Способ контроля качества проработки линий Советский патент 1993 года по МПК H01L21/66 

Изобретение относится к полупроводниковой технике, п частности к способам контроля качества травления линий рисунка фотошаблонов для литографии.

Цель изобретения состоит в повьггае- ник достоверности контроля.

Сушность способа состоит в том, что для контроля качества проработки .ггииий рисунка в слое материала на прозрачной подложке J освещают пучком йлектромагиитного излучения, регистрируют прошедшее через объект излучение объективом, измеряют интенсивность прошедшего излучения и срав- Р1ивают измеренную интенсивность излучения с эталонной,для чего проводят построение профиля распределения ин- тонсивности прошедшего излучения по ширине контролируемой линии, опреде- ляют на основе этих измерений ширину линии и неличину интенсивности-в ее центре, а качество проработки линии определяют по отличию интенсивности излучения в центре профиля от эталонной для данной агирины линии. Эталонную зависимость интенсивности в центре от ширины линии устанавливают при trex же условиях измерений, проводя их на наборе линии, качественность которых установлена с помощью, электронной микроскопии.

Экспериментально) авторами установлено, что величина интенсивности в центре профиля распределения для линии с субмикронными размерами элементов является характеристичной для линии данной ширины, что легло в основу изобретения,

Пример, Способ был применен

для контроля качества проработки линий субьшкронной ширины на фотогаабло- нах для литографии, представляющих

собой слой маскирующего хромового ПОК

рытия толщиной Ojt мкм на кварцевой подложке. Линии получали ионным травлением хромового покрытия. Эталонная зависимость интенсивности в центре профиля была получена в результате измерений для набора линий шириной 0,3 ,0 мкм, качество травления которых контролировали с помощью растрового электронного микроскопа. Числовая апертура использованного объектива составляла 0,95, отношение ч:ис ловьте апертур конденсора и объектива - 0,35. Измерения проводили при длине волны излучения 0,546 мкм.

.

0

е

5

0

Эталонная зависимость интенсивности в центре профиля от ширины линий, протравленных в хромовом маскирующем покрытии фотошаблона, иг мерялась при сканировании измерительной щелью промежуточного изображения линии с регистрацией сигнала с помощью фотоэлектронного умножителя. Дискретность измерений мкм. Величина интенсивности нормировалась па интенсивность излучения, прошедшего через чистьт участок подложки (без маскирующего покрытия)« В таблице приведены результаты измерений ширины линий и интенсивности в центре их профиля расггределения недотравленного шаблона и того же шаблона после дотравливаНИЯо

Ширина линии определялась по ширине профиля на уровне интенсивности, соответствующей 25 (1 4) 7, от и fтeнcиDHocти {злучения, прошедшего через чистый (без маскирующего покрытия) участок фотошаблона. Результаты корректности такого способа определения ширины подтверждены электронно- микроскопическими измерениями, величина Т характеризует пропускание Излучения маскирующим покрытием ш абло- иа,

Из сопоставлетгия результатов, представленных в таблице, видно, что при недотраве интенсивность измерения в neHtpe профиля ниже эталонной при каждой ширине линии.

I .

Формула изобретения

Способ контроля качества проработки лингШ рисунка в непрозрачном маскирующем слое, нанесейном на прозра,ч- ную подложку, заключающийся в том, что на исследуемый объект направляют электромагнитное излучение,измеряют интенсивность излучения, прошедшего через объект, и сравнивают измерен1Г5гю интенсивность с этало 1ной, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности контроля качества проработки линий, используют электромагнитное излучение с длиной волны, сравниваемой с шириной контролируемой линиир проводят измерение профиля распределения интенсивности прошедшего излучения по ш грине контролируемой лиииил определяют на основе этих измерений ширину линии профиля распределения и величину интенсив- M420t.l

ности в центре профиля и качество что интепоипмости в upriTpe npixJuinH проработки линии определяют по отли- от эталонной для данной пгирины линии,

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повьппение достоверности контроля качества проработки линий субмикронной ширины. Цель изобретения состоит в повышении достоверности контроля качества проработки линий рисунка в непрозрачном маскирующем слое, нанесенном на прозрачную подложку. Способ включает освещение измеряемого объекта электромагнитным излучением и снятие профиля распределения интенсивности излучения, прошедшего через объект. Затем проводят обработку профиля распределения интенсивности прошедшего излучения, определяя ппфину профиля контролируемой линии и величину интенсивности в центре. Качество проработки линии устанавливают по от- лИчИю интенсивности в центре профиля распределения от эталонной для данной Ш1фииы линии.