СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ Советский патент 2012 года по МПК H01L21/283

Похожие патенты SU1331364A1

название	год	авторы	номер документа
СПОСОБ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ЭЛЕМЕНТОВ ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ	2010	Лапин Владимир Григорьевич Петров Константин Игнатьевич	RU2436183C1
СПОСОБ СОЗДАНИЯ СГЛАЖЕННОГО РЕЛЬЕФА В ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ	1990	Лезгян Э.М. Валеев А.С. Железнов Ф.К. Красников Г.Я. Наливайко А.П. Кузнецов В.О.	SU1766214A1
СВЧ ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ	2004	Берлин Евгений Владимирович Сейдман Лев Александрович	RU2287875C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИХ РЕЛЕ	2012	Жуков Андрей Александрович Коваленко Вероника Александровна	RU2511272C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНЫХ СВЧ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР СО СТАБИЛИЗИРУЮЩИМИ ЭМИТТЕРНЫМИ РЕЗИСТОРАМИ	1991	Асессоров В.В. Велигура Г.А. Гаганов В.В.	RU2024994C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КОМПОНЕНТОВ СВЧ-МОЩНЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ МИКРОСБОРОК	1991	Гаганов В.В. Жильцов В.И. Пожидаев А.В. Попова Т.С.	RU2017271C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОУРОВНЕВЫХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ МИКРОСХЕМ	2004	Штурмин А.А. Трудников В.Г. Караулов М.Б. Челноков А.Б.	RU2264676C1
ТУННЕЛЬНЫЙ НАНОДАТЧИК МЕХАНИЧЕСКИХ КОЛЕБАНИЙ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ	2001	Алексенко А.Г. Ананян М.А. Дшхунян В.Л. Коломейцев В.Ф. Лускинович П.Н. Невский А.Б.	RU2212671C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ МНОГОУРОВНЕВЫХ ПЛАТ ДЛЯ МНОГОКРИСТАЛЬНЫХ МОДУЛЕЙ, ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ И МИКРОСБОРОК	2011	Нетесин Николай Николаевич Короткова Галина Петровна Корзенев Геннадий Николаевич Поволоцкий Сергей Николаевич Карпова Маргарита Валерьевна Королев Олег Валентинович Баранов Роман Валентинович Поволоцкая Галина Ювеналиевна	RU2459314C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЧИПОВ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ	2008	Андреев Вячеслав Михайлович Ильинская Наталья Дмитриевна Калюжный Николай Александрович Лантратов Владимир Михайлович Малевская Александра Вячеславовна Минтаиров Сергей Александрович	RU2391744C1

Реферат патента 2012 года СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ

Способ изготовления элементов металлизации интегральных схем, включающий нанесение на полупроводниковую подложку со сформированными активными слоями слоя металлизации методом магнетронного распыления в две стадии в едином цикле в среде аргона при давлении 1·10^-2 - 1·10^-1 Па: на первой - нанесение тонкого слоя металлизации, на второй - нанесение слоя металлизации до требуемой толщины, формирование рисунка элементов металлизации с помощью фотолитографии, отличающийся тем, что, с целью повышения качества элементов металлизации при одновременном увеличении выхода годных приборов на операции фотолитографии, на первой стадии слой металлизации наносят при температуре подложки 293-573 K, плотности мощности разряда (2-6) ·10⁴ Вт/м² до толщины перехода структуры пленки из островковой в сплошную.

SU 1 331 364 A1

Авторы

Румак Н.В.

Васильев С.С.

Хатько В.В.

Пухов В.И.

Даты

2012-06-20—Публикация

1985-11-18—Подача