Ячейка для измерения диэлектрической проницаемости материалов Советский патент 1987 года по МПК G01R27/26 

11322194

Изобретение относится к измериельной технике и может быть испольовано в химической и электронной ромьгашениости для измерения анизоропии диэлектрических материалов. 5

Цель изобретения - повышение точ- ести измерений диэлектрической проницаемости анизотропных диэлектриков .

На фиг. 1 приведена конструкция ячейки для измерения диэлектрической О роницаемости материалов; на фиг. 2 - ид А на фиг. 1.

Ячейка содержит линзу, выполненную в форме правильной четырехуголь20

п к п н т и

ной пирамиды 1, первьй 2 и второй 3 диэлектрические стаканы для подключения стандартных лучеводов диаметром 20 мм, установленные на смежных боковых поверхностях, жидкокристаллические индикаторы 4 и 5, например, на основе смеси гистерезисного типа с микрометрическими шкалами, установленные на двух других поверхнос- тях..25

Ячейка для изменения диэлектрической проницаемости материалов работает следующим образом.

Исследуемый образец помещается на основании правильной четырехугольной Q пирамиды 1, выполненной из диэлектрического материала, с углом между гранью и основанием больЕШМ критического. :Х. arcsin n,j .Линейно поляризованные электромагнитные волны, излучаемые СВЧ-генератором, разделяются на две ВОЛНЫ делителем луча. Волна, поляризованная параллельно плоскости падения,поступает через диэлектрический стакан 2 на основание правильной четырехугольной пирамиды, на котором находится исследуемый образец. Волна, поляризованная перпендикулярно плоскости падения, поворачиватеся на 90 вращателем плоскости поляризации и

35

40

поступает через диэлектрический стакан 3 на основание правильной четы- рехугольной пирамиды 1. На границе пирамида-исследуемый образец излучение испытьшает полное внутреннее ет- ражение, смещаясь при этом в плоскости падения вдоль границы пирамида- исследуемый образец.

О

0

5

Q

35

40

Смещения фиксируются жидкокристаллическими индикаторами 4 и 5, расположенными в двух взаимно ортогональных плоскостях, с микрометрическими шкалами, проградуированными в единицах диэлектрической проницаемости контролируемого материала. По величинам диэлектрической проницаемости в двух взаимно перпендикулярных направлениях, считываемых с индикаторов, при вращении образца относительно ячейки либо устройства относительно образца (достаточно поворота на 90) вокруг оси судят об анизотропии исследуемого диэлектрика.

Формула изобретения

Ячейка для измерения диэлектрической проницаемости материалов, содержащая линзу, одна боковая поверхность которой- параллельна л поверхности исследуемого материала, первый и второй диэлектрические стаканы, о т.л и- ч а ю щ а- я с я тем, что, с целью повышения точности измерений диэлектрической проницаемости анизотропных диэлектриков, линза вьтолнена в форме правильной четырехугольной пирамиды, основание которой обращено к исследуемому материалу, а первый и второй диэлектрические стаканы расположены на смежных боковых поверхностях, а на двух других расположены введенные жидкокристаллические индикаторы.

Фиг. 2

Изобретение обеспечивает повышение точности измерений диэл. проницаемости анизотропных диэлектриков. Ячейка содержит линзу, вьшолненную из диэл. материала в форме правильной четырехугольной пирамиды (ПЧП) 1, на смежных боковых поверхностях которой расположены диэл.стаканы (ДС) 2, 3 для подключения стандартных лучево- дов. Исследуемый образец (ИО) помещается на основании ПЧП 1. Через ДС 2 на основание ПЧП I направляется волна, поляризованная параллельно плоскости падения. Волна, поляризованная перпендикулярно плоскости падения, поворачивается на 90° вращателем плоскости поляризации и поступает на основание ПЧЛ 1 через ДС 3. На границе ПЧП - ИО излучение испытывает полное внутреннее отражение, смещаясь при этом в плоскости падения вдоль границы ПЧП - ИО. Смещения фиксируются жидкокристаллическими индикаторами 4,5, расположенными на других смежных боковых поверхностях ПЧП 1. При вращении ИО относительно ячейки по показаниям индикаторов 4, 5 судят об анизотропии ИО. 2 ил. с (6 (Л со ISD N5 со 4 4%г./

Составитель Е. Адамова Редактор М. Бланар Техред И.Попович

Заказ 2859/41 Тираж 730Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Корректор С. Черни