Способ измерения ширины линий рисунка на объектах с прозрачными и непрозрачными зонами Советский патент 1993 года по МПК G01B11/02 

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к способам измерения ширины линий рисунка на объектах, содержащих прозрачные и непрозрачные зоны, например, нафотошаблонах для литографии.

Цель изобретения - измерение ш лрины линий субмикронного диапазона за счет использования поляризованного излучения.

На чертеже изображен примор выбора участков для на фотошаблоне.

Осуществляется -описываемый способ следующим образом.

Объектом с прозрачными и непрозрачными зонами может быть, например, фотошаблон для литографии, состоящий из кварцваой подложки с тонким 0.1 хромовым покрутием.

Измерения могут быть проведены с использованием микроскопа фотометра МРУСД фирмы Leta, оптического излучения с длиной волны 0,546 мкм .(зеленая линия). лине$1НО поляризованного так, что вектор магнитной напряженности излучения параллелен измеряемым линиям фотошабло на, лежащего на столике микроскопа. Прошедшее излучение собирают объекти- , вом микроскопа. Измеряют мнтеисивности излучений, прошедших через.три одинако- аы по размерам прямоугольных участка объекта. Один участок 1 выбирают на непрозрачной зоне объекта, другой 2 - на прозрачной, а третий 3 включает часть

измеряемой nrtHMvs с частью зоны объекта, контактирующей с этой частью линии и противоположной ей по свойствам пропускания излучения. Причем одна пара сторон третьего участка параллельна части линии зтом участке, другая пара пересекает ее, а ширину линии определяют по формуле:

1-1. d -b (для прозрачной линии);

с 1м 1 j

d -г --- b (для непрозрачной линии),

1с - 1м

где d - ширина измеряемой линии;

1с - интенсивность излучения, прошедшего через участок на прозрачной зоне объекта;

1м интенсивность излучения, прошедшего через участок ив непрозрачной зоне обьекга;

Ь - интенсивность излучения, прошедшего через участок, содержащий часть измеряемой линии;

b - длина стороны участка, перпендикулярной и неряемой линии.

5

(56) W.i-loch Das Eiektroiienstrahl-koistroll- mep-und-belichbungs-gerdt ZRH-12- Jena Rundschau, 1577, 4, p. 159-167.

S.Jensen. D, Smyt sub-micrometer length metrology; problems, techniques and sotutions - In scanning Electron microscopy, Chicago. 1980, p. 396--397.

0

5

0

Формула изобретения35

Способ измерения ширины линий рисунка на оОьек-тах с прозрачными и непрозрачными зонами, например на фотошаблонах для Л1 5тографии, заключающийся в том, что освещают оОьек1 пучхйм электромагнитного ijo монохроматического излучения, измеряют ittiTeHCMOHOCTb излучения, прошедшего через объект, и определяют ширину линий, о т- л м ч а о щ и и с я тем, что, с цел ью измерения ширины линий субмикронного диапазона, 45 осуществляют освещение объекта линейно поляризованным излучением таким, ч го вектор магнитной напряженности излучения параллелен границам измеряемой линии, выбирают три одинаковых по размерам пря- 50 моугольных участка объекта; один на непрозрачной зона объекта, другой на прозрачной, а третий включает часть измеряемой линии с честью зон ы объекта, контактирующей с дтой частью линии, одна пара 55

и

сторон третьего участка параллельна линии, а другая пара пересекает ео, измеряют интенсивность излучений, прошедших через три участка, а ширину линий определяют по формуле

- .

b (для презренной линии),

- b (для непрозрачной линии), м

где d - ширина измеряемой линии;

ic интенсивность излучения, прошедшего через участок на прозрачной зоне объекта;

1м - интенсивность из/гучения, прошедшего через участок на непрозрачной зоне объекта;

з - интенсивность излучения, прошедшего через участок, содержащий часть измеряемой линии;

b -длина стороны участка, перпендикулярной измеряемой линии.

Изобретение относится к и.5мерительной технике, в частности к способам измерения ширины линий рисунка на объектах, содержащих прозрач- ныг ,и непрозрачные зоны, например на фотошгб- гюнзх для литографии. Цель изобретени; - изгие- рение ширины линий с. бмикронного диапазона за C4ST испзльзозания поляризованного излучения. Объект освещают линейно гюляри.зованным монох- ромзтичным электрог агяитнын из.пу ченисм, тажм, что вектор магнитной напряженности параллелен гоаницз измеряемой лини1-, проводят измерения интенсивной линии, проводят измерения интенсив- .иостей излучений, пpOLueдшиx через три одинако2 вых прямоу| опьных участка 1. 2, 3, причем один из них (1) на.ходится на прозрачной зоне объекта-другой (2) на .непрозрачной, а третий (3) включает часть измеряемой .пинии с частью зоны объекта, прилегающей к этому участку линии и противоположиой ей по свойствам пропускания излучения, содержащаяся на третьем участке часть линии должна быть параллельна одной паре противоположных сторон участка и пересекать другую. Ширину -пинии опредегьчют по формуле -1 (для непрозрачной линии); d--l -I / -f (для прозрачной линии), где d - ширина из iepяeмoй гафнии; i - интес сиеность излучения, прошедшего через прозрачный часток; i - интеьтавность изп чения, прошедшего через непрозрачный участок; I - интенсизнссть из- . прошедшего через участок, содержащий часть измеряемой линии; В - длина стороны учаака, перпендикулярного измеряемой линии. 1 ил. Ш B fff03/X VНОЯ fefiO /ffryxntfyufoKf SeffC IK e Ы 4 0© e© h-A