СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТУГОПЛАВКИХ МАТЕРИАЛОВ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ Советский патент 2009 года по МПК C30B11/00 

1. Способ выращивания монокристаллов тугоплавких материалов, включающий расплавление исходного материала в вакууме и направленную кристаллизацию расплава в контейнере с затравкой при наличии температурного градиента на фронте кристаллизации, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности свойств монокристаллов и повышения производительности, направленную кристаллизацию ведут в неподвижном контейнере при перемещении фронта кристаллизации со скоростью 18 - 20 мм/ч и температурном градиенте 25-30°С/см, создаваемом с помощью тепловых экранов со стороны затравки, а кристаллизацию ведут при распределении температуры вдоль контейнера по параболическому закону с минимумом в его сердцевине.

2. Устройство выращивания монокристаллов тугоплавких материалов, включающее контейнер с затравкой, расположенный внутри виткового нагревателя сопротивления, окруженного пакетами вертикальных и горизонтальных экранов, отличающееся тем, что, с целью повышения однородности свойств монокристаллов и повышения производительности, пакеты вертикальных экранов выполнены раздвижными, причем пакет вертикальных экранов со стороны затравки выполнен из примыкающих друг к другу секций, внешняя из которых выполнена разъемной с линией разъема, перпендикулярной оси контейнера, и нагреватель сопротивления выполнен из последовательно соединенных секций с соотношением диаметров витков между секциями 4:5:7:5:4.