Способ получения полупроводниковых материалов, содержащих несколько летучих компонентов Советский патент 1960 года по МПК C30B11/12 C30B29/40 

В полупроводниковых приборах различного назначения используются разнообразные полупроводниковые материалы, представляюшне собой твердые растворы соединений, содержащих один плн несколько лстучнх компонентов, как, напрнмер: IiiAs - InP; 4GaAs - ZiiSe.

Описываемый способ изготовления полупроводниковых материалов, содержащих несколько летучих компонентов, повышает чистоту получаемого материала и увеличивает скорость процесса cHirreanpOBaiai; но сравнению с известным епособом пепосредственного снлавлення нсходных соединений.

Сущность способа заключается в том, что нсходные ;мсталл11ческ:;е компонентгл, например пндий или галлпй н цннк и другие, нослодовательно обрабатывают исходными летучими комионептами через паровую фазу, начиная от комнонента, обладающего нанбольше упругое ь-о пара, и, кончая компонентом, обладающнм нанменьнюй упругостью пара.

На чертеже схематически изображена устаиовка для осуи1естБленая описываемого сиособа.

Герметически закрытую кварцевую ампулу / помещают в двухкамерную печь 2. Лодочку 3 с металлическими компонентами п;ихты устанавливают в одном конце ампулы, летучие компоненты 4 шнхты - Б другом.

Процесс синтезирования полупроводникового вещества пачннают с нагрева лодочки с металлнческнмн компонентами в отделеп: н 5 печи до темнературы, несколько превыщающей точку лнквидуса сннтсзлруемоГ системы. Затем нагревают отделение 6 иечи до нолучения в ампуле давления паров иеметаллического компонеита, равиого 5 атм. При этом происходит синтез данного летучего комнонента с коАиюнентами, находящимися в лодочке. После некоторо выдержки времени нагрев отделения 6 печи доводят до уровня, обеспечивающего давление г.аров второго летучего комно -;ента до 5 атм, и снова дпют Бpe ;oИli.

Таким образом вводятся в металлический расплав лодочки и остальные летучие компон1 йты. После введения в расплав последнего летучего компонента температуру отделения 6 печи доводят до уровня температуры отделения 5 печи и дают выдержку времени для полной гомогенизации расн.тева. После этого отделение 5 печи выключают, и расплав в лодочке кристаллизуется под давлением паров летучих компопентов. После охлаждения отделения 5 до температуры, несколько меньшей точки солидуса синтезируемой системы, выключают отделение б п печь охлаждают до комнатной температуры.

Предмет изобретения

Способ получения полупроводниковых материалов, содержандих несколько летучих компонентов, отличающийся тем, что основной компонент последовательно обрабатывают парообразпымп летучими примесями, с целью получения многокомпонентных полупроводников.

, , , , , Л, J, , , , , , ,1 } . I

/o/ y o/o/o/ty o/a/o/j/ y y ya7o/ f,

i;l.: ;::ZZr:l..

4 J