Электрографический способ регистрации дефектов на поверхности полупроводника Советский патент 1987 года по МПК G03G13/44 

1 .13

. Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к способам контроля качества поверхности полупроводников.

Цель изобретения является повышение качества регистрации,

Сущность изобретения заключается

в следующем, I

После смачивания фотобумаги в гидрохиноне ее окунают в 4,5 - 7,0%-ный раствор плавиковой кислоты в деиони- зованной воде. Вследствие этого создается контакт между активной поверхностью полупроводника и электролитом, в результате стравливания с поверхности пленки естественно окисла толпщной 2-3 им. С подачей напряжения на электроды через границу раздела полупроводник - электролит протекает электрический ток, обусловленный инжекцией электронов из полу-проводника в электролит, причем плотность тока имеет однородное распределение по поверхности. Эта однородность плотности тока нарушается при наличии дефектов, расположенных на поверхности полупроводника. Нарушение кристаллической структуры приводит к возникновению концентрации электрического поля в этих участках,, что снижает потенциальный бурьер на границе раздела цолупроводник - электрол1-5т, приводя к локальным увеличениям плотности тока относительно плотности тока из соседних бездефектных участков поверхности, В фотобумаге происходит восстановление ионов серебра фотоэмульсионного слоя в местах, соответствующ;нх дефектам поверхности полупроводника (образование скрытого изображения отпечатков дефектов), Наличие в составе электролита проявляющей компоненты - гидрохинона визуализирует распределение поверхностных дефектов полупроводника на фотобумаге. Дефекты упаковки, дислокации и их сложные ассоциации, адсорбированные частицы металлов, области скопления отрицательного заряда (например, адсорбированные ОН группы), полости, пустоты, выступы. бугорки, воронки являются дефектаг-га на поверхности полупроводника регистрируемыми предлагаемым способом. Полученная таким образом электрограмма показывает распределение дефектов на поверхности полупроводника.

5

0

5

0

5

0

5

17

Предлагаемый способ осущаствляют следующим образом.

Фотобумагу смачивают в перенасыщенном растворе гидрохинона Б течение 2-3 . Пропитанную раствором гидрохинона фотобумагу окунают в 485 750%-ный раствор плавиковой кислоты в деионизован;-1ой водвд усиляют а затем эмульсионной стороной 4 прикладывают к исследуамой поверкности полупроводника с. Полупроводник и фотобумагу размещают ггпоскимн графитовыми электродами. Прикладыванием фотобумаги происходят стравливание пленки естественного окисла с поверхности полупроводника, Таким образом, создается контакт полупроводник - электролк г. Стравливание окисной пленки происходит из-эа присутствия в электролите плавиковой кислоты. К графитовым эл ектродам из характериографа подают постоянное или переменное напряжение„ Через систему полупроводников фо Г обуъчага электроды проходит ток„ При этом плотность тока из дефектных областей поверхности полупроводника превыгаает плотность тока из бездефектных областей. Время подачи напряжения на электроды составляет 30-45 с. Наличие в электролите гидрохинона приводит к почернению фотобтоаги в тех местах,,, где плотность тока имеет повьшенное значение. После отключения напряжения фотобумагу удаляют из системы и подвергаются фотохигшческой обработке, а именно промывают в течение 2-3 мин и закрепляет .в закрепителе в течение 4-5 мин. Для исключения вредного влияния паров плавиковой кислоты операции по регистрации дефекта проводят в вытяжном шкафу,Способ осуществляется в Незатемненнок помещении.

0

Формула изобрете

Электрографический способ регистрации дефектов на поверхности по- - лупроводника, ВКЛЮ- ШЮЕ ИЙ смачивсние фотобу гаги в перенасьш(енном растворе гидрохинонаJ прикладывание фотобумаги эмульсионной стороной к исследуемой поверхности полупроводника,, размещение полупроводника и фотобумаги между электродами5 подачу напряжения в течение 30-45 с с последутоЕО-. удалением фотобу-ма.ги из с-истеш.: и проведением ф о т о хи ми ; я с л аи об о s 6 о т к и

313Д16114

ее, о тличающийся тем хиноне бумагу окунают в 4,5-7,0%-ный что, с целью повьппения качества ре- раствор плавиковой кислоты в деиони- гистрации, после смачивания в гидро- зованкой воде. .

Изобретение относится к электро- графт ческим способам регистрлцин дефектов 1та поверхности полупроводника. Цель изобретения - пояьлпение качества регистрации. Фотобумаг у смачивают в перенасыщенном рлстноре гидрохинона, а затем окунлют в 4 , 5-7,0 11ьгй раствор планиковой кислоты в деиони- зованной воде. После этого фотобумагу эмульсионной стороной прикладывают к исследуемой порерхкости полупроводника. Полупроно.|-ник и фотобумагу размещают мелт/ту элгктролами и подают напряжение н-течение 30-45 с. После отключения напряжения фг-тобу- магу удаляют из гистемь.) н по;тверг-а от фотомеханической обработке, с И (Л ОО