11
Изобретение относится к технике измерения высокого давления -и может быть использовано при калибровке аппаратов высокого давления.
Цель изобретения - обеспечение возможности регистрадии давления (Р кбар), величиной 53 кбар.
Согласно изобретению обнаружен эффект резкого изменения (уменьшения) электросопротивления халькогенидных полупроводников системы таллий-мышьяк-селен в стеклообразном состоянии (при достижении воздействующего на них давления Р (53t3) кбар.
Это позволяет создать реперный датчик давления Р (53t3) кбар, т,е дополнить существующую шкалу давлени еще одной реперной точкой которая находится в интервале давлений, наиболее широко используемом при научны исследованиях и промышленном синтезе сверхтвердых материалов,
Реперный датчик, состоящий из халь когенидного стеклообразного полупроводника синтезируется по следующей технологии. Исходные компоненты син- тезируемого материала, взятые в определенных соотношениях, загружают в кварцевые ампулы, которые эвакуируют до остаточного давления 2,6-10 Па и отпаивают. Ампулы с шихтой помещают во врашдющуюся печь, нагревают до 970-1070 К и при этой температуре расплав мешают путем вращения печи в течение 2 ч. Затем сплавы охлаждают в режиме выключенной печи.
Извлеченный из ампул материал измельчается, и полученный порошок используется в качестве реперного материала, помещаемого в известную ячейку для измерения сверхвысоких далений. Изготовленный таким образом датчик высокого давления на основе халькогенидного полупроводникового стекла системы таллий-мышьяк-селен помещается в реакционную зону устройств для создания высокого давления .
Редактор В.Ковтун
Составитель Н.Богданова Техред Л, Олийньк
Заказ 2414/37Тираж 776Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета СССР
по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.- 4/5
Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4.
0
72952
При подаче напряжения к камере высокого давления образуется замкнутая электрическая цепь, состояп1ая из последовательно включенных реакционной
5 зоны (которая может быть заполнена, например, исходной шихтой для синтеза сверхтвердых материалов), датчика высокого давления и измерительного прибора (например, микроамперметра).
О Осевое усилие пресса, прило- лсенное к устройству высокого давления, фиксируется по манометру М-1М,- данные с которого одновременно с данными микроамперметра коммутируются на
5 электрический самопишущий потенциометр КСП. В результате, в ходе наг- ружения аппарата высокого давления осевым усилием пресса, т.е. при создании в реакционной зоне высокого давления, удается с высокой точностью провести-, измерения изменения тока, проходящего через датчик высокого давления, а следовательно, электросопротивления реперного материала. Опытные испытания, проведенные на полупроводниковых сплавах системы таллий-мышьяк-селен, показали высокую воспроизводимость результатов и закономерный характер изменения зависимостей электросопротивление-давление при варьировании химического состава датчика давления.
Формула изобретения 35
Реперное вещество для датчиков высоких давлений, представляющее собой порошок халькогенида, отличающееся тем, что, с целью 0 обеспечения возможности фиксации давления величиной 53 кбар, в нем порошок выполнен из полупроводникового сплава, содержащего таллий, мышьяк и селен при следующем соотношении 45 ком 1онентов, ат.%:
Таллий . 16,7-37,0 Мышьяк. 13, 0-33,3 . Селен 40,0-60,0
0
Корректор М.Шароши
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| Реперное вещество для датчиков высоких давлений | 1985 |
|
SU1268511A1 |
| ПОВЫШЕНИЕ ТОЧНОСТИ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОЛИЧЕСТВЕННОГО СОСТАВА ТРОЙНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКОЛ И ПЛЕНОК ПЕРЕМЕННОГО СОСТАВА A(BC) | 2012 |
|
RU2489707C1 |
| Состав мембраны химического сенсора для определения концентрации ионов таллия в водных растворах | 2016 |
|
RU2629196C1 |
| РЕПЕРНОЕ ВЕЩЕСТВО ДЛЯ ДАТЧИКОВ ВЫСОКИХ ДАВЛЕНИЙ | 1991 |
|
RU2031382C1 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МАТЕРИАЛА ФАЗОВОЙ ПАМЯТИ | 2015 |
|
RU2610058C1 |
| ПЛАЗМОХИМИЧЕСКИЙ СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКОЛ СИСТЕМЫ As-S И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ | 2015 |
|
RU2585479C1 |
| Фототермопластический преобразователь изображений и способ нанесения пленки фоточувствительного стеклообразного полупроводника из материала состава ( @ ) @ ( @ ) @ 0,333 @ 0,435,для фототермопластического преобразователя изображений | 1981 |
|
SU1059590A1 |
| СПОСОБ ПОВЫШЕНИЯ ТОЧНОСТИ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОЛИЧЕСТВЕННОГО СОСТАВА БИНАРНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ ПЛЕНОК ПЕРЕМЕННОГО СОСТАВА АВ (А=Р, As, Sb, Bi И B=S, Se, Те) | 2010 |
|
RU2433388C1 |
| Способ изготовления реперного вещества для датчиков высоких давлений | 1988 |
|
SU1638579A1 |
| КЕРАМИЧЕСКИЙ МАГНИТНЫЙ МАТЕРИАЛ | 1980 |
|
SU928757A1 |
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при калибровке аппаратов высокого давления. Цель изобретения - обеспечение возможности фиксации давления величиной 53 кбар. Вещество представляет собой порошок халькоге- нида из полупроводникового сплава, содержащего, ат.%: таллий 16,7-37,0; №1шьяк 13,0-33,3 и селен 40,0-60,0. Исходные компоненты вещества обрабатывают в кварцевых ампулах и после измельчения помещают в ячейку датчика для измерения давления. При воздей- . ствии давления в- 53 кбар происходит резкое изменение электросопротивления вещества. (Л С
| Влияние высоких давлений на вещество | |||
| Киев, Изд-во Наукова думка, 1976, с | |||
| Способ закалки пил | 1915 |
|
SU140A1 |
| Реперное вещество для датчиков высоких давлений | 1975 |
|
SU520523A1 |
| Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
