Изобретение относится к микроэлектронике и радиоэлектронике, а именно к состава для ретуширования фоторе- эистивных слоев для устранения в них дефектов типа прокол при изготовлении, например, фотошаблонов, печатных плат, тонкопленочньгх и толстопленочных микросхем, а также различных изделий, изготавливаемых с применением фотохимических процессов: химического фрезерования, гальванопластики и т.д.
Цель изобретения - повышение точности ретуширования для снижения трудоемкости изготовления фотошаблонов. Сущность изобретения заключается в том, что состав представляет собой раствор воска, парафина и бутилкаучу- ка в органическом растворителе при следующем весовом соотношении компонентов, мае. %:
Парафин6,6-30
Воск2,8-27,6
Бутилкаучук 0,6-2,4 Органический
растворитель Остальное Состав для ретуширования готовят следующим образом.
В углеводородном растворителе (бензин марки БР-1) растворяют пара- . фин, воск и бутилкаучук при их определенном соотношении. Используют
5
0
5
0
парафин ГОСТ 13577-71, воски - природный (пчелиный) и ископаемый (церезин) по ГОСТ 2488-74 марки 67, бу- типкаучук по ТУ 38103-20-70 марки А или по МРТУ 38-3 № 232-69 марки БК- 1045.
Полученную смесь тщательно перемешивают до получения однородной массы. Полученный ретуширующий состав наносят на экспонированную и проявленную заготовку фотошаблона. После ретуширования, травления маскирующего слоя и снятия фоторезистивного слоя вместе с решутирующим слоем контролируют полученные фотошаблоны на количество дефектов типа прокол. В качестве заготовок фотошаблонов используют стекла с железоокисным маскирующим покрытием марки ПМС ФП группы Б1. Фотошаблоны контролируют на микроскопе типа МБС-9.
Каждый состав испытывают на партии из десяти фотошаблонов, определяют среднеарифметический процент выхода годных фотошаблонов для партии. Полученные результаты сравнивают с процентом выхода годных фотошаблонов, изготавливаемых без применения ретуширования и с применением ретуширующего состава по известному способу.
Результаты испытаний ретуширующих составов сведены в таблицу.
Из таблицы видно, что оптимальным является состав с концентрацией 76,3 мас.%, при котором выход годных максимальный.
Определены граничные концентрации состава, за пределами которых ретуширующий раствор не дает положительного эффекта. При большем содержании растворителя ретуширующий раствор имеет значительную растекаемость, при меньшем раствор становится слишком вязким.
Состав позволяет повысить выход годных фотошаблонов от 4 до 30%.
Состав для ретуширования фоторе- зистивного слоя дает возможность точно наносить каплю на прокол, не закрывая бл 1злежащие пробельные участки, хорошо защищает от травителя нижележащий маскирующий слой, легко удаляется на операции снятия фоторезиста, имеет хорошую адгезию к поверхности фотошаблона, позволяет варьированием соотношения компонентов и
Продолжение таблицы
их концентрацией в растворителе в широких Пределах изменять вязкость и растекаемость раствора, что дает возможность проводить ретуширование фоторезистивного слоя на элементах самой различной величины. Все это снижает трудоемкость изготовления фотошаблонов и увеличивает процент I выхода годных.
Формула изобретения
1. Состав для ретуширования фото- резистивных слоев фотошаблонов,включающий раствор воска и парафина в органическом растворителе, о т л и- чающийся тем, что, с целью повышения точности ретуширования, в него введен бутилкаучук при следующем соотношении компонентов, мас.%: Парафин6,6-30,0
Воск2,8-27,6
Бутилкаучук 0,6-2,4 Органический растворитель Остальное
51303989, .6
2. Состав по П.1, о т л и ч а - створителя используется бензин ю щ и и с я .тем, что в качестве ра- Бр-1 .
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Фотошаблон и способ его изготовления | 1978 |
|
SU938338A1 |
Состав для ретуширования фотошаблонов | 1988 |
|
SU1553948A1 |
Состав для ретуширования фотошаблонов | 1988 |
|
SU1559324A1 |
Способ устранения проколов в маскирующем слое фотошаблона | 1982 |
|
SU1075229A1 |
Позитивный фоторезист | 1981 |
|
SU1068879A1 |
ПОЗИТИВНЫЙ ФОТОРЕЗИСТ И СПОСОБ ЕГО ОБРАБОТКИ | 1991 |
|
RU2012918C1 |
СПОСОБ УСТРАНЕНИЯ ДЕФЕКТОВ В МАСКИРУЮЩЕМ ПОКРЫТИИ ФОТОШАБЛОНА | 1991 |
|
RU2017190C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПРЕЦИЗИОННЫХ ОПТИЧЕСКИХ ШКАЛ МЕТОДОМ ФОТОЛИТОГРАФИИ С ЗАПУСКОМ (ВАРИАНТЫ) | 2010 |
|
RU2430391C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОШАБЛОННЫХ ЗАГОТОВОК | 2005 |
|
RU2305918C2 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАЩИТНЫХ РЕЛЬЕФОВ | 1985 |
|
SU1340398A1 |
Изобретение относится к микроэлектронике и радиоэлектронике и позволяет повысить точность ретуширования фоторезистивных слоев. Состав, основанный на растворе парафина и воска в органическом растворителе, дополнительно содержит бутилкаучук при следующем массовом соотношении компонентов, мас.%; парафин 6,6-30; воск 2,8-27,6; бутилкаучук - 0,6-2,4; растворитель - остальное. При изготовлении состава в углеводородном растворителе (бензин марки БР-1),растворяют парафин, воск и бутилкаучук при указанном соотношении. Полученную смесь перемешивают до получения однородной массы, после чего состав наносят на экспонированную и проявленную заготовку фотошаблона. После ретуширования, травления маскирующего слоя и снятия фоторезистивного слоя вместе с ретуширующик слоем контролировали полученные фотошаблоны на количество дефектов типа прокол. Состав обеспечивает возможность точного нанесения капли на прокол, не закрывая близлежащие пробельные участки. 1 з.п. ф-лы, 1 табл. g (Л Zt о 00 со 00 :с
.Авторское свидетельство СССР № 761531, кл | |||
Разборный с внутренней печью кипятильник | 1922 |
|
SU9A1 |
Авторы
Даты
1987-04-15—Публикация
1985-11-18—Подача