающегося компаунда. В соответствии с предложенным способом доменосодержащий кристалл и внешние выводы, соединенные между собой коммутирующими проводниками, нанесенными на полиимидную пленку, помещают в литьевую разъемную форму. Сверху на доменосодержащий кристалл и внешние выводы накладывают Е-образное основание так, что в выемке центральной части основания размещается кристалл, а в выемках на периферийных частях основания размещаются внешние выводы. Форму закрывают и осуществляют заформовку элементов модуля быстроотверждающимся компаундом. Использование данного способа изготовления позволяет обеспечить высокопроизводительную технологию и автоматизировать процесс сборки модулей памяти на ЦМД. 4 ил.

//

(ригЗ

Y7y77///7///7Jr//7/y//////7////)(777

WA

4L

ji.

Составитель В.Топорков

Редактор М.Товтин Техред м.Ходанич Корректор О.Кравцова

Заказ 6970/50

Тираж 558

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

////)(777

Ш

WA

JL.

V3 фигЛ

8

Подписное