СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ Советский патент 2012 года по МПК H01C17/00 H01C3/00 

Способ изготовления пленочных резисторов, включающий нанесение резистивной пленки на диэлектрическое основание, термическую обработку, формирование контактов, подгонку сопротивления и импульсную токовую тренировку, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности параметров, термическую обработку диэлектрического основания с нанесенной резистивной пленкой проводят при температуре на 30-50 K ниже температуры начала рекристаллизации резистивной пленки в течение 40-60 мин, а импульсную токовую тренировку осуществляют перед подгонкой сопротивления импульсами длительностью 10^-5 - 5·10^-4 с, причем амплитуду каждого последующего импульса увеличивают на 3-5 В и по достижении приращения сопротивления резистора на 0,1-0,5% от минимальной величины сопротивления, полученного при импульсной токовой тренировке, тренировку прекращают.