Способ изготовления контактной площадки на подложке из алюминиевого сплава или алюминия Советский патент 1988 года по МПК H05K3/00 H01R4/02 

со

00

vi

со со

Изобретение относится к радиоэлектронной промышленности к технологии изготовления печатных плат.

Целью изобретения является повьппе ние надежности путем создания холод- носварного соединения.

На чертеже изображена контактная площадка на подложке из алюминия, образующая холодносварное соединение с проводом.

На подложке 1 толщиной 1-2 мм, выполненной из алюминия или алюминиевого сплава, например, АМГ-3 формируют заостренные рифли с углом при верщине 80-90°, длина которых в 5- 10 раз превышает диаметр или наибольший размер подсоединяемого провода 2

После этого подложка 1 анодируется в щавелевокислом электролите с целью получения окисной пленки 3 толщиной порядка 50-100 мкм, при зтом в процессе анодирования в окисной плеике 3 образуются микропоры 4. Для заполнения пор 4 наносится слой по- лиимидного лака 5 с последующей сушкой и полимеризацией его. Затем на установке термовакуумного напыления последовательно напыляется адгезионнения без нагрева в зоне 13 контактирования .

После выполнения холодной сварки между проводом 2 и контактной площадкой при подклю 1ении источника электрического напряжения между ними электрический ток идет от одного полюса источника по проводу 2, далее через зоны контактирования 13 рифлей 11 в слой 1U, а затем через тонкий слой 9 в основной электропроводный слой 8 и по нему - в другой полюс источник.

Изобретение можно использовать в радиоэлектронной и микроэлектронной аппаратуре, в приборных устройствах для создания внутриблочных и межблочных электромонтажных соединений. Использование данного неразъемного электроконтактного соединения позволяет при одновременном обеспечении высокой надежности его легко автоматизировать процесс монтажа микросборок и других микроэлектронных изделий, так как не требуется дополнительный нагрев, использование припоя, исключаются операции нанесения и удаления флюса, необходимых в случае пайки, не требуются дополнительные

Изобретение относится к радиоэлектронной промьппленности. Целью изобретения является повышение надежности путем создания холодносварно- го соединения. На подложке, выполненной из алюминия или алюминиевого сплава, формируют заостренные рифли. Затем подложки анодируют, покрывают лаком и наносят токопроводя1ций слой методом термовакуумного испарения и гальванического наращивания для обеспечения условий холодносварного соединения. 1 ил. с S

ный слой 6 из хрома толщиной 0,05 мкм 30 затраты электроэнергии, как в слу- и слой меди 7 толщиной I мкм. После этого производится гальваническое наращивание слоя меди 8 толщиной 10-30 мкм и напыление слоя меди 9 для устранения дефектов слоя 8 и более 5 твердого слоя никеля О толщиной 0,5-1 мкм. Готовая подложка с рифленой контактной площадкой устанавливается на рабочем столике сварочного устройства, производящего холодную 40 сварку, основным элементом которого является пуансон,перемещающийся в направляющих перпендикулярно подложке микросхемы. На контактную площадку

чае термокомпрессионной сварки или сварки расщепленным электродом.

Формула изобретения

I

Способ изготовления контактной площадки на подложке из алюминиевого сплава или алюминия, включающий анодирование подложки, нанесение токо- проводящего слоя, формирование конфигурации контактной площадки, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности холодносвар ного соединения, предварительно производят рифление подложки в месте

накладывается провод 2, затем пуансон 45 контактной площадки с созданием за- опускается и в течение 3-13 с в зави- остренных рифлей, перед нанесением симости от диаметра провода 2 прижимает провод 2 к рифлям 11 контактной площадки, создавая распределенную нагрузку 12 и обеспечивая достаточную для получения холодносварного соеди50

токопроводящего слоя подложку покры вают слоем лака, а токопроводящий слой наносят методом термовакуумно го испарения и гальванического наращивания.

затраты электроэнергии, как в слу-

чае термокомпрессионной сварки или сварки расщепленным электродом.

Формула изобретения

I

Способ изготовления контактной площадки на подложке из алюминиевого сплава или алюминия, включающий анодирование подложки, нанесение токо- проводящего слоя, формирование конфигурации контактной площадки, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности холодносвар- ного соединения, предварительно производят рифление подложки в месте

контактной площадки с созданием за- остренных рифлей, перед нанесением

токопроводящего слоя подложку покрывают слоем лака, а токопроводящий слой наносят методом термовакуумного испарения и гальванического наращивания.

ч 13 . /з /