Стекло для резисторов Советский патент 1988 года по МПК C03C3/74 

со сд ел

00

Изобретение относится к производству легкоплавких стекол, которые могут быть использованы в электронной технике, в частности для изготовления резистивных композиций по толстопленочной технологии.

Цель изобретения - повышение кристаллизационной и химической устойчивости.

Составы стекол приведены в табл,1.

Свойства стекол приведены в табл.2.

Из табл,2 следует, что описываемые стекла обладают повьшенной крис- таллизационной и химической устойчи- востью.

При составлении шихт используют сырьевые материалы марки ч, хч ичда. Стекла варят в силитовой печи при , Выработку стекломассы осуществляют в холодную воду для получения гранулята, а также в формы для изготовления образцов, необходимей для исследования физико-химических свойств.

Данные стекла обеспечивают работу, приборов в условиях повьшенной влажности. Полученные резисторы отличаются ста бильног.тью характеристик. Дрейф сопротивления под нагрузкой 0,5 Вт/см в течение 1000 ч составляет 1-1,5% (известной композиции на основе стекол 2,5-3%),

Формулаизобретения

Стекло для резисторов, включающее BjO, МоОэ, CdO, PbO, А1,0э, SiO, ZnO, отличающееся что, с целью повьшения кристаллизационной и химической устойчивости, оно содержит компоненты в следующих соотношениях, мас.%:

В,0з 33,25-40,34

МоО, 11,92-15,57

CdO 13,90-17,04

PbO 11,85-12,32

AlaO, 5,41- 5,63

SiOi 6,37- 6,63

ZnO 8,80-10,80

7

тем.

Изобретение относится к производству легкоплавких стекол, которые могут быть использованы в электронной технике, в частности для изготовления резистивных композиций по толстопленочной технологии. С целью по- вьшения кристаллизационной и химической устойчивости стекло содержит, мае.%: B,0, 33,25-40,34; МоО 11,92- 15,57; CdO 13,90-17,04; PbO 11,85- 12,32; А1.г0.э 5,41-5,63,- SiO 6,37- 6,63; ZnO 8,80-10,80. Химическая устойчивость I гидролитический класс, ТКЛР, с (20-400°С) (53,4-59,4) 10 , температура размягчения 520- 530 С, удельное электрическое сопротивление при 400°С (2,38-3,0) см. 2 табл. с (Л

Таблица 1

Температура начала размягчения, °С

ТКЛР. , °С- в интервале 20-400 С

Удельное электрическо сопротивление приАСО Ом см

Диэлектрические свойства при и f

tgc/ЧОг

Химическая устойчивость (гидролитический класс)

Устойчивость к кристаллизации при термообработке в интервале 400-

Температура вжигания резистивных композиций, С ..

690

Таблица2

525

520

530

55,4

59,4

53,4

2,47-10 °

3-10

10

40 8,6

33 7,4

Не кристаллизуется

720

710