Состав для ретуширования фоторезистивных слоев фотошаблонов Советский патент 1987 года по МПК G03C11/04 

Описание патента на изобретение SU1303989A1

Изобретение относится к микроэлектронике и радиоэлектронике, а именно к состава для ретуширования фоторе- эистивных слоев для устранения в них дефектов типа прокол при изготовлении, например, фотошаблонов, печатных плат, тонкопленочньгх и толстопленочных микросхем, а также различных изделий, изготавливаемых с применением фотохимических процессов: химического фрезерования, гальванопластики и т.д.

Цель изобретения - повышение точности ретуширования для снижения трудоемкости изготовления фотошаблонов. Сущность изобретения заключается в том, что состав представляет собой раствор воска, парафина и бутилкаучу- ка в органическом растворителе при следующем весовом соотношении компонентов, мае. %:

Парафин6,6-30

Воск2,8-27,6

Бутилкаучук 0,6-2,4 Органический

растворитель Остальное Состав для ретуширования готовят следующим образом.

В углеводородном растворителе (бензин марки БР-1) растворяют пара- . фин, воск и бутилкаучук при их определенном соотношении. Используют

5

0

5

0

парафин ГОСТ 13577-71, воски - природный (пчелиный) и ископаемый (церезин) по ГОСТ 2488-74 марки 67, бу- типкаучук по ТУ 38103-20-70 марки А или по МРТУ 38-3 № 232-69 марки БК- 1045.

Полученную смесь тщательно перемешивают до получения однородной массы. Полученный ретуширующий состав наносят на экспонированную и проявленную заготовку фотошаблона. После ретуширования, травления маскирующего слоя и снятия фоторезистивного слоя вместе с решутирующим слоем контролируют полученные фотошаблоны на количество дефектов типа прокол. В качестве заготовок фотошаблонов используют стекла с железоокисным маскирующим покрытием марки ПМС ФП группы Б1. Фотошаблоны контролируют на микроскопе типа МБС-9.

Каждый состав испытывают на партии из десяти фотошаблонов, определяют среднеарифметический процент выхода годных фотошаблонов для партии. Полученные результаты сравнивают с процентом выхода годных фотошаблонов, изготавливаемых без применения ретуширования и с применением ретуширующего состава по известному способу.

Результаты испытаний ретуширующих составов сведены в таблицу.

Из таблицы видно, что оптимальным является состав с концентрацией 76,3 мас.%, при котором выход годных максимальный.

Определены граничные концентрации состава, за пределами которых ретуширующий раствор не дает положительного эффекта. При большем содержании растворителя ретуширующий раствор имеет значительную растекаемость, при меньшем раствор становится слишком вязким.

Состав позволяет повысить выход годных фотошаблонов от 4 до 30%.

Состав для ретуширования фоторе- зистивного слоя дает возможность точно наносить каплю на прокол, не закрывая бл 1злежащие пробельные участки, хорошо защищает от травителя нижележащий маскирующий слой, легко удаляется на операции снятия фоторезиста, имеет хорошую адгезию к поверхности фотошаблона, позволяет варьированием соотношения компонентов и

Продолжение таблицы

их концентрацией в растворителе в широких Пределах изменять вязкость и растекаемость раствора, что дает возможность проводить ретуширование фоторезистивного слоя на элементах самой различной величины. Все это снижает трудоемкость изготовления фотошаблонов и увеличивает процент I выхода годных.

Формула изобретения

1. Состав для ретуширования фото- резистивных слоев фотошаблонов,включающий раствор воска и парафина в органическом растворителе, о т л и- чающийся тем, что, с целью повышения точности ретуширования, в него введен бутилкаучук при следующем соотношении компонентов, мас.%: Парафин6,6-30,0

Воск2,8-27,6

Бутилкаучук 0,6-2,4 Органический растворитель Остальное

51303989, .6

2. Состав по П.1, о т л и ч а - створителя используется бензин ю щ и и с я .тем, что в качестве ра- Бр-1 .

