Способ контроля качества резисторов Советский патент 1987 года по МПК G01N3/42 

1

Изобретение относится к микроэлектронике , в частности к технологическому процессу/ изготовления гиб- о-

ридных толстопленочных микросхем.

Цель изобретения - повьпяение надежности за счет учета способа изготовления резистора.

Пример. Для контроля качества толстопленочньпс резисторов с противлением 100 кОм устанавливают образец в держатели на столике прибора типа ПМТ-3 так, чтобы его поверхность была параллельна плоскости столика. Установленный образец просматривают через окуляр и выбирают на резистивном слое участок в средней части области пленочного межсоединения резистивного слоя с проводником, в котором проводят измерение микротвердости по Виккерсу. Выбранный участок размещают в середине поля зрения микроскопа - точно в вершине угла неподвижной сетки. Затем устанавливают груз массой 40 г и поворачивают с помощью ручки столика на 180 (от одного упора до другого) для подведения выбранного участка образца под алмазную пирамиду. После этого медленным поворотом ручки на 180° в течение 30 с опускают шток с алмазной пирамидкой так, чтобы алмаз коснулся образца. В этом положении выдерживают образец под нагрузкой в течение 10 с, после чего поднимают ,шток с алмазом.

Поворотом столика возвращают образец в исходное положение под объектив микроскопа и измеряют диагонали отпечатка.

Вычислив среднюю длину диагонали отпечатка

d, + di 2

10

15

20

25

Sпересчитывают ее на число микротвердости по Виккерсу. Например, HV ,64,7.На резистивном слое, нанесенном на поверхность керамической подложки, повторяют измерения. Вычислив среднюю длину диагонали отпечатка,

Редактор М.Васильева

13597152

пересчитывают число микротвердости по Виккерсу (HV). Например, HVj 68,2.После этого вычисляют относи- тельное изменение микгзотвердости резистивного слоя, обусловленное

SHV . . 100%

nVj В данном случае SHV 5,1%.

В результате исследований установлено , что относительное изменение микротвердости связано с кинетикой старения резистивных элементов при хранении и тем более при эксплуатации под нагрузкой в условиях повьшен- ньпс температур.

Чем меньше относительное изменение микротвердости, тем выше качест- во сформированного пленочного резистивного элемента, тем менее он склонен к деградации с нием времени, тем вьше его параметт рическая стабильность.

У образцов относительное изменение микротвердости после контроля составляло 1, 2, 5, 10% и практически не изменялось в течение 12 месяцев, а также после их коррозионных испытаний и испытаний под нагрузкой, т.е. параметры образцов стабильны.

У образцов с относительным изменением микротвердости больше 10% наблюдалось значительное изменение их характеристик.

Формула изобретения

Способ контроля качества резисторов, заключающийся в том, что измеряют параметры, по которым определяют степень качества резисторов, отличающийся тем, что , с целью повьшения надежности за счет учета способа изготовления резистора, в качестве параметров измеряют микротвердости резистивного слоя, нанесенного на керамическую подложку, и на проводник, и определяют степень качества по относительному изменению микротвердостей в пределах 10%.

30

35

40

45

50

Составитель В.Шиманская Техред М.Ходанич

Корректор Л.Патай

6149/46

Тираж 776

ВНИИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб,, д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г.Ужгород, ул.Проектная, 4

Корректор Л.Патай

Подписное

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к технологическому процессу изготовления толстопленочных схем. Цель изобретения - повьшение надежности за счет учета способа изготовления резистора. Для этого в способе измеряют микротвердости резистивного слоя, нанесенного на керамическую подложку и на проводник, и по их относи- тельному изменению в пределах 10% определяют степень качества. О5 СП со