Способ формирования магнитного поля смещения в запоминающем устройстве на цилиндрических магнитных доменах Советский патент 1986 года по МПК G11C11/14 

1 1

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разра&отке запоминающих устройств (ЗУ) на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Целью изобретения )1вляется повышение точности формирования магнитного поля смещения в ЗУ на ЦМД.

В соответствии с предложенным способом постоянные магниты, входящие в состав запоминающего модуля ЦМД ЗУ, намагничивают до насыщения внешним магнитным полем и затем снижают намагниченность, причем понижение намагниченности -осуществляют локальным отжигом участков постоянных магнитов при температуре среды, на 20-30 С меньшей температуры Кюри, путем разогрева отдельных участков постоянных магнитов до температуры на 10-20 С превышающей температуру Кюри. Суммарную площадь участков определяют по формуле

С; 1 S р .. HQ-Н ч

.-- (----),

где So - площадь постоянных магнитов;

f - толщина постоянных магнитов;

h - глубина отжига; Нд - напряженность магнитного

поля, создаваемого постоянными , намагниченными до насыщения ;

Н - величина напряженности магнитного поля смещения. Локальный отжиг указанных участков производят на глубину 0,05-0,5 толщины постоянных магнитов в течеh 1

ние времени At( « ) Р , где - время тепловой диффузии.

Поскольку напряженность магнитного поля в системе определяется намаг ниченностью постоянных магнитов и геометрией системы, то при локальном отжиге изменение напряженности поля является следствием уменьшения средней намагниченности единицы объема постоянных магнитов. При этом относительное изменение напряженности поля в системе пропорционально суммарной площади отложенных участков.

Понижение намагниченности постоянных магнитов, намагниченных до насыщения путем локального отжига, позволяет плавно регулировать напряжен249586

ность магнитного .поля в запоминающем модуле без снижения временной стабильности магнитов по отношению к процессам старения,

5 Пример, В соответствии с предлагаемым способом проводят формирование поля смещения в запоминающем модуле на ЦМД в системе, содержащей два одинаковых постоянных маг 0 нита, изготовленных из бариевого феррита размером 2222 мм и толщиной 0,5 мм, растекатели и магнитный экран. Температура Кюри для данного состава магнитов 420°С, Намагниченные

15 до насьш ения во внешнем поле 19,5 кЭ постоянные магниты создают поле в системе напряженностью 167 Э. Площадь области однородности составляет 85 мм . При этом относительная неод20 нородность поля , где Н - напряженность магнитного поля в центре системы, а дН - разность на- пряженностей в центре и на краях, Понижение намагниченности посто25 янных магнитов производят с помощью лазерного луча, сфокусированного в пятно диаметром 0,5 мм и мощностью Вт, Способ выбора участков, подвергаемых локальному отжигу, опреде30 ляют в соответствии с картиной распределения поля в системе. Так как напряженность поля в центре на 10- 15% больще, чем на краях, то локальному отжигу подвергают участки центральной области постоянных магнитов. Отжигаемые участки имеют вид полос, что достигается сканированием лазерного луча, ширина полос и расстоя-- ние между ними соответственно 0,5 мм

д и 1,5 мм, общее число полос 20, Суммарная площадь облученных участков составляет 220 мм. При этом напряженность поля в системе понижается до требуемого значения (90 Э), а

45 площадь области однородности увели- швается до 120 мм, т,е. на 40%,

Формула изобретения

50 1, Способ формирования магнитного поля смещения в запоминающем устройстве на цилиндрических магнитных доменах, основанный на намагничивании постоянных магнитов до насыщения

55 внешним магнитным полем и последующем понижении намагниченности постоянных магнитов, отличающий- с я тем, что, с целью повьштения точ35

312495864

ности формирования магнитного поля h - глубина отжига; смещения, понижение намагниченности о напряженность магнитного по- осуществляют локальным отжигом участ-ля, создаваемого постоянны- ков постоянных магнитов при темпера-ми магнитами, намагниченны- туре среды, на 20-30 С меньшей темпе- 5 ми до насьпдения; ратуры Кюри, путем разогрева отдель- Н - величина i напряженности маг- ных участков постоянных магнитов донитного поля смещения, температуры, на 10-20 С превыщающей 2. Способ по п. 1 , о т л и ч а - температуру Кюри, причем суммарнуюю щ и и с я тем, что локальный отжиг площадь участков определяют по фор- 0производят на глубину 0,05-0,5 толщи- мулены постоянных магнитов в течение вреу. ; н

I ОО у По Н V

ь й7 «.(J).

где 8д - площадь постоянных магнитов; 5

f - толщина постоянных магнитов;где - время тепловой диффузии.

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запомина- нмцих устройств (ЗУ) на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). Целью изобретения является повьшение точности формирования магнитного поля смещения в ЗУ на ЦМД. В соответствии с предлагаемым способом постоянные магниты, входящие в состав запоминающего модуля ЦМД ЗУ, намагничивают, до насыщения внешним магнитным полем и затем снижают намагниченность, причем понижение намагниченности осуществляют локальным отжигом участков постоянных магнитов при температуре среды, на 20-30 С меньшей температуры Кюри, путем.разогрева отдельных участков постоянных магнитов до температуры, на 10-20 с превьппающей температуру Кюри. Суммарную площадь участков определяют по формуле S (f-Se)/h()/Ho, где So - площадь постоянных магнитов; f - толщина постоянных магнитовi h - глубина отЛсига , И о - напряженность магнитного поля, создаваемого постоянными магнитами, намагниченными до насыщения Н - величина напряженности магнитного поля смещения. Локальный отжиг указанных участков производят на глубину 0,05-0,5 толщины постоянных магнитов в течение времени et (h/l) i, где - время типовой диффузии. 1 з.п. ф-лы. i (/ С СП 00