Способ изготовления полупроводниковых приборов Советский патент 1986 года по МПК H01L21/18 H01L31/02 

ю

О5

ел

оо со 4

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к технологии изготовления фотоприемников и сверхбыстродействующих схем на подложках из антимонида индия.

Цель изобретения - получение диэлектрических слоев на поверхности антимонида индия с отрицательным встроенным зарядом.

На границе раздела структуры NiO- InSb образуется отрицательный заряд, препятствующий возникновению инверсного слоя на поверхности антимонида индия. В результате этого устраняются паразитные токи утечки, неуправляемые электрическим полем, и тем самым обеспечивает расширение диапазона выходных токов в фотодиодах и МДП-транзисторах, содержащих структуру HiO-InSb.

Подложку антимонида индия р-типа проводимости марки ИСД-4 с концентрацией примеси Na (1-2)- Ю см и ориентацией (III) химически полируют в 6%-ном растворе брома в диметилформамиде при Т 65°С в течение 40 мин, после чего ее помещают в реакционную камеру установки ЕТМ.2.030.015 и нагревают до 100°С. Затем производят продувку камеры потоками кислорода и азота, насыщенного водными парами, с расходом газов 5-20 л/мин и 10-200 л/мин, соответственно, в течение 5 мин. Подают поток азота, проходящий через барбатер с терракарбонилом никеля Ni(CO)4, с расходом 150-250 мл/мин. Скорость роста № О при указанной температуре составляет 1000 А/мин. После нанесения пленки толщиной 1500-2000 А напыляют слой алюминия толщиной 1 мкм.

Формула изобретения

Способ изготовления полупроводниковых приборов на подложке антимонида р-типа

проводимости, включающий проведение ионной имплантации донорной примеси в локальные области подложки, формирование на ее поверхностях окисла, омических контактов к областям п-типа проводимости и подложке и металлического электрода на поверхности

окисла, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров приборов, формирование окисла осуществляют разложением тетракарбонила никеля при 80-180°С в смеси паров воды, кислорода и азота при расходе последних 5-20 и 10-200 л/мин соответственно.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к технологии изготовления фотоприемников и сверхбыстродействующих схем на подложках из антимонида индия. Цель изобретения - улучшение параметров приборов. При изготовлении полупроводниковых приборов на подложке антимонида индия р-типа проводимости проводят ионную имплантацию донорной примеси в локальные области подложки. На поверхности подложки формируют окисел разложением тетракарбонила никеля при 80-180°С в смеси паров воды, кислорода и азота при расходе последних 5-20 и 10-200 л/мин соответственно. Скорость роста NiO при указанной температуре составляет 1000 А/мин. После нанесения пленки толщиной 1500-2000 А напыляют слой алюминия толщиной 1 мкм. с