Похожие патенты SU1303989A1

название год авторы номер документа
Фотошаблон и способ его изготовления 1978
  • Гунина Нина Максимовна
  • Поярков Игорь Иванович
  • Логутова Людмила Викторовна
  • Степанов Валерий Васильевич
  • Лаврентьев Константин Андреевич
  • Черников Анатолий Михайлович
SU938338A1
Состав для ретуширования фотошаблонов 1988
  • Смирнов Виктор Васильевич
  • Мельников Сергей Васильевич
  • Краева Людмила Филипповна
  • Шубина Наталья Васильевна
SU1553948A1
Состав для ретуширования фотошаблонов 1988
  • Смирнов Виктор Васильевич
  • Мельников Сергей Васильевич
  • Краева Людмила Филипповна
SU1559324A1
Способ устранения проколов в маскирующем слое фотошаблона 1982
  • Логинов Анатолий Викторович
  • Яковлев Владимир Александрович
  • Кузьмин Геннадий Арсентьевич
  • Шагисултанова Гадиля Ахатовна
SU1075229A1
Позитивный фоторезист 1981
  • Архипова Анджелика Сергеевна
  • Баранова Елена Максовна
  • Егорова Лариса Александровна
  • Новотный Станислав Иосифович
  • Эрлих Роальд Давидович
SU1068879A1
ПОЗИТИВНЫЙ ФОТОРЕЗИСТ И СПОСОБ ЕГО ОБРАБОТКИ 1991
  • Фролов Владимир Михайлович
  • Селиванов Геннадий Константинович
  • Фирсов Рудольф Григорьевич
RU2012918C1
СПОСОБ УСТРАНЕНИЯ ДЕФЕКТОВ В МАСКИРУЮЩЕМ ПОКРЫТИИ ФОТОШАБЛОНА 1991
  • Трейгер Л.М.
RU2017190C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПРЕЦИЗИОННЫХ ОПТИЧЕСКИХ ШКАЛ МЕТОДОМ ФОТОЛИТОГРАФИИ С ЗАПУСКОМ (ВАРИАНТЫ) 2010
  • Кручинин Дмитрий Юрьевич
RU2430391C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОШАБЛОННЫХ ЗАГОТОВОК 2005
  • Никитин Сергей Алексеевич
RU2305918C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАЩИТНЫХ РЕЛЬЕФОВ 1985
  • Веселовский С.П.
  • Быстров В.И.
  • Пергамент А.Л.
  • Кузнецов В.Н.
  • Погост В.А.
  • Тряпицын С.А.
SU1340398A1

Реферат патента 1987 года Состав для ретуширования фоторезистивных слоев фотошаблонов

Изобретение относится к микроэлектронике и радиоэлектронике и позволяет повысить точность ретуширования фоторезистивных слоев. Состав, основанный на растворе парафина и воска в органическом растворителе, дополнительно содержит бутилкаучук при следующем массовом соотношении компонентов, мас.%; парафин 6,6-30; воск 2,8-27,6; бутилкаучук - 0,6-2,4; растворитель - остальное. При изготовлении состава в углеводородном растворителе (бензин марки БР-1),растворяют парафин, воск и бутилкаучук при указанном соотношении. Полученную смесь перемешивают до получения однородной массы, после чего состав наносят на экспонированную и проявленную заготовку фотошаблона. После ретуширования, травления маскирующего слоя и снятия фоторезистивного слоя вместе с ретуширующик слоем контролировали полученные фотошаблоны на количество дефектов типа прокол. Состав обеспечивает возможность точного нанесения капли на прокол, не закрывая близлежащие пробельные участки. 1 з.п. ф-лы, 1 табл. g (Л Zt о 00 со 00 :с

Формула изобретения SU 1 303 989 A1

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1987 года SU1303989A1

.Авторское свидетельство СССР № 761531, кл
Разборный с внутренней печью кипятильник 1922
  • Петухов Г.Г.
SU9A1

SU 1 303 989 A1

Авторы

Смирнов Виктор Васильевич

Макарычева Ирина Павловна

Чебунин Александр Николаевич

Даты

1987-04-15Публикация

1985-11-18Подача